一种丙烯酸酯型侧链液晶高分子的合成及液晶性的研究

依据液晶分子结构理论,选择联苯基作为介晶基元,六亚甲基为柔性间隔基,合成了一种丙烯酸酯侧链型液晶高分子。对于合成的中间及目标产物通过FTIR、1HNMR等进行了结构的表征。对于聚合物采用GPC法测量了其分子量,并通过DSC、POM、XRD和计算机模拟等手段研究了其液晶性。研究表明合成的聚合物分子量-Mn=2523、-Mw=2826,具有较宽的温域(45.3～95.2℃),且为典型的近晶A相液晶。     

环己烷类聚硅氧烷侧链液晶的合成与液晶行为研究

选用环己烷类液晶基元反式-4-乙烯基-反式-4’-丙基双环己烷(MA)和反式-4-丁烯基-反式-4’-丙基双环己烷(MB),通过硅氢加成反应将其接枝到柔性的聚硅氧烷主链上,合成了含有2种环己烷结构的聚硅氧烷侧链液晶P_(AB),产率为80.3%。采用傅立叶变换红外光谱法(FTIR)和氢核磁共振谱法(~1H-NMR)对其分子结构进行表征,说明其分子结构符合预期;采用热台偏光显微镜法(POM)和X射线衍射法(XRD)对其液晶相类型和液晶行为进行观察和分析,发现在升降温过程中所呈现出胆甾相油状条纹织构和小板块织构,揭示出因有序度不同所导致的不同织构特征;采用差示扫描量热法(DSC)和综合热分析法(TGA)对其热性能进行分析,确定其液晶区间为28.68K,T_(d(5wt%))为405.25℃,均高于液晶基元的液晶区间和热稳定性。     

丙烯酸酯封端的取代氢键液晶的制备及性能研究

合成了3种丙烯酸酯封端的取代苯甲酸以及其分别与4, 4′-联吡啶和反式吡啶基乙烯自组装形成的双氢键液晶,采用傅立叶红外光谱(FTIR)和核磁共振法(~1H-NMR)表征化合物的结构,使用偏光显微镜(POM)以及差示扫描量热仪(DSC)研究氢键液晶复合体的相转变行为.结果表明,在刚性液晶基元中引入氟原子会增加氢键液晶分子的宽度和降低分子的长径比对液晶材料的性能有很大影响,如降低氢键液晶的熔点以及清亮点等.另外,在柔性链末端引入丙烯酰氧基以及增加液晶基元的长度则会增加液晶分子的长度和规整性,提高氢键液晶复合体的相转变温度.     

含联苯PPV和柔性间隔基液晶性共轭聚合物的合成与发光性能研究

通过Wittig反应,合成了主链含有联苯共轭PPV基元及饱和柔性脂肪链间隔基的新型液晶性共轭聚合物,采用FTIR1、H NMR对其结构进行了表征。这种共轭聚合物可溶于三氯甲烷等普通有机溶剂。利用偏光显微镜、热分析和广角X射线衍射对其液晶性进行了研究,结果表明该共轭聚合物为热致性向列型液晶。利用紫外可见光谱和荧光光谱研究了其光致发光性能,结果显示该液晶性共轭聚合物可发射较强的蓝色荧光,固体膜状态下其最大发射峰为460 nm,溶液荧光量子效率为0.36。     

功能"甲壳"型液晶高分子的研究进展

"甲壳"型液晶高分子是一类具有侧链液晶高分子的结构,同时表现出主链液晶高分子性质的液晶高分子.该类液晶高分子具有不同的有序结构,同时表现出优异的结构稳定性和物理性能,使得其在功能材料方面具有广泛的应用.本文总结了近年功能型"甲壳"型液晶高分子的设计与合成、结构与性能等方面的最新进展,所涉及领域包括高温热塑性弹性体、聚合...     

