红外CCD多路传输器的研制

成功地研制了八元线阵红外ＣＣＤ多路传输器，该器件为三相结构，采用进沟和三层多晶技术。器件动态范围≥４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％，非均匀性±５％，信号输出幅度≥８００ｍＶ，每个输出信号时间为９６．６μｓ，驱动电压±１５Ｖ。     

红外CCD多路传输器的研制

成功地研制了八元线阵红外ＣＣＤ多路传输器。该器件为三相结构，采用埋沟和三层多晶硅技术。器件动态范围≥４５ｄＢ，转移效率≥９９．９９％，非均匀性±５％，信号输出幅度≥８００ｍＶ，每个输出信号时间为９６．６μｓ，驱动电压±１５Ｖ。     

硅CCD多路传输器的研制

成功研制的４０元硅ＣＣＤ多路传输器，为三相结构，采用埋沟和三层多晶硅技术。器件动态范围≥４５ｄＢ；转移效率≥９９．９９５％，非均匀性±３％，信号输出幅度≥８００ｍＶ，驱动电压±１５Ｖ。     

600×500元帧转移CCD摄像器件

采用三相帧转移结构研制了６００（Ｖ）×５００（Ｈ）元ＣＣＤ摄像器件。像元尺寸为２４μｍ×２４μｍ。制作该器件采用了三层多晶硅交迭栅和一层铝布线技术，同时采用了ｎ型埋沟技术。器件的转移效率为９９．９９５％，水平极限分辨率为３５０ＴＶ线，动态范围是５２ｄＢ。器件以标准帧速工作，时钟频率１０ＭＨｚ。文章介绍了该器件的设计和研制。     

MACH5系列新一代高密度可编程逻辑器件

ＡＭＤ公司的第五代高密度可编程逻辑器件ＭＡＣＨ５系列产品，采用先进的０．５　ｍ～０．２５μｍＥＥＣ－ＭＯＳ工艺，是目前最先进的高密度、高性能、低功耗、电可擦除ＣＭＯＳＣＰＬＤ。ＭＡＣＨ５系列器件可广泛地应用于计算机、网络产品、程控交换机、通信产品及仪器仪表等各个领域。本文拟就三个方面介绍ＭＡＣＨ５系列器件的性能特点和开发过程。一、ＭＡＣＨ５系列器件的结构特点与ＭＡＣＨ１～４系列器件相比，ＭＡＣＨ５在结构上有了较大的改进，采用所谓“层次”的结构设备，结构示于图ＭＡＣＨ器件在结构上的共同特点是ＰＡＬ…     

CMT器件芯片同步辐射形貌相的计算机图象处理系统

ＣＭＴ器件芯片同步辐射形貌相的计算机图象处理系统姚英，梁宏林，蔡毅（昆明物理研究所昆明６５０２２３）蔡毅（中国科学院红外物理国家实验室上海２０００８３）对器件尺寸的ＣＭＴ材料Ｘ射线形貌、ＨＡＬＬ参数和器件性能的研究表明，ＣＭＴ器件的性能和材料中的结构...     

凝视PtSi红外焦平面列阵的结构和性能

ＰｔＳｉ红外焦平面列阵的结构设计，必须有利于提高器件的性能参数。ＩＴＣＣＤ（内线转移电荷耦合器件）是迄今ＰｔＳｉ ＦＰＡ用得最多的读出结构，采用隔行扫描特点，对小象元尺寸，填充系数很难提高。而缩小象元尺寸，增大填充系数是大型凝视ＰｔＳｉ ＦＰＡ的发展方向和必由之路，为此，近年来国外采用了一些新的器件结构，如ＣＳＰ、ＬＡＣＡ、ＭＯＳ、ＤＳＩ、硅圆柱透镜列阵、混合式结构等，研制成了高性能的大型凝视Ｐｔ     

4096位线阵CCPD摄像器件

采用双线型三相埋沟结构，设计并研制成功４０９６位线阵ＣＣＰＤ摄像器件。器件动态范围达６００：１，暗电流密度为１０ｎＡ／ｃｍ￣２。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。     

