AlN陶瓷中的晶界第二相

晶界第二相是ＡＩＮ陶瓷显微结构的重要组成部分，对ＡＩＮ陶瓷的热导率有重大的影响。本工作研究了以Ｙ＿２Ｏ＿３为烧结助剂的无压烧结ＡＩＮ陶瓷中，晶界第二相的组成、含量及其分布，结果表明：晶界第二相的组成主要取决于配料中的Ｙ＿２Ｏ＿３／Ａｌ＿２Ｏ＿３比值，同时也受工艺因素影响；随着Ｙ＿２Ｏ＿３加入量增多，晶界第二相含量呈线性增加，其分布也变成从三个晶粒连接处延伸到所有晶界。还讨论了晶界第二相对热导率的影响。认为只要ＡＩＮ晶格完整无缺，ＡＩＮ相保持连通，即使存在少量的Ｙ＿４Ａｌ＿２Ｏ＿９和／或Ｙ＿２Ｏ＿３第二相材料，预期仍可获得高的热导率。     

A1N陶瓷的晶界缺陷

本文研究以Ｙ２Ｏ３为烧结助剂的无压烧结Ａ１Ｎ陶瓷中，晶界第二相和气孔等晶界缺陷对热导率的影响。结果表明，Ａ１Ｎ陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料中的Ｙ２Ｏ３／Ａｌ２Ｏ３比值，同时也受工艺因素影响，随着Ｙ２Ｏ３加入量增多，晶界第二相含量线性增加，其分布也从三晶连接外延伸到所有晶界。     

A1N陶瓷的晶界缺陷

本文研究以Ｙ２Ｏ３为烧结助剂的无压烧结Ａ１Ｎ陶瓷中，晶界第二相和气孔等晶界缺陷对热导率的影响，结果表明Ａ１Ｎ陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料中的Ｙ２Ｏ３／Ａｌｋ２Ｏ３比值，同时也受工艺因素的影响。     

B_2O_3－Y_2O_3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响

研究了以Ｂ_２Ｏ_３－Ｙ_２Ｏ_３作为助烧结剂的ＡｌＮ陶瓷的烧结特性及显微结构。结果表明，晶界处存在ＹＡｌＯ_３，Ｙ_４Ａｌ_２Ｏ_９及Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_（１２）等各种铝酸钇结晶物，Ｂ_２Ｏ_３可固溶到铝酸钇中形成固溶体。随烧结温度变化，第二相的种类、数量和分布不同，从而影响ＡｌＮ的热导率。在１８５０℃下，可获得热导率为１８９Ｗ／ｍ·Ｋ的ＡｌＮ陶瓷。     

添加剂对AIN陶瓷力学性能及抗氧化性能的影响

本文研究了Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３＋ＳｉＯ２几种类型的添加剂对ＡＩＮ陶瓷力学性能和高温抗氧化性能的影响。结果表明：Ｙ２Ｏ３＋ＳｉＯ２为一种较好的ＡＩＮ陶瓷添加剂，材料在烧结过程中由于２Ｈ＾５Ｓｉａｌｏｎ及８Ｈ－Ｓｉａｌｏｎ等纤维状的Ｓｉａｌｏｎ相形成，对材料起到一种自补强作用，ＳｉＯ２的存在使用ＡＩＮ陶瓷在氧化工程中形成Ｍｕｌｌｉｔｅ保护层，故使ＡＩＮ陶瓷肯有良好的力学性能及高温     

A1N陶瓷在含氟里昂气氛中的热处理

无压烧结Ａ１Ｎ陶瓷在含氟里昂气氛中热处理，可以有效地减少晶界相含量，提高晶界相含量，提高晶界相中的Ｙ／Ａｌ比，晶界相中的这些变化对提高热导率有利，但热处理试样体积密度降低，气孔率增高，对热导率提高不利。探讨了进一步改进的措施。     

热处理对A1N陶瓷晶界相的影响

以Y_2O_3为烧结助剂的无压烧结AlN陶瓷,在碳还原气氛下热处理能有效地排除AlN陶瓷中的晶界相,改变晶界第二相的组成与分布,从而提高AlN陶瓷的热导率,但热处理后致密度的降低限制了热处理对热导率的改善效果。探讨了热处理对晶界第二相的影响机理,认为晶界相的还原氮化反应和高温挥发作用是热处理过程影响晶界相的主要机理。     