含柔性长链的二元胆甾相新型液晶的制备及其性能研究

以胆甾醇和长链二元酸为原料，合成了一种柔性长链的新型小分子二元胆甾相液晶，并对其相转变过程进行了深入分析。红外光谱、核磁共振谱、质谱和元素分析证实了其分子结构，差示扫描热分析（DSC）谱图和偏光显微镜（POM）观察图像等一致表明其相转变过程完全符合胆甾相液晶的特征。说明胆甾相液晶分子的刚性大小与胆甾相液晶的形成没有直接关系，胆甾相液晶基元是其形成有序排列的决定因素。     

聚硅氧烷侧链液晶聚合物的研究进展

聚硅氧烷侧链液晶聚合物(Polysiloxane side-chain liquid crystalline polymers,PSLCPs)是一种将液晶单体、特殊功能基团等通过交联反应接枝到硅氧烷主链上形成的液晶聚合物.凭借硅氧烷主链的软性和柔性及功能基团的光热电等响应特性,硅氧烷侧链液晶聚合物在光信息储存、非线性光...     

含有两种介晶基元的侧链聚硅氧烷类液晶的热性能

将两种液晶体4－联苯二酚基－4′－（2－乙基已酰基）－4－烯丙氧基苯甲酸酯（M1）和4－烯丙氧基苯甲酰氧基－4′－甲氧基苯（M2）接枝到聚硅氧烷链上,用IRS、DSC、TGA、POM、SAXS和WAXD等对所得样品进行了测定。结果表明,含有两种介晶基元的聚硅氧烷类液晶,具有较宽的中介区间（240－255℃）,比只含有一种介晶基元的聚硅氧烷类液晶中介相拓宽约170℃左右,且低于室温具有液晶相（－18－8．7℃）,热分解温度在300℃以上,属于近晶结构。     

含胆甾烯基结构的手性二介晶结构液晶化合物

二介晶结构液晶化合物是指分子中含有由柔性的间隔基连接2个同样的介晶结构单元（对称）或不同的介晶结构单元（不对称）的化合物。对称的二介晶结构化合物可作为高分子液晶研究的理想模型，而不对称的二介晶结构化合物，尤其是含胆甾烯基结构的二介晶结构液晶化合物由于胆甾烯基的手性呈现新型而独特的液晶相，并且其液晶行为随着连接2个介晶结构单元的间隔基的碳链长度和碳原子数的奇偶以及第二个液晶结构单元的种类有规律性的变化，引起了各国学者的关注。本文总结了含胆甾烯基结构的手性二介晶结构液晶化合物的液晶性质。     

响应形变液晶高分子的取向方法和功能开发

液晶高分子是同时具有液晶各向异性和高分子力学特性的功能高分子。在液晶高分子中引入具有光化学异构化或者光热响应的结构单元，可以使其在光或者热刺激下发生相转变，引发宏观形状变化。通过一步或两步的取向方法可以对液晶高分子中液晶基元的取向方向进行调控，实现材料的变形编程。液晶高分子形态上的变化在仿生软机器人、微流控、柔性执行器、结构色和防伪等领域有潜在的应用价值。本文介绍了液晶高分子主要的取向技术和开发出的基于形状变化的器件功能，并展望了液晶高分子形变材料在高新科技领域的应用前景。     

基于PSASP程序的励磁系统PID控制的仿真与验证

励磁系统的PID参数对发电机组和电网稳定的可靠性和动态品质具有重要的作用。检验励磁系统PID参数准确性的方法主要是进行发电机空载阶跃响应试验。本文采用中国电力科学研究院研制的电力系统综合仿真程序PSASP对沧东电厂4号机励磁系统进行了5%机端电压阶跃仿真试验,然后根据仿真结果进行了现场试验,结果表明仿真结果对现场试验具有重要的指导意义,不仅节省了现场调试的时间,而且进一步提高了现场试验的安全性。     

