LIGA工艺中微电铸工艺研究

为了得到微米级的微型结构,先用准分子激光加工高深宽比的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)微孔结构,并以此和光刻成型的微结构作为模具,进行了微电铸试验,通过对电镀参数方法进行调整和优化,改善了微结构加工中镀液难以进入孔隙、浓差极化严重、结晶粒子不能得到及时补充等缺点,得到了线宽为10μm级的微型结构.为进一步的微结构加工奠定了基础.     

压延铜箔的瘤化处理对FOOL抗剥强度的影响

厚度为18μm的压延铜箔在含有硫酸铜和硫酸镍的溶液中经过瘤化电镀处理，在铜箔表面形成不同于氧化铜的含镍的化合物结节，从而提高了抗剥强度；若增加电流密度和电镀时间，效果会更好：当电流密度为1．5A／dm^2、电镀时间为30秒钟时，所处理得出铜箔的表面粗糙度最大且抗剥强度最高，达到了680gf／cm。同时，粘接结构破坏的位置随着电镀参数的变化而有所改变，当抗剥强度达到最大值时破坏的位置发生在聚酰亚胺薄膜与粘接剂层的部位。     

PCB用硫酸铜的制备及有机物杂质的影响与处理方法

PCB用硫酸铜属于电镀级硫酸铜,文章介绍了PCB用硫酸铜的制备方法,分析了硫酸铜中有机物杂质的可能来源,简述了有机物杂质对电镀的影响以及清除有机物杂质的方法。     

氧化铜掺杂对电阻浆料性能的影响

以氧化钌为电阻浆料原料,研究了不同粒度氧化铜掺杂对电阻浆料性能的影响。分别以两种不同粒度分布的氧化铜对电阻浆料进行掺杂,研究了掺杂前后电阻浆料印刷膜层电性能的影响。结果表明掺杂氧化铜能够使电阻浆料的方阻值大幅度降低,同时使电阻温度系数向正方向变化,不同粒度分布的氧化铜对电阻浆料电性能影响的趋势相同,但超细纳米级氧化铜对电阻浆料电性能的影响更为显著,能够更有效地调节电阻浆料的方阻及电阻温度系数等参数。     

应用置换反应制备高效SERS活性基底研究

利用预处理的铝片和铜片还原硝酸银溶液的方法获得了具有不同表面形貌的银纳米结构.扫描电子显微镜(SEM)图表明反应产物分别为花样和树枝状的银纳米结构.以对羟基苯甲酸(PHBA)作为探针分子,对这种新体系的表面增强拉曼散射(SERS)活性进行了研究,发现该体系是一种非常高效的SERS活性增强基底,并且其SERS活性优于用化学方法制备的银胶.本文对这种新型SERS活性基底的增强机制进行了讨论.     

用于圆片级封装的金凸点研制

介绍了电镀法进行圆片级封装中金凸点制作的工艺流程,并对影响凸点成型的主要工艺因素进行了研究.凸点下金属化层(UBM,under bump metallization)溅射、厚胶光刻和厚金电镀是其中的工艺难点,通过大量的实验研究,确定了TiW/Au的UBM体系,得到了优化的厚胶光刻工艺.同时,研制了用于圆片级封装金凸点制作的垂直喷镀设备,选用不同的电镀液体系和光刻胶体系,对电镀参数进行了控制和研究.对制作的金凸点与国外同类产品的基本特性进行了对比,表明其已经达到可应用水平.     

