Micronlc革新图形技术与客户双赢

光刻胶、掩膜版和光刻机一直以来是构成光刻的三要素．掩膜版的技术水平直接影响着半导体光刻技术的发展．而目前几乎所有平板显示器的制造过程也必须用到光掩膜。Micronic Laser Systems AB正是提供TFT-LCD．半导体和先进电子封装制造中掩膜版生产工具．激光图形发生器的公司。     

CRT荫罩制造技术及其在平板显示等领域的应用

CRT荫罩制造工艺的基础技术是光刻腐蚀。将应用于制造荫罩的精密光刻精细腐蚀技术引伸应用到平板显示、微电子、微机械等领域，可以制作出高精度OLED金属掩膜版，LCD、PDP光学掩膜版等，使这一非常成熟的工艺焕发出新的活力。     

Toppan Printing宣布进入32nm掩膜版量产

为了缩短光刻掩膜版循环周期,控制成本,日本掩膜版制造商凸版印刷（Toppan Printing）日前表示,作为业界第一个开发32nm光掩膜制造工艺的制造商,他们于6月开始量产32nm掩膜版,性能已通过了领先向32nm工艺转移的数码相机、移动电话和其他器件的芯片制造商的验证。     

JZQ11型平面度测试仪

平面度测试仪主要适用于半导体制造工业中测量抛光硅片和高分辨率照相版的平面度，以保证硅片光刻和掩膜版复制的精度和质量。同时，也可测量光学玻璃、陶瓷和金属等材料制成平板的平面度。本仪器具有量程大、测量精确可靠、干涉条纹格值可调和测量结果能以二维干涉图形在投影屏上定性，定量快速显示等优点，为半导体制造工业提供先进的可靠的检测设备。     

激光光刻技术的研究与发展

光刻技术作为制备半导体器件的关键技术之一将制约着半导体行业的发展和半导体器件的性能。随着半导体工业的发展,集成电路的特征尺寸越来越小,光刻技术将面临新的挑战。分析了激光光刻技术,包括投影式光刻和激光无掩膜光刻技术的研究现状,着重介绍了极紫外光刻(EUVL)作为下一代光刻技术的发展前景和技术难点、激光无掩膜光刻技术的发展,特别是激光近场扫描光刻、激光干涉光刻、激光非线性光刻等新技术的最新进展及其在高分辨率纳米加工领域的应用前景。     

PECVD淀积Si3N4作为光刻掩膜版的保护膜

采用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)方法淀积Si3N4薄膜作为光刻掩膜版的保护膜,可以降低掩膜版受损程度,延长使用寿命.分析了Si3N4膜厚的选取要求,给出了PECVD淀积Si3N4膜的工艺条件.实际制作了带有Si3N4保护的光刻掩膜版,并与不带Si3N4保护的掩膜版的使用情况做了对比.结果表明,带有Si3N4保护的光刻掩膜版的使用寿命可明显延长2倍以上.     

掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制Ⅰ

雾状缺陷(Hazedefect)是残留在掩膜版上的有机物或无机物,它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时,这类缺陷尚不会引起太大的问题,大约只影响到5%的掩膜版。然而到了193nm光刻,受其影响的掩膜版高达20%左右,雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题。KLA-Tencor掩膜检查部门的高级技术市场经理Kaustuve Bhattacharyya解释说:"由于光刻波长变短,每个光子携带的能量更大,所以发生光化学反应的几率大为增加。"     

掩膜版寿命受到雾状缺陷的限制1

雾状缺陷（Haze defect）是残留在掩膜版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248nm时．这类缺陷尚不会引起太大的问题，大约只影响到5％的掩膜版。然而到了193nm光刻．受其影响的掩膜版高达20％左右，雾状缺陷已成为光刻业界的一个严重问题。KLA-Tencor掩膜检查部门的高级技术市场经理Kaustuve Bhattacharyya解释说：“由于光刻波长变短．每个光子携带的能量更大。所以发生光化学反应的几率大为增加。”     

反转光刻对分辨率增强技术的新威胁

当Luminescent Technologies公司在2005年的光掩膜技术会议上首次向半导体业界展示其独特的光刻增强产品时,与会人士提出了许多关于可制造性的问题。当时,大约在一年半以前,     

掩膜版线状mura的控制方法

在分析掩膜版出现线状mura主要是由于图形关键尺寸(critical dimension,CD)精度周期性波动的基础上,深入分析了光刻设备的曝光原理以及掩膜版光刻过程,得出导致掩膜版图形CD精度周期波动的因素,主要是扫描带(scanstrip)与扫描带之间重叠区域(overlap)的能量与扫描带内的能量差异所致。基于此,给出了几种可以减弱掩膜版线状mura现象的方法,并深入分析了每种方法适用的情景及限制条件,从而可以根据具体的光刻图形,来选取合适的线状mura控制方法,以期在最大程度上减少掩膜版线状mura的问题。     

先进掩膜帮助延长光学光刻的寿命

作为光刻技术的“替罪羊”，光刻掩膜版已成为光成像途径中越来越重要的一部分。随着改善的光学邻近修正（OPC）和其它分辨率增强技术（RET）的发展——包括双重图形技术的前影--掩膜版将会是保持光学光刻在商业上的地位的关键。     