电磁脉冲参数对二极管击穿特性的影响分析

为研究电磁脉冲作用下p-n-n+型二极管的击穿及损伤情况,文中结合Si基p-n-n+型二极管,采用漂移—扩散理论结合热流方程,建立了二极管的二维电热模型。仿真结果表明,电压信号的上升时间和幅值对二极管是否击穿有直接影响,上升时间越短、初始偏压越高,则二极管越容易击穿。损伤及烧毁阈值随电压幅度的增加而升高,随上升时间的增加而降低。     

ECM的相位受振膜材料影响的讨论

着重讨论了驻极体电容传声器(ECM)的相位受振膜材料影响的问题,即振膜的基材在生产中,受生产过程影响而对振膜产生影响的分析,以及各种因素形成的应力对驻极体电容传声器(ECM)相位影响的分析.     

灰色预测模型背景值赋值不合理性的证明及改进

文章根据灰色预测模型的建模机理,针对灰色预测模型中背景值的赋值过程,结合拉格朗日中值定理从数学上证明了灰色预测模型中背景值的赋值是不合理的。针对其不合理性,提出了一种模型改进的方法。并以重庆市农村用电量进行了实证分析,验证了模型改进的效果。     

澳洲插头产品的法规要求及标准解析

介绍了澳大利亚插头产品的法规要求及插头的型式、尺寸、参数和测试要点,分析了插头的电流额定值和配线之间的关系,强调了插销绝缘套的要求.对重要的试验项目,如弯曲试验、插销绝缘套的耐磨试验、温升试验、高温压力试验进行了说明.     

物联网网关与传感器终端通信适配相关技术分析

物联网网关作为物联网体系架构中连接传感器网络和电信网的重要网元,其与传感器终端的通信适配是物联网研究的一个重要方向。文章对多种适配方式进行了分析,并基于上述分析列举了典型应用示例。最后对物联网网关通信适配技术的发展及其在行业中的应用给出了相应建议。     

表面态对GaN HEMT电流崩塌效应影响的研究

针对GaN HEMT电流崩塌物理效应,测试了各种条件下器件I-V特性。发现在栅脉冲条件下器件最大漏输出电流减小了23.8%,且随着栅脉冲宽度减小或周期增大而下降,并且获得了其输出电流与脉冲宽度W和周期T的定量关系;在漏脉冲测试条件下,器件输出电流有所增大,并随着脉冲宽度减小而缓慢增大。实验结果,可用器件栅漏之间表面态充放电的原理来解释所观察到的测试现象和电流崩塌物理。     

视距传播中地面起伏对传播中值衰减的影响

电波在以视距传播方式进行传播时,在低空大气层中还要受到地面的影响。文中具体分析了视距传播下几种传播模型中地面起伏对电波传播衰减中值的影响,并进行了相应的计算,最后给出相应地面起伏度与传播衰减中值之间的关系。     

TTEM小室芯板不同接地方式对场分布影响的分析

通过HFSS对TTEM小室非激励板不同接地情况下的内部场强分布进行了仿真,从分析的结果中可以发现:在低频段,非激励芯板用金属板接地和用多个金属杆接地对TTEM小室内部场强的均匀性效果来说相近,但是到了高频段,前者对场强的均匀性效果要比后者更稳定.这为TTEM小室非激励板的接地处理提供了依据.     

泵浦光对固体激光器光束质量的影响

利用有泵浦增益时的谐振腔衍射积分方程,研究了二极管泵浦固体激光器中泵浦光对振荡光场的影响,分析了泵浦光分布和泵浦光半径对振荡光场的影响。结果表明当泵浦光分布分别为均匀分布和高斯分布及椭圆高斯分布时,最佳的泵浦分布为高斯分布;对于高斯光束泵浦,泵浦半径的变化会引起振荡光场的尺寸和形态的变化。定量分析结果表明泵浦半径在一定范围内变化时,振荡光斑半径均随泵浦光半径的增大而减小。在实际的DPL设计中需要根据对振荡光的要求进行泵浦光的优化设计。