电镀镍磷层及其在薄膜剥离中的应用北大核心

利用柔性压电薄膜为能量采集器供电在微电子机械系统（MEMS）领域应用越来越广泛,通过电镀应力层剥离制备薄膜是近年来广受关注的一种方法。通过在氯化镍电镀液中加入不同质量浓度的磷离子和控制不同的电流密度,在铜片上电镀得到不同的镍磷镀层。对镀层进行共聚焦显微镜观测、台阶仪测量厚度、镍磷层内应力计算、X射线衍射（XRD）和X射线能谱仪（EDS）分析,结果表明：电流密度恒定为10 mA/cm2,磷离子质量浓度由0-0.04 g/L的变化过程中,镍磷层内应力由112 MPa增加到322 MPa,而磷离子质量浓度高于0.04 g/L后,内应力减小,镀层含磷原子数分数逐渐升高;磷离子质量浓度恒定为0.04 g/L,电流密度由5 mA/cm2增加到20 mA/cm2时,镍磷层内应力从181 MPa增加到343 MPa,而电流密度高于20 mA/cm2后,内应力逐渐减小,镀层含磷原子数分数逐渐降低。之后通过控制电镀条件利用电镀镍磷层应力从硅基底成功剥离制备硅薄膜。     

电镀铜分散能力的研究

电镀铜分散能力的研究对于PCB制造具有深刻而深远的作用,电镀铜的效果直接影响着线路形成过程,对于高密度互联(HDI)产品,严格控制电镀铜流程,保证电镀铜质量至关重要。电镀铜分散能力的好坏一般使用COV来衡量,业界一般将COV控制在10%以下。本文电镀分散能力的研究围绕电镀设备和电镀药液两方面展开,通过调整电镀设备及药液成分组成,得到稳定的沉积速率,进而得到平整的镀层结构;同时从理论分析及研究方法方面进行相关剖析。     

印刷线路板电镀基本工艺流程

一．电镀工艺的分类： 酸性光亮铜电镀电镀镍,金电镀锡 二．工艺流程： 浸酸→全板电镀铜→图形转移→酸性除油→二级逆流漂洗→微蚀→二级→浸酸→镀锡→二级逆流漂洗     

PCB线路板的电镀技术交流

一、电镀工艺的分类： 酸性光亮铜电镀电镀镍／金电镀锡 二、工艺流程：浸酸→全板电镀铜→图形转移→酸性除油→二级逆流漂洗→微蚀→二级→浸酸→镀锡→二级逆流漂洗。     

微晶磷铜阳极在高端PCB制造中的应用

介绍PCB制造过程中使用的酸性硫酸盐镀铜阳极的特点;普通磷铜阳极、微晶磷铜阳极材料的组织结构和电化学极化情况;以及微晶磷铜阳极在高端PCB制造中的优点和应用。     

不同浓度添加剂对铜镀层性能的影响

目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂（包括加速剂、抑制剂和平坦剂）虽然含量很少,但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了不同添加剂浓度组合对脉冲铜镀层性能的影响。     

铜蚀刻废液制备氧化铜

PCB行业主要存在酸性和碱性两种废液,当前对蚀刻废液的处理方法有许多种,其中沉淀法是经济的处理方法,而且去除铜率高。通过加入试剂,将废液中的铜离子转变成氢氧化铜沉淀,然后加热煅烧,得到最终产品氧化铜。分别采用单独对酸和两种废液混合二种方式制取氧化铜;讨论了酸度对沉铜量的影响,结果表明,铜离子沉淀的最佳pH分别为9和4.5,沉淀最佳的分解温度和时间分别为500℃和30 min。探讨了水洗量和次数对杂质的去除影响,分别得到水洗三次,纯净水两次为最佳结果。     

液相法制备窄粒径分布微米铜粉的研究

为了制备出抗氧化、纯度高且粒径分布窄的微米铜粉,以硫酸铜(CuSO4)为原料,抗坏血酸(Vc)为还原剂,聚乙烯吡咯烷酮(PVP)为保护剂和分散剂,浓氨水(NH3·H2O)调节pH值,通过液相还原法制备微米铜粉,研究了CuSO4浓度对制备粉体的影响,并讨论了相关反应机理。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱分析仪(EDS)、激光粒度仪和热重分析仪(TG)对制备的铜粉进行表征与分析。结果表明:不同CuSO4浓度下制得的粉体均为高结晶度的单质铜;当CuSO4浓度为0. 6 mol/L,反应温度为80℃时,制得的铜粉结晶度最好且粒径分布较窄,全都分布在1~4μm;制备出的铜粉抗氧化性和稳定性较好,在200℃时都不会发生氧化,于空气中放置30天后仍为单质铜。     