2013年全球光刻掩膜板市场将达33．5亿美元规模

SEMI最新研究报告显示,2011年全球半导体光刻掩膜板市场达到了31．2亿美元规模,预估2013年这一数字可达33．5亿美元。继2010年达到高峰以后,光刻掩膜板市场2011年再次增长了3％,     

用多光子光刻制作65nm聚合物结构

常规光刻方法通过利用电路设计每一层的掩膜版来进行曝光和显影．从而形成图案。佐治亚理工学院（GeorgiaInstitute of Technology）的研究人员正在研究一种多光子光刻技术，不再需要掩膜版就可以制作出65nm的三维聚合物线条结构。     

绘图品质媲美电子束绘图机Micronic超越镭射绘图精度极限

现代科技一路向前急驰,带给人们更多超越想象的享受与便利之外,也在半导体制造厂商的头上高悬了一把达摩克利斯之剑.电子产品轻薄小巧的趋势以及价格竞争的压力推动半导体制程朝向纳米时代迈进,目前90纳米尚未全面普及应用,已有厂商试水65纳米、甚至更尖端的45纳米.芯片制造犹如拓印,故而线宽的尺寸又跟掩膜版的精度息息相关,可以说图形精准的掩膜版是半导体制程微细化需要攻克的第一道难题.作为专业镭射图形描绘机的厂商,Micronic致力于提供贴合半导体制程前进步伐的绘图机台,帮助客户获得高精度的掩膜版.     

相移掩膜应用于显示技术光刻细线化的初步研究

对基于不改造应用于显示技术的曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,两种相位移掩膜和传统掩膜下4μm/2μm等间隔线的光强分布。并根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后实际比较测量了两种相位移掩膜在相同条件下各自曝光剂量范围和切面微观图。实验结果表明:自准直式边缘相移掩膜相比无铬相移掩膜在产能和良率方面更有优势。自准直式边缘相移掩膜更适合显示技术光刻细线化量产使用。     

应用于数字光刻机的DMD数据处理及控制系统

无掩膜数字光刻机已在PCB光刻及半导体光刻领域逐渐开始应用,相比传统掩膜式光刻机,可缩减光刻流程,节省光刻成本,使光刻数据在线实时调整变得更为简单。而DMD（数字微镜器件）目前作为数字光刻机常用的一种SLM（空间光调制）图形发生器,对其所需要进行的数据处理及控制较为关键。会直接关系到数字光刻机的曝光效率和产能。文章从DMD的驱动控制原理,探讨研究DMD在数字光刻机中的数据处理和控制流程、方法,实现较高的设备光刻效率。     

基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的相移掩膜光刻技术研究

首次在国内开展基于101.6mm(4英寸)砷化镓晶圆的0.13μm相移掩膜光刻工艺研究。通过与传统的二进制掩膜技术比较,分析讨论了相移掩膜技术提高光刻系统分辨率以及改善光刻形貌的原理。通过光刻仿真软件模拟相移掩膜和二进制掩膜工艺,结果表明相移掩膜工艺对应的光学成像质量明显优于二进制掩膜工艺。进一步的实验表明,相移掩膜的曝光范围要高于二进制掩膜,同时相移掩膜工艺的线宽均匀性以及光刻剖面形貌也是要优于二进制掩膜。通过以上的研究,表明相移掩膜技术可以提高光刻系统分辨率以及改善光刻形貌。     

准分子激光在微光刻技术中的应用

<正>IBM公司研究人员于1982年首先将准分子激光技术应用在半导体光刻工艺中。此后,逐步商品化的准分子激光技术成功的用在接触式光刻和掩膜制造工艺中。但其最终目标是将这一技术用于分步投影光刻机中,因为它是当前半导体器件制造的关键设备。自从1986年AT&T贝尔实验室报导了他们研制的世界上第一台准分子激光分步投影光刻机之后,许多实验室及光刻机制造厂商开展了这个项目的研究工作。一些厂商开始接受用户订单。准分子激光用于分步投影光刻技术的前景看来是光明的。     

国际新闻

8月份北美半导体设备市场销售依旧低迷;七月份全球半导体销售成长7．7％;NEC加入IBM32纳米芯片联盟;IBM、Mentor和Toppan共同开发22纳米光源-掩膜版优化;道康宁通过制造工艺缩减太阳能电力成本。     

高分辨率SiNx纳米压印模板的快速制备工艺

纳米压印技术是近年来国际新兴的纳米光刻技术,具有高分辨率、高效率和低成本等优点。本文结合电子束光刻技术和干法刻蚀技术开发了简洁的纳米压印SiNx光栅模板制造工艺。为提高工艺效率,引进高灵敏度的化学放大胶NEB-22胶（负性胶）作为电子光刻胶,用电子束光刻技术在NEB-22上刻出光栅图形,再利用其作为掩膜,经反应离子刻蚀后,将光栅图形转移到氮化硅上,得到所需模板。文中详细研究了NEB-22胶的电子束光刻特性及其干法刻蚀特性,指出了它作为电子束光刻胶的优点及它相对于铬掩膜而言作为干法刻蚀掩膜的不足。