碳化硅泡沫陶瓷中烧结助剂对莫来石生成的影响

添加几种烧结助剂如硅溶胶、氧化铝、黏土、苏州土和石英的不同组合,研究了烧结助剂对碳化硅泡沫陶瓷中莫来石相生成的影响.实验结果表明：在1 400℃烧结1 h的过程中,氧化铝、黏土和硅溶胶的组合会显著促进莫来石的生成,从而提高碳化硅泡沫陶瓷的高温强度和耐火度.莫来石相在较低温度下的大量生成主要归功于黏土产生液相,以及硅溶胶中非晶态氧化硅对氧化铝颗粒的包裹作用,从而降低了扩散距离.     

氮化硅对石英陶瓷性能的影响

研究了氮化硅加入物对石英陶瓷性能的影响。结果表明,氮化硅有助于石英陶瓷的烧结,而对烧结温度无影响。在1150－1200℃的温度范围内,添加0．5－1．5％的氮化硅不会引导石英玻璃的析晶。烧成在1150－1200℃温度范围内,石英陶瓷的强度、体积密度随氮化硅的添加量增大和烧结温度提高而增大,而石英陶瓷的显气孔率随氮化硅添加量的增大和烧结温度的升高而减小。     

不同烧结助剂对网眼碳化硅多孔陶瓷性能的影响

为了降低制备碳化硅网眼多孔陶瓷的烧结温度和制备成本,以聚氨酯泡沫为模板,分别以MgO-Al2O3-SiO2和K2O--Al2O3-SiO2为烧结助剂体系,采用浸渍成型制备低温烧成碳化硅网眼多孔陶瓷.采用X射线衍射、扫描电镜等测试手段对样品进行分析.结果表明:以MgO-Al2O3-SiO2体系为烧结助剂,当滑石的用量为1.8%(质量分数,下同)和3.8%时,样品的晶相组成是碳化硅、方石英、莫来石和堇青石,并且在显微结构中能看到针状莫来石晶体分布在玻璃相中和碳化硅晶粒的表面,针状莫来石晶体有利于材料强度的提高.以MgO-Al2O3-SiO2体系为烧结助剂,在1 350℃烧成的样品的抗压强度可达到1.23MPa.以K2O-Al2O3-SiO2体系为烧结助剂的样品中没有针状的莫来石晶体.     

烧结温度对煤矸石多孔材料物相与性能的影响

以煤矸石为原料、硅溶胶为胶凝剂泡沫胶凝法制备煤矸石多孔材料,研究烧结过程中的物相变化和烧结温度对多孔材料抗压强度和线收缩率的影响.研究结果表明,500～800℃烧结时在低衍射角衍射峰强度降低、某些衍射峰消失,煤矸石中高岭石脱水生成偏高岭石;1150℃烧结时发生α-石英向α-鳞石英的相变和Al2O3与SiO2反应生成莫来石而出现鳞石英相与莫来石相.随着烧结温度的升高,多孔材料抗压强度和线收缩率均逐渐增大.密度约0.8 g/cm3的煤矸石多孔材料1000℃烧结后抗压强度3.85 MPa,线收缩率6.89％.     

放电等离子烧结技术制备熔融石英陶瓷

以熔融石英陶瓷粉体为原料,采用放电等离子烧结(SPS)技术制备了熔融石英陶瓷材料。文章讨论了SPS方法制备熔融石英陶瓷材料的烧结行为和烧结机理,计算了熔融石英陶瓷的析晶温度并与实际测试结果进行了比较。结果表明:利用SPS方法,在短时间内其析晶温度在1150℃以上,且烧结温度为1150℃时,材料的致密度达到了99.7%,熔融石英的烧结是表层熔融烧结机制,烧结过程中压力对致密度的提高贡献很大。     

一种可用于铁水过滤碳化硅泡沫陶瓷的制备

采用有机泡沫浸渍工艺以MgO-Al2O3-SiO2体系为烧结助剂制备碳化硅泡沫陶瓷,。研究了滑石加入量、高岭土加入量和烧成温度对泡沫陶瓷制品的影响。结果表明:滑石含量为1.8%,高岭土含量为12%和烧成温度1350℃时泡沫陶瓷制品强度最高,可达1.23Mpa。     

有机泡沫浸渍法制备ZrO2泡沫陶瓷烧结过程研究

采用两种不同添加剂,用有机泡沫浸渍法制备了两种氧化锆泡沫陶瓷试样;用高温电阻炉分别在1300 ℃、1400 ℃、1500℃、1600 ℃下进行烧结制备试样;测试了在各温度下烧结试样的收缩率,用环境扫描电镜和能谱分析仪观察陶瓷的显微结构,用X射线衍射仪分析试样的物相组成.结果表明:试样的收缩主要发生在1300～1500 ℃,在1300 ℃进入烧结中期,1400～1500 ℃进入晶粒成长期,1500-1600 ℃进入晶粒异常长大期.采用MgO、CeO2复合稳定,对促进烧结、生成高温稳定相有一定作用,可以减小试样的收缩.制品中高温相的含量在1300～1500 ℃烧结温度范围内迅速增加,1500℃后逐渐减少.     