SiC 半导体材料与器件（1）

本文介绍了半导体ＳｉＣ材料的结构和特性、材料制备及器件研制的进展，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调指出ＳｉＣ做为一种接近实用的高温、高频、高功率和抗辐射器件材料的优越性，同时亦指出ＳｉＣ器件进一步实用化所需解决的问题及应用前景。     

8800X电源／驱动集成电路功能剖析（上）

本文是根据摩托罗拉公司８８００Ｘ手机的电源／驱动电路（９９Ｔ０４－ＣＡＲ）出脚功能，结合ＴＡＣＳ规范要求，对其内部结构进行功能分析，并给出功能结构框图。     

SiC半导体材料与器件

阐述了ＳｉＣ材料的结构和性质，系统介绍了相关制备、器件制作的进展，并将ＳｉＣ与Ｓｉ，ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调了ＳｉＣ做为一种接近实用的功率器件材料的优越性，同时指出了为进一步实用化所需解决的问题。     

具有跳耦结构的电流模式低通滤波器设计

本文讨论了电流模式ＲＣ梯形结构滤波器的一种有源实现方法－－跳耦法，以此实现的电流模式低通滤波器采用ＣＣⅡ，ＣＣⅠ器件做为有源器件，比相应 电压模式电路结构简单，且ＲＣ元件全部接地。这种跳耦结构和梯形结构一样具有低的元件灵敏度。     

756×581元CCD摄像器件

成功地研制了７５６×（Ｈ）×５８１（Ｖ）元内线转移ＣＣＤ摄像器件。该器件采用三相结构，埋沟和四层多晶硅技术，文章详细介绍了该器件的工作原理，设计考虑和制作技术。     

1-3μm硼注入碲镉汞光伏器件的C-V禾G-V特性研究

利用自制的阻抗测量系统研究了碲镉汞光伏器件的Ｃ－Ｖ和Ｇ－Ｖ特性．实验结果表明：器件有着复杂的内在结构，可能是ｎｐｎ＋三层结构中的ｐｎ＋结起主导作用．此外，所有器件的Ｃ－Ｖ特性都表现出相似的反常特性，室温下这种效应比低温下更为明显．     

GaAlAs／GaAs欧量子阱增益耦合型DFB激光器电吸收型调制器单片光子…

我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源，为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构，本理论上分析了新型器件的可行性，优化设计了器件结构，在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件，器件电流为３５ｍＡ。     

短沟道CMOS／SOI器件加固技术研究

通过大量辐照实验分析了采用不同工艺和不同器件结构的薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗辐照特性，重点分析了Ｈ２－Ｏ２合成氧化和低温干氧氧化形成的薄栅氧化层、ＣｏＳｉ２／多晶硅复合栅和多晶硅栅以及环形栅和条形栅对ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件辐照特性的影响，最后得到了薄膜短沟道ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ器件的抗核加固方案．     

碲镉汞光导器件的交叠结构与性能

光数载流子扫出效应是限制碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）光导器件性能提高的重要因素之一。交叠结构的光导器件能有效地消除少数载流子扫出效应，就结构的尺寸问题，进行了理论分析和实验，实验结果与理论符合，器件呼应率有较大的提高。     

彩色交流等离子体显示器件设计

本文从交流等离子体显示器件（ＡＣＰＤＰ）的容性结构入手，研究了各种交流等离子体显示器件的结构以及如何提高显示器件的寿命、发光亮度和发光效率，减小发光象元之间的相互影响、减小光串扰、减小驱动电流，并提供了设计交流等离子体显示器件的参考方法。     

发展中的BiCMOS技术

集ＣＭＯＳ与双极器件之优点于一体的ＢｉＣＭＯＳ，将逐渐成为９０年代ＵＬＳＩ的主流技术。本文从工艺、器件结构和兼容设计等不同侧面，阐述了ＢｉＣＭＯＳ技术所具有的突出特点及其典型应用，同时还介绍了最新发展的低温ＢｉＣＭＯＳ技术和面临的关键问题。     

一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用

本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──ＩＯＣＡＤ，该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术，具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点，只要分析参数适当，ＩＯＣＡＤ具有足够精度．ＩＯＣＡＤ可对满足ＢＰＭ适用条件的多种折射率分布的任何结构的波导器件进行模拟分析．本文同时给出几个模拟实例．