Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究

采用LBL(1aYer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜。即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜,然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜,最后进行退火处理得到厚度约为960nm的CuzSnS3薄膜。探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性。制备的薄膜为多晶(Cu2SnS3)72z(三斜或假单斜晶系)结构,其直接光学带隙约为1．05eV。     

Cu2SnS3薄膜的制备及性能研究

采用LBL(layer-by-layer)法制备了Cu2SnS3薄膜.即首先采用电化学方法在SnO2衬底上制备SnS薄膜,然后又在其上用化学沉积法制备CuS薄膜,最后进行退火处理得到厚度约为960 nm的Cu2SnS3薄膜.探讨了薄膜的制备机理、生长速度、结构和光学特性.制备的薄膜为多晶(Cu2SnS3)72z(三斜或假单斜晶系)结构,其直接光学带隙约为1.05 eV.     

电沉积法制备CoS薄膜

采用电沉积法在SnO2透明导电玻璃上制备CoS薄膜，电沉积液为CoCl2、Na2S2O3和EDTA的混合溶液。探讨了利用电化学法实现CoS阴极式共沉积的机理，并研究了制备条件对薄膜结构特性和光学特性的影响，制备的薄膜为多晶的γ-Co6S5结构，属于立方晶系，直接光学带隙在1.09-1.49eV之间可调。     

脉冲法电沉积SnS∶Ag薄膜

用脉冲电沉积技术,在ITO玻璃基片上制备了SnS∶Ag薄膜. 用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）观察了薄膜的物相结构和表面形貌,结果表明SnS∶Ag薄膜出现了新物相Ag8SnS6,结晶度好,颗粒度大. 用光电流测试研究了其导电性能,表明SnS∶Ag薄膜是p型半导体材料. 霍尔测量表明掺杂后载流子浓度增大,电阻率降低.     

光电薄膜SnS的制备及其性能

在溶液的pH=2.7,离子浓度比Sn2+/S2O2－3=1/5和电流密度J=3.0mA／cm2的条件下,用阴极恒电流沉积法在ITO导电玻璃基片上制备出了Sn0.995S1.005膜层,并用扫描电镜观察了该薄膜的表面形貌，发现其颗粒较均匀，粒径大小在200～800nm之间．用X射线衍射分析了其物相结构，表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜．通过测量薄膜样品的透射光谱和反射光谱，计算得到其直接禁带宽度Eg=1.23eV．用四探针法测得其导电类型为p型，电阻率为7.5Ω·cm.     

真空蒸发法制备SnS薄膜及其光电性能研究

采用真空蒸发法,在载玻片上制备了SnS薄膜。分析表明,此法制备的SnS薄膜的导电类型为p型,在(111)晶面上有很强的择优取向;其晶粒呈棒状,平均长度约为0.2~0.3μm,薄膜中的S与Sn原子非常接近化学计量比,在吸收边附近薄膜的吸收系数约为105cm-1,光学能隙Eg约为1.35 eV,电阻率约为240Ω.cm,比其它方法制备的SnS薄膜,其在光学与电学性能上有较大的改善,更适合做薄膜太阳能电池的吸收层。成功制备出了ITO/p-SnS/n-Si/Ag结构的太阳电池,其光电转换效率达0.71%。     

高度择优取向(111)PbTiO3薄膜的制备及光学特性

单一取向铁电薄膜是大家长期以来研究的目标之一，文中采用组合靶射频溅射在白宝石（α-Al2O3)衬底上制备出具有较好的（111）择优取向的PbTiO3薄膜。从薄膜的光学射射谱计算所得的折射率和波长的关系能够较好地符合单振子模型，由此得出了薄膜在400－2400nm区域的折射率变化，在长波极限时薄膜的折射率为2．51。     

SnS光电薄膜及其太阳电池的研究进展

近年来化合物薄膜太阳电池得到迅猛的发展。SnS光电薄膜的禁带宽度与太阳光谱非常匹配,并且具有较高的吸收系数,所以它是一种理想的太阳电池材料。制备SnS光电薄膜的方法有电沉积法、热蒸发法、化学浴法、连续离子吸附沉积法、喷雾热解法和两步法等。不仅概述了不同掺杂元素以及掺杂浓度对SnS薄膜性能的影响,同时还讨论了目前国内外SnS薄膜太阳电池的研究状况,分析了当前SnS薄膜太阳电池效率偏低的原因。最后对SnS薄膜太阳电池的发展趋势与前景作了一些探讨。     