Al2O3添加量对Y—TZP陶瓷烧结及力学性能的影响

研究了Ａｌ２Ｏ３添加量对Ｙ－ＴＺＰ陶瓷烧结及力学性能的影响，结果表明，微量Ａｌ２Ｏ３可固溶于ＺｒＯ２中而提高材料致密度，使Ｙ－ＴＺＰ的强度、耐磨性等力学性能也同时得到提高，过量Ａｌ２Ｏ３处ＺｒＯ２晶界上阻碍致密化，２０ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３，１５５０℃，４ｈ未能烧结，使各项力学性能明显下降。     

B2O3—Y2O3添加剂对AlN陶瓷显微结构及性能的影响

研究了以Ｂ２Ｏ３－Ｙ２Ｏ３作为助烧结剂的ＡｌＮ陶瓷的烧结特性及显微结构。结果表明，晶界处存在ＹＡｌＯ３，Ｙ４Ａｌ２Ｏ３及Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２等各种铝酸钇结晶物，Ｂ２Ｏ３可固溶到铝酸钇中形成固溶体。     

稀土氧化物在Al2O3透明陶瓷晶界浓度分布的非平衡态热力学分析

采用高纯Ａｌ２Ｏ３超细粉末,烧制成掺杂稀土氧化物的Ａｌ２Ｏ３透明陶瓷。以ＥＰＭＡ法观测透明陶瓷晶界处的化学组成及稀土氧化物的定态浓度分布,用非平衡态热力不理论分析晶界偏析行为,研究发现,添加物在Ａｌ２Ｏ３透明陶瓷晶界的浓度分布为非平衡态和学组成分布,ＭｇＯ,Ｌａ２Ｏ３,Ｙ２Ｏ３富集于晶界,符合定态耦合模型。     

粒子弥散强化氮化硅基陶瓷

运用晶界工程理论，选择能形成高耐炎度晶界相的Ｙ２Ｏ３和Ｌａ２Ｏ３双稀土氧化物为Ｓｉ３Ｎ４陶瓷烧结助剂，材料具有优异的高温强度。第二相碳化硅粒子的引入有效地改善了氮化陶瓷的显微结构和力学性能。以无压烧结工艺制备的高性能α／β－Ｓｉａｌｏｎ复相陶瘊等在实际应用中获得良好效果。     

AIN在SiC—AIN—Y2O3复相陶瓷中的作用

氮化铝相在ＳｉＣ－ＡＩＮ－Ｙ２Ｏ３复相陶瓷中起着至关重要的作用。在２０５０℃高温时，ＡＩＮ颗粒表面发生固相蒸发现象，并聚集到ＳｉＣ颗粒周围最终形成固溶体，改善了ＳｉＣ颗粒周围最终形成固溶体，改善了ＳｉＣ陶瓷的晶界结构，使该复相材料具有良好的机械性能，其室温抗折强度为６１０ＭＰａ，这一强度可持续至１４００℃高温，断裂韧性达到８．１ＭＰａ．ｍ＾１／２。     

AlN陶瓷的晶界缺陷

本文研究以Y2O3为烧结助划的无压烧结A1N陶瓷中，晶界第二相和气孔等晶界缺陷对然导率的影响，结果表明A1N陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料中的Y2O3／Al2O3比值，同时也受工艺因素的影咱，随著Y2O3加入量增多，晶界第二相含量线性增加，其分布也从三晶连接外延伸到所有晶界，晶界第二相的形成有助于把氧杂质固结在晶界外、使晶格缺陷减少，热导率提高，但含量达多合阻所A1N晶粒连通，使然平率降低，在接近完全致密的情况下，气孔率对热导率无明显的影响。     

液相烧结SiC陶瓷

采用Ｙ２Ｏ３,Ａｌ２Ｏ３为烧结助剂,研究了烧结助剂的含量及组成对ＳｉＣ陶瓷的烧结性和力学性能的影响。结果表明,Ｙ２Ｏ３,Ａｌ２Ｏ３原位形成了ＹＡＧ,材料以液相烧结机制致密化,与传统的固相烧结相比,液相烧结使ＳｉＣ陶瓷性能显著提高,在较佳条件下,材料强度和韧性分别达到７０７ＭＰａ,１０．７ＭＰａ·ｍ＾１／２,显微结构观察表明,裂纹偏转和微裂纹为主要的增韧机理,这与其弱的界面结合有关,而强度的提高则得     