硅通孔中含有加速剂的电镀铜仿真

Filling high aspect ratio through silicon vias(TSVs) without voids and seams by copper plating is one of the technical challenges for 3D integration. Bottom-up copper plating is an effective solution for TSV filling. In this paper, a new numerical model was developed to simulate the electrochemical deposition(ECD) process, and the influence of an accelerator in the electrolyte was investigated. The arbitrary Lagrange-Eulerian(ALE) method for solving moving boundaries in the finite element method(FEM) was used to simulate the electrochemical process. In the model, diffusion coefficient and adsorption coefficient were considered, and then the time-resolved evolution of electroplating profiles was simulated with ion concentration distribution and the electric current density.     

PCB电镀铜工艺和常见问题的处理

印制电路板（PCB）电镀主要包括电镀铜、电镀锡、电镀镍和电镀金等。其中电镀铜是PCB制作中的一个重要工艺,文章主要介绍电镀铜的工艺技术、应注意的操作技术问题和一些常见问题的处理方法。     

电镀废液回收铜粉的化学镀银工艺及其电磁屏蔽性能

采用高频超声脉冲电解法从电镀铜废液中回收制备枝晶状的铜粉,并在铜粉表面进行化学镀银以制备电磁屏蔽用银包铜粉,采用SEM、EDS、XRD、TEM等对其进行形貌和组分分析,研究了银包铜粉复合涂层的导电性能和电磁屏蔽性能。结果表明,经过表面化学镀银可以有效地避免铜粉的氧化;涂层的电磁屏蔽性能与银包铜粉的添加量紧密相关,当涂层中银包铜粉质量分数为60%时,其电磁屏蔽效率高达52 dB。     

镀银铜粉导电胶的研究

经过对200目商用铜粉进行球磨处理得到2~8μm细片状铜粉,再进行多次化学镀银处理,得到表面银覆盖率达90%以上的一种高性能镀银铜粉。该镀银铜粉与环氧树脂、固化剂以及其它添加剂合成制得的镀银铜粉导电胶,防铜氧化效果好,电阻稳定且电阻率可达10–4Ω·cm级别,相比银导电胶成本降低,耐迁移效果好。     

An Investigation into Zinc Diffusion and Tin Whisker Growth for Electroplated Tin Deposits on Brass

It is widely documented that whisker growth is more rapid for tin deposits on brass compared with deposits produced on other substrate materials, such as copper. As a result, studies investigating the effect of process variables on tin whisker formation are often conducted on brass substrates to take advantage of the increased whisker growth rates. Although it has been understood since the 1960s that the increased whisker growth results from zinc diffusion, to date there has not been any detailed analysis of the zinc/zinc oxide distribution at the surface of the tin deposit. Using a commercial bright tin electroplating bath, the formation of zinc oxide at the surface of tin deposits on brass has been investigated. Analyses show that zinc oxide is present on the surface of the deposit within 1 day of electroplating. During storage at room temperature, a network of zinc oxide is formed at the surface grain boundaries, the extent of which increases with time. The critical role that zinc surface diffusion plays in whisker growth for tin deposits on brass has been demonstrated by electrochemical oxidation of the tin shortly after electroplating. This develops a tin oxide film that is thicker than the native air-formed oxide and subsequently serves as a diffusion barrier to zinc surface diffusion, thereby mitigating whisker growth.     

钨粉化学镀铜对压制性能的影响

通过钨粉表面化学镀铜,使其表面包覆一层均匀的诱导铜膜,以此制备W-15Cu电子封装材料。采用扫描电镜和双对数压制方程理论分析,研究钨粉表面化学镀铜含量对钨粉压制性能的影响,结果表明钨粉表面化学镀铜可改善其压制性能,且随化学镀铜含量的增加,压制同等生坯密度的制品压力增大。