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测定离子注入后掺杂总数的方法可分为二大类。一类是对注入层进行直接分析;另一类是借助于对物理性能和器件参数的测量而间接地测定其掺杂数量。对这些方法作了简要的评述后,报导了对离子注入的剂量精度和均匀性的一次国际性的调研结果:它是用直径为76mm的硅片,注入硼离子,并在一组规范的条件下进行了退火,用四探针法对被调研的注入后的每一块硅片上的118个点进行了薄层电阻值的自动测量。调研中的85台离子注入机所测的方块电阻的总平均值为169.7Ω/□,相对它的标准偏差为8.1Ω/□,这表明了工业用离子注入机存在的定标范围。等值薄层电阻轮廊图曾用于鉴别均匀性问题,它提供了一个易于解积的图示方法。在一个硅片内薄层电阻值的非均匀性(一个标准偏差)变化范围是0.37%到4.76%,其中值为0.72%。 相似文献
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我们介绍了一种非常简单的退火系统。这个系统仅使用二只150W卤灯对硅片进行扫描处理。电学和结构测量表明,在无任何明显扩散而又能对晶格损伤进行良好恢复的情况下,就可使注入杂质全部激活。而且满足二个关键工艺要求:从硅片的一边到另一边薄层电阻的均匀性很高(标准偏移3.5%);没有引起硅片翘曲。 相似文献
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研究了改变注入角、p型埋层注入及红外快速热退火对GaAsIC有源层均匀性的影响,得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。 相似文献
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Alexander E. Braun 《集成电路应用》2007,(9):49-49
随着器件线宽和层厚的缩小,离子注入计量设备对硅片上杂质分布均匀性进行直接监测的能力已经开始受到限制。同时,特征尺寸的缩小和参数性能的要求,使关键注入参数的工艺窗口不断变窄,而离子束电流和硅片尺寸却在不断增大。这样一来,就使得通过测量平均偏差与标准偏差(SD,或分布展宽)来量化硅片上注入掺杂均匀性的传统方法,缺乏所需的统计信息来监测离子注入工艺。 相似文献
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随着摩尔定律的逐步实现,大直径硅片的应用规模逐渐扩大,然而,大直径硅外延片的片内均匀性成为了外延的主要问题之一.使用具有五路进气结构的单片外延炉生长300 mm直径硅外延片.相对于传统的三路进气结构,五路进气可以分别对硅片表面的5个区域的气流进行调节,实现单独分区调控,从而提升了外延层厚度均匀性的可调性.实验中,采用两步外延方法,进一步提升了片内电阻率均匀性.通过对工艺参数进行优化,300 mm硅外延片的外延层厚度不均匀性达到0.8%,电阻率不均匀性为1.62%(边缘排除5 mm),成功提升了300 mm直径硅外延片的外延层厚度和电阻率均匀性控制水平. 相似文献
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一、引言S做为GaAs的施主杂质是较轻的元素,容易形成良好的掺杂层。用离子注入技术制备GaAs的n型层,常选S~ 做为注入的离子。但S在GaAs中的扩散系数比较大。注入后若采用常规热退火方式,其浓度分布必然要受到热扩散的影响而展宽。而且对化合物半导体而言,还有迂高温发生化学组分偏离以及热转型的问题。近年来,对离于注入后的GaAs采用激光退火的方法,已显示出比热退火好。起步稍晚的电子束退火,同样具有优于热退火的特点。从二者比较来看,在能量转换效率、退火功率的可控性、退火面积及其均匀性等方面,都显示出电子束退火更为优越。 相似文献
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1 引言离子注入方法具有很高的注入精确度和均匀性,其注入剂量重复性优于1%,整个硅片上的注入均匀性约在±1%左右。这是其它工艺方法所无法比拟的,因此离子注入已广泛地用于大规模集成电路的工艺过程中。 相似文献
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《微纳电子技术》2019,(12):1022-1027
采用Silvaco-TCAD仿真软件模拟了在一定注入能量下离子注入剂量、退火温度和时间对太阳电池表面方块电阻和结深的影响,并通过离子注入机和高温退火炉进行了实验验证。实验结果表明,当离子注入剂量为7×10~(14 )cm~(-2)、注入能量为10 keV、退火时间为20 min、退火温度为870~890℃时,电池表面方块电阻超过130Ω/□,均匀性良好,结深可达0.6μm。当离子注入剂量小于7×10~(14 )cm~(-2)时,方块电阻值过大,且均匀性较差。均匀性良好的高方块电阻可有效降低电池表面的少子复合,进而有助于提升电池效率。 相似文献
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半导体硅片退火工艺对生产硅片具有十分重要的作用,为此,本文加强对硅片的退火技术检测,希望能够控制硅片技术质量。因为自然界当中并不存在单体硅,硅主要以氧化物或者是硅酸盐的形式出现,需要通过提纯与精炼的方式才能够形成硅片。这个过程中硅需要进行退火工艺处理,消除硅片中氧施主的影响,内部缺陷也在这个过程中减少。这个工艺流程是制造半导体硅片的重要环节。退火后的技术检测则是实现硅片生产的最后一个环节,是确保硅片质量的重要基础。本文侧重对半导体硅片退火检测工艺发展情况进行具体阐述。 相似文献
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对氧化后硅片上的多晶硅膜,进行了砷离子注入前的快速热处理退火。离子注入之后,这种膜进行了另外的快速热处理退火以活化砷。注入前退火使得刚淀积的晶粒尺寸增大到10倍。这些膜的薄层电阻比只是注入后进行退火处理的膜的要低20~30%。注入前退火引起的晶粒尺寸增大,使得晶粒边界区域减小,从而使相对于晶粒的晶粒边界中掺杂剂数量减少至最低限度。 相似文献
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为指导全新的吸附反应外延技术ARE(Absorption Reaction Epitaxy, ARE)设备红外热源的设计,分析在真空腔室中红外管阵列的热流分布。通过对灯管阵列灯管数量、灯管间距、灯阵与硅片之间距离等设计参数。采用COMSOL Multiphysics软件进行仿真模拟,研究了以红外为热源的设备腔室及硅片温度场分布情况,实测硅片表面温度及均匀性与仿真基本吻合。结果表明在保证源在硅片表面良好扩散效果的同时,当灯管阵列灯管长度为200 mm,数量为11根,间距10 mm,距离硅片15 mm时硅片表面温度不均匀度达到0.683%,满足红外加热吸附反应外延工艺需求,可为ARE红外热源及腔室设计提供参考。 相似文献
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离子注入中的沟道效应使注入离子在深度上的控制变得很困难,并使SHEET值的均一性恶化,本文借助计算机模型。对注入剂量,注入能量,硅片基板方位,硅片表面薄膜氧化层厚度变化时,研究分析了注入沟道效应的相应变化。 相似文献