化学溶液法制备PbZr0.5Ti0.5O3／La0.5Sr0.5CoO3铁电多层薄膜的结构和光学性质研究

采用金属有机化学液相沉积法在Si衬底上制备了La0.Sr0.5CoO3(LSCO)导电金属氧化物薄膜，采用溶胶－凝胶法在LSCO导电金属氧化物薄膜上沉积了PbZr0.5Ti0.5O3（PZT）铁电薄膜，X－射线测量结果表明在700℃的退火温度下制备的PZT／LSCO铁电多层薄膜呈（110）取向的钙钛矿结构，谢乐公式估算铁电薄膜的晶粒尺寸为50－80nm，原子力显微镜观察结果显示：薄膜表面平整，均方根粗糙度（RMS）小于5nm，用拉曼光谱测量表明PZT薄膜呈拉曼活性，椭圆偏振光谱仪用来表征薄膜在400－1700nm波长范围的光学性质，用洛仑兹模型来描述PZT和LSCO薄膜的光学性质，获得PZT和LSCO薄膜的折射率，消光系数等光学常数谱。     

Fe（1—x）CoxSi2薄膜的光学性质实验研究

用反应沉积法（RDE）制备了一系列铁钴硅化物好Fe(1-x)CoxSi2薄膜,样品中掺杂的Co含量由卢瑟福背散射（RBS）确定。本文研究了样品的光学性质：室温下在0．26－4．80eV的光子能量范围内,用椭圆偏振光谱仪测量了样品的复介电函数谱。实验发现,Fe(1-x)CoxSi2薄膜的介电函数强烈地依赖于薄膜的状态:a)对于β的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱在红外低能区呈现出干涉峰,对应于半导体态;b）对于同时存在β相和∑相的混合相Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出半导体和金属的混合态特征;c)对于∑的Fe(1-x)CoxSi2样品,其介电函数谱呈现出明显的金属态特征。XRD实验结果表明,样品介电函数谱的差异来源于薄膜中不同的Fe-Si相,而与样品中掺Co量的多少并无一定关系。     

晶向对SnO2:F透明导电玻璃特性的影响

本文利用超声喷雾法制备了SnO2:F透明导电薄膜,snCl4·5H2O与NH4F分别用作锡源与氟掺杂,玻璃衬底温度控制在360℃.X射线衍射仪、扫描电镜、紫外可见分光光度计与四探针仪分别用于表征样品的晶体结构、表面形貌、透光率与面电阻.研究结果表明:超声喷雾沉积的SnO2:F薄膜主要为四方晶系的多晶薄膜,并且随着沉积条件的改变,在(110)、(220)晶向出现不同程度的择优取向,其中在(200)晶向上择优取向生长的薄膜面电阻明显低于(110)晶向,最低可达到5 Ω/□,所有样品透光率都较高,在450～1000 nm范围内的平均透光率可达到80～90%.     

Low temperature SnO2 films deposited by APCVD

SnO₂ films were deposited by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) on glass substrates using tin tetrachloride as the tin precursor, H₂O vapor and O₃–O₂ as oxidizing agents and O₃–O₂ with HF as the fluorine dopant source. The deposition temperatures varied from 200 to 350 °C. It is shown that the deposition temperature and the oxidizing agent used are related with the structure, optical transmission percent, and resistivities of the films. Finally, films with good transmission percent between 85% and 90% in the visible spectrum and lower resistivities ranged from 0.1 to 0.02 Ω cm are obtained.     

（英）硫代硫酸钠浓度对电沉积制备铜锌锡硫硒薄膜性质的影响

采用后硒化Cu-Zn-Sn-S电沉积预制层的方法制备了铜锌锡硫硒薄膜,其中Cu-Zn-Sn-S预制层是通过含有不同浓度的硫代硫酸钠电解液电沉积而成的.实验发现,硒化前后薄膜的性质与硫代硫酸钠浓度密切相关.SEM,EDS,XRD,Raman和透射光谱分析表明,当硫代硫酸钠的浓度为5 mM时,沉积的薄膜形貌平整,晶粒明显,组分贫锌,具有单一的铜锌锡硫硒结构,且其带隙为1.11 eV; 在浓度高于5 mM下沉积的薄膜形貌粗糙并产生杂相硒化锡; 在浓度低于5 mM下沉积的薄膜组分严重贫锌并生成大量的Cu2SnSe3.     

Effect of deposition conditions on the physical properties of Sn_xS_y thin films prepared by the spray pyrolysis technique

Tin sulfide thin films（Sn_xS_y） with an atomic ratio of y/x = 0.5 have been deposited on a glass substrate by spray pyrolysis.The effects of deposition parameters,such as spray solution rate（R）,substrate temperature （T_s） and film thickness（t）,on the structural,optical,thermo-electrical and photoconductivity related properties of the films have been studied.The precursor solution was prepared by dissolving tin chloride（SnCl₄,5H₂O） and thiourea in propanol,and Sn_xS_y thin film was prepared with a mole ratio of y/x = 0.5.The prepared films were characterized by X-ray diffraction（XRD）,scanning electron microscopy（SEM） and UV-vis spectroscopy. It is indicated that the XRD patterns of Sn_xS_y films have amorphous and polycrystalline structures and the size of the grains has been changed from 7 to 16 nm.The optical gap of Sn_xS_y thin films is determined to be about 2.41 to 3.08 eV by a plot of the variation of（αhv）² versus hv related to the change of deposition conditions.The thermoelectric and photo-conductivity measurement results for the films show that these properties are depend considerably on the deposition parameters.     

