皱纹外导体泡沫PE绝缘RF同轴电缆的衰减特性

衰减是射频(RF)同轴电缆最重要的传输特性.外导体皱纹深度及泡沫聚乙烯(PE)的介质损耗角正切tg δ是影响皱纹外导体泡沫PE绝缘同轴电缆衰减的主要因素.浅皱纹结构及净化介质材料是降低该电缆衰减值的有效途径.     

使用磁性材料改进各种类型电缆的屏蔽特性

本文提出了干扰电压通过转移阻抗而耦合入具有单一外导体、双外导体或三外导体同轴电缆的理论以及提出了在外导体之间使用磁性材料的问题。说明了各种电缆型号的测量出的转移阻抗。进而获得了电气长度短的同轴电缆之间的声音衰减,并提出了各种同轴电缆类型的测量出的串音衰减。测试进行到80兆赫,并且串音衰减测试的极限是180分贝。在10千赫至10兆赫的频段内,使用磁性材料改进屏蔽系数是明显的。讨论了在对称对的屏蔽中使用导电层及高导磁率带子的情况,并且说明了串音衰减测试的结果。最后讨论了在严重于扰电流之下的磁屏蔽同轴电缆的屏蔽性能,测试结果以在外导体中流过20……40安峰值脉冲电流时的试验来加以表达。     

3GHz宽带“八”字槽漏泄同轴电缆的设计及性能

3GHz宽带漏泄同轴电缆的设计要求是在3GHz宽带频率范围内所有使用频段都具有有效的传输距离（衰减）及良好的辐射特性（足够的耦合损耗及均匀的全向辐射场强图）。通过外导体“八”字槽孔结构参数的设计调整,研制出在3GHz所有的通信频率中均能使用,并具有优良性能的辐射型漏泄同轴电缆。     

VHF 频段漏泄同轴电缆埋地传感器研究

为了获得漏泄同轴电缆作为一种埋地探测传感器的电气特性,研究适用于周界入侵探测系统的漏泄同轴电缆,设计了一种外导体为八字形开槽的漏泄同轴电缆。基于漏泄同轴电缆的理论分析和相关行业标准,利用商业电磁仿真软件Ansoft HFSS,建立了用于计算漏泄同轴电缆传输衰减和耦合损耗等重要电气特性的电磁仿真模型,作为一种工作在VHF 频段的埋地传感器,利用实验数据分析其VHF 频段工作特性,建立了用于分析耦合损耗特性的埋地传感器系统模型,分析了结构尺寸参数对耦合特性的影响,进一步计算了漏泄同轴电缆的多个电气性能参数及其变化规律。仿真结果表明:在VHF 频段,槽口缝隙的长度、倾角会对埋设双缆的接收特性产生影响,槽口越长倾角越大则接收效率越高,作为传感器单元的LCX 对比实验表明仿真与实测的结果具有良好的一致性。     

SYWLY-75型物理高发泡聚乙烯绝缘电缆

产品概述 SYWLY-75系列物理高发泡聚乙烯绝缘、铝管外导体同轴电缆适用于CATV主干线工程，其内导体采用铜包铝，外导体采用铝管，两者具有相同的热膨胀系数和弹性模数，大大减少了由电缆内导线拉拔或弯曲所造成的故障。比采用铝带或编织丝加铝箔的电缆具有屏蔽性能好、衰减小、回波损耗性能好等优点，其产品参数已达到     

铜包铝线电缆在广电中的应用

通过对铜包铝线同轴电缆与铜导体同轴电缆的特性阻抗、低频电阻率、温度特性、衰减特性、回波损耗等性能参数的比较,论证了75Ω铜包铝线同轴电缆应用于有线电视网络、第一中频传输系统的工程可行性。     

C—F型物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆的衰减设计计算

介绍了在Ｃ－Ｆ型物理发泡聚乙烯绝缘同轴电缆的衰减设计计算中，如何合理选择等效介电常数εｒ，等效介质损耗角正切ｔｇδｒ、外导体的材料系数ｋρ等参数。     

静电屏蔽问题中的部分电容与电场耦合

本文以导体屏蔽壳、壳外导体、壳内导体及参考导体(大地)构成的4导体静电独立系统为例,详细分析了其电位系数、感应系数及部分电容的取值特性。结果表明,无论屏蔽壳体是否接地,壳外导体与壳内导体的互有部分电容均为零;屏蔽壳体不接地时,内外导体之间存在电场耦合;屏蔽壳体接地后,内外导体之间不存在电场耦合。     