Al2O3—AIN—TiC复合陶瓷的制备与微观结构

用反应烧结和气氛烧结技术制备Ａｌ２Ｏ３－ＡＩＮ－ＴｉＣ复合陶瓷，用ＸＲＤ，ＳＥＭ等测试手段进行了微观结构的研究，结果表明，用该技术制备的复相陶瓷含有纳米级的ＡＩＮ晶粒，从而使得在较低的烧结温度下可以制得比较致密的Ａｌ２Ｏ３－ＡＩＮ－ＴｉＣ复合陶瓷。     

纳米Al2O3-ZrO2(3Y)复相陶瓷的微波烧结

采用纳米Ａｌ２Ｏ３粉和纳米ＺｒＯ２（３Ｙ）粉为原料,对不同成分配比的Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２（３Ｙ）复相陶瓷进行了微波为烧结的研究。实验结果表明微波烧结可获得委肮的致密度,并提高断裂韧性,但晶粒长大倾身大于其它烧结方式;在Ａｌ２Ｏ３－ｚｒ２（３Ｙ）二元系中,随ＺｒＯ２（３Ｙ）含量啬,烧结时的致密化过程加速,且晶粒长大倾向减小。     

SiC_w一AlN复合材料工艺因素的研究

本文研究了工艺因素（烧结温度、添加剂组成和含量）对ＳｉＣ＿ｗ一ＡＩＮ复合材料的影响。结果表明：１８５０℃是较合适的复合材料烧结温度，复合材料力学性能与添加剂组成和含量有密切关系。Ｙ＿２Ｏ＿３与ＳｉＯ＿２在烧结中起的作用不同，Ｙ＿２Ｏ＿３与ＡＩＮ表面的Ａｌ＿２Ｏ＿３形成液相，是一种良好的烧结添加剂，而ＳｉＯ＿２由于与ＡＩＮ形成２７ＲＳｉａｌｏｎ多形体，反而阻碍材料致密化。在添加８ｗｔ％左右Ｙ＿２Ｏ＿３时。复合材料力学性能最佳，抗折强度σ５２０ＭＰａ，断裂韧性Ｋ＿（ｌｃ）＝４．９８ＭＰａ·ｍ￣（１／２）     

纳米级ZrO2（Y2O3）／Al2O3粉末的制备及其烧结性能

本文采用化学共沉淀凝胶法制备了２ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３－ＺｒＯ２－２０ｗｔ％Ａｌ２Ｏ３纳米级超细复合的陶瓷粉末，在常压下对该粉末进行了不同温度下的烧结试验，利用ＸＲＤ分析了粉末的相组成；用ＸＲＤ－ＢＬ法计算了粉晶尺寸，用ＴＥＭ研究了粉末的形貌，大小及其分布，用Ａｒｃｈｉｍｅｄｅｓ法测定了烧结体的体积密度，用ＳＥＭ观察测定了烧结体的显微结构，结果表明，该法制备的粉末尺寸分布范围窄，分散性好，粉体烧结活性高     

化学共沉淀法制备微晶PSZ陶瓷的显微结构与力学性能

采用化学共沉淀法制备ＺｒＯ２－ＭｇＯ－Ｙ２Ｏ３系和ＺｒＯ２－ＭｇＯ－Ｙ２Ｏ３系均匀超细活性粉末，经化学组成和显微结构设计，获得了固溶湿度小于等于１５５０℃且致密烧结的微晶ＰＳＺ复相陶瓷，其常温抗弯强度为７６６ＭＰａ，断裂韧性Ｋ１ｃ为１２．５ＭＰａ·ｍ＾１／２。研究了ＭｇＯ和Ａｌ２Ｏ３以及１１００℃热处理时间对材料显微结构、相组成和力学性能的影响。     

SiCw—AlN复合材料工艺因素的研究

本文了工艺因素对ＳｉＣｗ－ＡｌＮ复合材料的影响。结果表明，１８５０℃是较合适的复合材料烧结温度，复合材料力学性能与添加剂组成和含量有密切关系。Ｙ２Ｏ３与ＳｉＯ２在烧结中起的作用下不同，Ｙ２Ｏ３与ＡｌＮ表面的Ａｌ２Ｏ３形成液相，是一种良好的烧结添加剂，而ＳｉＯ２由于与ＡｌＮ形成２７ＲＳｉａｌｏｎ多形体，反而阻碍材料致密化。