喷雾热解法制备掺氟的氧化锡透明导电膜

采用喷雾热分解的方法,在片状日用玻璃基材和石英玻璃基材上制得了掺氟氧化锡透明导电薄膜。研究了F 的掺杂量、成膜温度和沉积时间对薄膜方阻 R□和在可见光范围内的平均透过率 T 的影响。实验结果表明,当 NH4F的掺杂量为 SnCl_4·5H_2O 的 32%(质量分数)、成膜温度为 450℃、沉积时间为 15 s 时,可使所得薄膜的方阻 R_□最低,为 10Ω/□,可见光范围内的平均透过率为 80%。     

ZnO纳米棒/薄膜结构的电沉积制备及性能

以阳离子表面活性剂——十六烷三甲基氯化铵(CTAC)作为添加剂,采用电沉积法在氧化铟锡玻璃基板上制备了ZnO薄膜。并研究了CTAC含量对阴极电流密度、结构、表面形貌、化学态和光学性能的影响。实验发现阴极电流密度和(002)择优取向随CTAC含量的增加而增加。电沉积氧化锌薄膜的表面形貌随CTAC含量的增加由小晶粒变为纳米棒,这表明CTAC在控制表面形貌方面有很重要的作用。X-射线光电子能谱表明Zn2p3/2,Zn2p1/2,O1s的峰位分别为1020.78eV、1046.88eV和530.8eV。CTAC对电沉积的影响可能是由于CTAC的吸附作用改变了不同晶面的表面能和生长动力学。此外,研究了ZnO薄膜的光学性能,结果表明当CTAC含量为3.0mmol/L时,薄膜具有较好的透光性和紫外发射性能。添加不同含量CTAC的ZnO薄膜禁带宽度介于3.27～3.52eV。     

SnS薄膜的制备及其特性研究

以硫代乙酰胺、三乙醇胺、氯化亚锡和氨水作反应物,氯化铵作缓冲剂,采用化学浴法在玻璃衬底上沉积SnS薄膜。用XRD,SEM等手段分别对薄膜样品的晶体结构及表面形貌进行了表征。XRD分析结果表明薄膜样品为具有斜方晶体结构的多晶SnS薄膜,SEM测量结果显示薄膜晶粒尺寸为数十纳米。此外,本文还简要分析了氯化铵在反应中的作用。     

电子束蒸发沉积Ta2O5光学薄膜的研究

通过正交实验,以Ta2O5为初始膜料,采用离子源辅助电子束蒸发技术制备了Ta2O5光学薄膜。透射光谱显示,所制备的Ta2O5光学薄膜具有较高的透射率,极值点透射率约为93%,接近K9玻璃基片的透射率。极差分析表明,基片温度和离子源氧气流量是影响薄膜透射率的两个主要因素,而沉积速率的影响很小。分析了各制备参数对Ta2O5薄膜光学性能的影响,得到了采用离子源辅助电子束蒸发制备Ta2O5光学薄膜的最佳工艺参数。     

Zn0.8Na0.1Co0.1O薄膜的制备及衬底温度对其影响

采用脉冲激光沉积(PLD)技术.在温度为400、500和600℃的SiO2衬底上成功制备出Zn0.8Nao.1Co0.1O薄膜.用x射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、荧光光谱仪、四探针电阻率测试台等对薄膜的结构、表面形貌和光电性质进行了表征,讨论了不同衬底温度对薄膜结构、光学和电学性质的影响.结果表明:掺杂没...     

以低价态钛氧化物制备TiO2薄膜研究

试验以Ti2O3,Ti3O5和TiO2作为初始膜料,在ZZS700-6/G型真空镀膜机上采用O2-离子束辅助蒸发制备氧化钛薄膜.用XRD检测方法确定各种膜料和薄膜的相成分,并全面地分析了各种膜料的蒸发特性和薄膜;用分光光度计测量薄膜的透射率,并分析薄膜的光学性能.试验表明,在采用Ti2O3,Ti3O5和TiO2作为蒸发制备氧化钛薄膜时,钛的氧化物中存在Ti3O5固态同一蒸发相;各种膜料在蒸发时,发生分解,熔池中的物质成分逐渐转变成同一蒸发相成分,最终完全转变成同一蒸发相.