接触电阻和扭距序列作用下CICC耦合损耗模型

国际热核试验反应堆ITER和国内今后要建造的聚变工程实验堆CFETR上的CICC导体，将运行在大电流快速励磁的瞬变复杂磁场中，这使得中心螺线CS磁体上的导体会遭受10T以上的磁场冲击，目前已采用铌三锡(Nb₃Sn)材料，但应变对Nb₃Sn导体临界性能退化作用的研究还在探索中，同时更缺乏导体绞缆级扭距序列和股线接触特性对耦合损耗影响的实验分析研究.为此，在周期载荷模拟应变情况下，开展了不同扭距序列和导体接触电阻对耦合损耗作用的探索.研究分析表明，相对于经典耦合损耗和频谱损耗计算模型，由导体扭距序列比和接触电阻作用组合分析模型，计算获得的耦合损耗误差较小，与测试值最接近.结果显示采用扭距序列比和接触电阻组合的计算方法能取得较满意效果.     

有线电视系统的升级改造

3.2 电缆 电缆是有线电视系统中的传输、分配媒介。 电缆由内导体、外导体、绝缘介质、护套四部分组成。 3.2.1 介质 介质的作用是支撑内、外导体,并使内、外导体处处保持同轴。 电缆的损耗、温度系数、防潮防水性能,都是由系质决定的。电缆的射损耗与介质有关。 介质中聚乙稀比例越大,损耗越大,温度系数越大;空气比例越大,损耗越小,温度系数越小,但存在着进潮进水的危险。因此,最好的介质形式应该是:尽量增大空气的比例,同时,又要封闭防潮防水。     

毫米波螺旋线行波管慢波系统高频损耗

基于夹持杆分层螺旋带模型和三维电磁场分析研究了毫米波螺旋线行波管慢波系统的导体和介质损耗。螺旋带模型中介质损耗考虑为纵向传播常数的虚部,给出螺旋带中电磁场的解析解,导体损耗由螺旋线和管壳表面的面电流不连续性获得。三维电磁场分析通过本征模法,求解单周期结构的品质因数和周期储能获得有限导电率导体和夹持杆陶瓷损耗角带来的慢波系统高频损耗。结果表明,毫米波段螺旋线的导体损耗和夹持杆的介质损耗远大于管壳导体损耗,介质损耗与陶瓷损耗角呈线性关系,对高频损耗的影响不可忽略。     

THz交错波导慢波结构高频损耗研究

利用等效电导率方法对310 GHz的双栅交错波导慢波结构中电磁信号的传输损耗进行了仿真研究,比较了不同导体表面粗糙度和不同谐波造成的高频损耗的影响。仿真结果表明表面粗糙度会使传输信号严重衰减,频率相同的-1和+1次空间谐波传输损耗也有较大差异,传输-1次空间谐波时的导体单位损耗更大,且随表面粗糙度增加,损耗增加速度更快。模拟了不同的粗糙度对慢波结构增益、带宽等工作性能参数的影响,结果显示高频损耗会使增益下降、带宽降低。     

U形漏泄同轴电缆的设计与实现

为达到某移动通信系统对漏泄同轴电缆主要电气指标的要求,设计一种U形漏泄同轴电缆,以满足工程应用。阐述了漏泄同轴电缆耦合损耗和传输衰减两个重要电气指标,以U形漏泄同轴电缆实例,利用三维电磁仿真软件HFSS仿真分析900 MHz工作频率下节距及槽孔尺寸的变化对耦合损耗、传输衰减的影响,仿真结果与实测结果吻合良好。结果表明U形漏泄同轴电缆节距越小,漏泄同轴电缆耦合损耗越小。     