金刚石与硅烧结制备金刚石/碳化硅复合材料

采用硅粉和金刚石微粉为原料,在氩气保护的管式气氛炉中烧结制备得到金刚石/碳化硅(Diamond/SiC)陶瓷复合材料。结果表明:硅粉与金刚石的混合料,在1410℃进行气氛烧结后,物相图谱中并未有SiC的特征峰出现;烧结温度为1450℃时,在金刚石表面会有SiC物相生成,且随温度提高,金刚石/碳化硅(Diamond/SiC)陶瓷复合材料产物中碳化硅的含量也会相应增加。在硅粉与金刚石微粉的混合料中,添加适量的铝粉(7wt%),然后在1300℃、1350℃和1410℃氩气保护气氛条件下进行烧结,均有SiC物相生成;与未添加铝粉的混合料烧结产物相比,铝粉的添加促进碳化硅在低于硅熔点(1410℃)的气氛烧结下生成,且添加铝粉的混合料烧结产物中碳化硅含量普遍提高,在烧结温度为1410℃时,SiC含量最高达55.7wt%,生成的碳化硅完整地包覆在金刚石表面。     

碳化硅-二硼化钛复合材料烧结工艺研究

采用无压烧结工艺,研究不同烧结温度和不同烧结助剂含量的碳化硅-二硼化钛复合陶瓷的固相烧结机理及其对复合陶瓷致密化的影响。研究结果表明:当B含量在0.4～2%变化时,烧结密度随B含量增加一直下降,在B含量为0.4%时烧结密度最大;当C含量在2～4%变化时,烧结密度随C含量增加而增加,在3%时达到最大值后又下降。在烧结温度约为2180℃时,碳化硅-二硼化钛复合陶瓷有最大的密度。     

碳化硅/堇青石复相多孔陶瓷的制备及性能研究

采用碳化硅、烧高岭土、氢氧化铝、滑石为主要原料,石墨为造孔剂制备了碳化硅/堇青石复相多孔陶瓷.研究了烧结温度和烧结助剂二氧化铈对碳化硅/堇青石复相多孔陶瓷气孔率和强度的影响,并分别用XRD和SEM分析晶相组成和断面显微结构表明:制备出的SiC多孔陶瓷的主相是SiC,结合相是堇青石与方石英,多孔陶瓷具有相互连通的开孔结构;在1350℃烧结,并保温3h,当造孔剂含量为15％时,碳化硅/堇青石复合多孔陶瓷性能最佳,其气孔率31.80％,相应的弯曲强度为63.74 MPa.在1200℃下,添加不同含量的CeO2,对烧结样品的相组成有影响,能够降低生成堇青石的温度,在CeO2含量为3％的样品中,堇青石的峰最明显,但是过量的氧化铈会抑制了堇青石的生成;随着CeO2加入量的增加,其气孔率和弯曲强度也会随之变化,1200℃下,在CeO2加入量为4％时其弯曲强度最优.但随着CeO2的含量的增加,其气孔率逐渐下降.     

碳化硅陶瓷的液相烧结及其研究进展

本文对碳化硅液相烧结添加系统及其烧结机理作了论述。有氧化物参与的碳化硅的液相烧结可以降低碳化硅的烧结温度，促进碳化硅的致密化，提高碳化硅陶瓷的性能。沿晶断裂和穿晶断裂混合断裂机理是液相烧结碳化硅陶瓷强度和韧性提高的原因，表面强化和韧化可以进一步提高碳化硅陶瓷材料的性能。     

烧结微晶玻璃的生产及其着色

介绍了烧结微晶玻璃的工艺原理、生产工艺，结合实践重点分析和讨论结微晶玻璃典型的一次着色工艺及着色剂各类和着色机理。     

碎粒烧结法玻璃陶瓷的气孔问题探讨

认为碎粒烧结法玻璃陶瓷的气孔率主要由玻璃液的澄清、粒度级配、杂质、烧成制度和化学组成决定。采用严格合理的澄清制度，以酸洗等方式剔除杂质或予以掺杂，建立适宜的烧结模型和碎粒紧密堆积所要求的粒度级配，优化配方，加人一定的Na2O等助熔剂，可显著减轻玻璃陶瓷的气孔率。     

堇青石陶瓷烧结工艺及机理研究

本文利用DSC、XRD技术，研究了MgO、Al2O3，和SiO2反应烧结制备堇青石陶瓷的机理。结果表明MgO和Al2O3在1155℃反应合成镁铝尖晶石(MgAl2O4)，进而在1317℃长时间保温与SiO2反应生成堇青石。     

碳化硼低温烧结技术及其影响因素分析

阐述了碳化硼粉末粒度、化学成分以及烧结工艺等因素对其烧结温度的影响,探讨了可能降低碳化硼烧结温度的方法。     

烧结法制备微晶玻璃材料

微晶玻璃是由玻璃原位析晶而获得的一种结构均匀，致密，晶粒尺寸为纳米或亚微米级的新型陶瓷复合材料。本文介绍了烧结法制备徽晶玻璃复合材料的特征、工艺原理、微观结构、性能及应用。     

烧结法金属光泽釉的研究

本文扼要介绍了烧结法金属光泽釉墙砖的研究,讨论了基础釉、烧成温度对金属光泽釉面的形响,并对金属光泽釉墙砖的市场前景进行了预测。     

纳米陶瓷的烧结方法

纳米陶瓷被认为是解决陶瓷脆性的战略途径。本文主要综述了纳米陶瓷的几种常见的烧结方法。     

陶瓷的微波烧结及进展

综述了近年来微波技术在陶瓷烧结领域的一些最新研究进展,包括微波加热烧结、微波等离子烧结和微波等离子分步烧结。     

填料对尼龙12烧结工艺的影响

在尼龙12选择性激光烧结材料中添加不同的填料,研究了各种填料对激光烧结过程中的铺粉性、预热温度、激光功率等工艺性能的影响。结果表明,添加玻璃微珠的烧结材料铺粉性好、预热温度范围宽、烧结工艺性良好;滑石粉亦可改善尼龙12烧结工艺性,而粒径小于2μm的轻质碳酸钙、陶瓷微珠等填料则对尼龙12烧结工艺有不良影响。