理论分析毫米波螺旋线行波管慢波系统导体和介质损耗

该文基于夹持杆分层螺旋带模型和3维电磁场模型分析,详细研究了毫米波螺旋线行波管慢波系统的导体和介质损耗。螺旋带模型中介质损耗考虑为纵向传播常数的虚部,给出电磁场的解析解,导体损耗由螺旋线和管壳表面的面电流不连续性获得。3维电磁场模型分析通过本征模法,求解单周期结构的品质因数和周期储能,获得有限导电率导体和夹持杆陶瓷损耗角带来的慢波系统高频损耗。结果表明,毫米波段螺旋线的导体损耗和夹持杆的介质损耗远大于管壳导体损耗,介质损耗与陶瓷损耗角呈线性关系,对高频损耗的影响不可忽略。     

导线贯通金属腔体端接负载电磁脉冲响应规律*

为分析金属导体贯通腔体时导体腔内端接负载电路的电磁脉冲耦合响应,基于时域有限积分方法的 电磁数值计算软件CST 建立了贯通导体端接负载电磁辐射响应耦合模型,研究了高斯脉冲作用条件下入射电场角 度、贯通孔径、外部导体长度、端接负载等对终端负载响应的作用规律,分析了耦合机理。基于GTEM 室搭建了实验 平台,在贯通导体两端开路条件下,通过测量腔体的屏蔽效能,与数值计算结果对比,两者吻合较好。结果表明:贯 通导体方向的电场分量大小对终端负载耦合电压影响显著;入射波长远大于贯通孔径时,贯通导体为主要耦合通 道;负载耦合响应与裸露导体长度、导体半径成正比;负载变化时,自身响应电压随阻值变化,而对另一端负载响应 电压影响不大,两端阻值变化导致负载响应电压波形的衰减振荡不同;容性或感性阻抗是影响响应电压及频率的关 键因素之一。     

准平面多导体耦合线的直线法全波分析

本文提出了一种准平面多导体耦合线的直线法全波分析方法,包括分析多导体耦合线的各个本征模的传播常数、衰减常数、特性阻抗和2N口网络S参数。由于考虑了色散和损耗,本方法将适合于微波频段高端和毫米波段的应用,为微波毫米波集成电路的设计提供了一个实用工具。     

用滑动短路器法测量馈源的衰减

滑动短路器法是测量馈源（不包括喇叭）衰减的最常用的方法，其优点是能测量小衰减和消除馈源输入电压驻波比对测量的影响。这种方法的原理误差是短路器的导体损耗引入的误差。     

通信泄漏同轴电缆参数的优化及性能研究

研究了遗传算法对通信泄漏同轴电缆进行结构参数优化的方法,分析了漏缆的耦合损耗,并将仿真结果与理论计算结果进行了对照。文中对工作频率为800MHz的周期开槽漏缆进行了优化,使其95%置信度耦合损耗达到70dB,电压驻波比达到1.1。在此基础上比较了在自由空间和靠近理想导体时漏缆的辐射场,分析了置于金属壁附近时导电壁对漏缆耦合损耗的影响。文中研究结果对泄漏同轴电缆的设计和应用有一定参考价值。     

利用衰减钮扣抑制耦合腔行波管的上边频振荡

耦合腔行波管由于其结构的特点,很容易产生白激振荡。采用在耦合腔腔壁中安装衰减钮这一谐振损耗技术可以有效地抑制耦合腔行波管中常见的带边振荡。但在实际应用中,遇到了满足要求的衰减钮扣的衰减材料的相对介电常数过小而不能制备的情况,此时通过改变衰减钮扣的结构——变实心衰减钮扣为衰减环,可以成功的解决这一难题。本文主要对这一方法的基本理论和在实际中的具体应用进行论述。     

Nd: YVO44与Nd: YAG主动调Q脉冲参数模拟

利用调Q速率方程, 确定了最优输出耦合反射率, 最大脉冲能量, 最大峰值功率和脉冲宽度与无量纲变量z的关系, 并分析了谐振腔往返损耗、谐振腔增益和反转衰减因子分别对Nd:YVO44与Nd:YAG调Q脉冲参数的影响。结果表明: 最优输出耦合反射率和脉冲宽度随谐振腔往返损耗的增大而减小, 最大脉冲能量和最大峰值功率受反转衰减因子的影响很大, 并随反转衰减因子的增大而减小。通过确定z值可以将调Q脉冲参数具体化。