煤矸石的纳米结构及其对合成SiC的影响

通过ＡＦＭ研究,发现硅质煤矸石的两种主要组成ＳｉＯ_２和Ｃ具有纳米粒状结构和纳米层状结构．ＳｉＯ_２纳米颗粒的尺度为３～２０ｎｍ,Ｃ质纳米颗粒的尺度为１０～２０ｎｍ．纳米层厚为５～８０ｎｍ．矸石中的ＳｉＯ_２和Ｃ呈密接触状态．用这种结构的煤矸石为原料,在１３００℃时就可合成β－ＳｉＣ,其合成温度明显低于人工混合物料同等条件下的合成温度,而且产率也可大幅度提高．     

高产率低成本激光合成硅基纳米陶瓷粉

本文采用激光诱导大分子有机硅熔（ＨＭＤＳ）气相反应，通过加入附加反应气和工艺参数的优化控制，在不同合成条件下制得单相非晶Ｓｉ３Ｎ，β－ＳｉＣ纳米粉和宽组份变化范围的ＳｉＮｘＣｒ纳米复合粉（平均粒径：１０－３０ｎｍ），与通常采用的硅烷相比，采用此有机硅烷激光合成在等同实验条件下粉产率可提高３－５倍，成本降低１倍，且具有粉体组成，结构易于控制等优点，是一种具有商业化应用前景的高性能硅基钠米陶瓷粉制备技     

高产率低成本激光合成硅基纳米陶瓷粉

本文采用激光诱导大分子有机硅熔（ＨＭＤＳ）气相反应，通过加入附加反应气和工艺参数的优化控制，在不同合成条件下制得单相非晶Ｓｉ３Ｎ４，β—ＳｉＣ纳米粉和宽组份变化范围的ＳｉＮＸＣＹ纳米复合粉（平均粒径：１０－３０ｎｍ）。与通常采用的硅烷相比，采用此有机硅烷激光合成在等同实验条件下粉产率可提高３－５倍．成本降低１倍，且具有粉体组成，结构易于控制等优点，是一种具有商业化应用前景的高性能硅基纳米陶瓷粉制备技术。     

化学气相沉积法制备SiC纳米粉

本工作采用二甲基二氮硅烷和氢气为原料，在１１００－１４００℃温度条件下，通过化学气相沉积制备出了高纯、低氧含量的纳米ＳｉＣ粉体，实验结果指出，在１１００－１３００℃，制备得到的粉体颗粒由于锭型相和β－ＳｉＣ微晶组成；而在１４００℃则粉体颗粒主要由β－ＳｉＣ微晶无序取向组成，随反应条件的改变，粉体平均粒径和β－ＳｉＣ微晶的平均尺寸分别在４０－７０ｎｍ和１．８－７．３ｎｍ范围内变化，同时，产物粉体的Ｃ     

Si—C—N微粉的硅氨烷先驱体的合成及气化行为

研究了用气相裂解法制备Ｓｉ－Ｃ－Ｎ复合纳米微粉时ＣＨ３ＳｉＨＣｌ２氨解产物先驱体的合成及形成气溶胶时的行为,结果表明：合成温度对先驱体的摩尔质量有较大的影响,摩尔质量随氨解温度的降低而增大;在温度较高时（１０℃）合成的先驱体的摩尔质量小,分子内端基存在较多的ＮＨ２基因,在气化时－ＮＨ２基团与Ｓｉ－Ｈ交联而使残余物增加;在－１０℃时合成的先驱体摩尔质量较大,分子内端基上－ＮＨ２基因较少,在气化时残余     

THE ORDERING OF THE α-Fe(Si)PHASE IN Fe_(73.5)Cu_1Nb_3Si_(13.5)B_9 ANNEALED ALLOY

用ＸＲＤ法研究了退火Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９合金中α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶化相的有序化过程，结果表明，Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９非晶合金在４９０℃，１ｈ退火后，α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶化相是具有ＤＯ３结构的有序相，有序畴为球形，直径为７．０ｎｍ，它随退炎温度的升颃是长大，在５９０℃退火后达１０．９ｎｍ，与α－Ｆｅ（Ｓｉ）的尺寸相当，此时α－Ｆｅ（Ｓｉ）的有序度为０．８，在８５０℃     

α-SiAlON/SiCnp复合材料在室温和高温下的显微结构与力学性能

本文采用机械混合Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ，Ａｌ２Ｏ３，Ｄｙ２Ｏ３和纳米β－ＳｉＣ粉料，通过热压烧结，制备了１０ｗｔ％纳米ＳｉＣ颗粒增强α－ＳｉＡｌＯＮ复合材料。力学性能测试表明，在室温时复合材料的维氏硬度，压痕断裂韧性和三点弯曲强度比单相α－ＳｉＡｌＯＮ略高。但复合材料的三点弯曲强度可以保持到１０００℃，其值为这时单相α－ＳｉＡｌＯＮ的两倍。断口形貌表明复合材料的晶粒尺寸比单相α－ＳｉＡｌＯＮ的小，这两种材料的室温断裂方式均以穿晶断裂为主。研究表明，低粘度的玻璃相是造成单相α－ＳｉＡｌＯＮ高温性能下降的主要原因，而纳米ＳｉＣ的加入可以促使晶界相结晶，从而使复合材料的高温性能维持到较高的温度。     

含硼Si—N—C纤维的高温结构组成研究

研究了含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维的组成、结构及其在高温环境下的变化。ＩＲ、ＸＰＳ、ＥＡ、ＳＲＤ、ＳＥＭ等分析结果表明，１２５０℃烧成的含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维由Ｓｉ、Ｎ、Ｃ、Ｏ、Ｂ几种元素组成，呈无定形结构；经１８００℃高温处理后纤维的主要结构变为α－ＳｉＣ。在高温环境下，Ｂ始终以Ｂ－Ｎ键形式稳定存在，与Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维比较，含硼Ｓｉ－Ｎ－Ｃ纤维表面光滑，晶粒尺寸小，表明硼的引入可以有效改善纤维高温下的微观     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相     

快速凝固和直流电处理对铝硅合金中硅形态影响

用氮气雾化法制取了Ａｌ－２１．５４％Ｓｉ合金微粒并进行７００℃重熔处理，对加Ｓｒ变质的Ａｌ－１３．２３％Ｓｉ合金熔体进行了直流电处理。用扫描和透射电研究了不同处理条件对Ａｌ－Ｓｉ合金中共晶硅生长形态的影响。结果表明，快速凝固法制取的合金微粒与重熔处理试样中，共晶硅呈球状和条状。加Ｓｉ变质的共晶硅为弯扭的纤维状，直流电熔体处理后共晶硅转变为圆状，其颗粒尺寸为５０－２００ｎｍ。     

Mn掺杂(K 0.5 Na 0.5 ) 0.96 Sr 0.02 NbO3无铅压电陶瓷的研究

采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的（K0.5Na0.5）0.96Sr0.02Nb1-xMnxO3无铅压电陶瓷.研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响.XRD表明随着Mn含量的增加,体系由正交相过渡到赝四方相;而且,富Na的第二相消失,得到纯净的钙钛矿相结构.在Mn含量为x=0.03和0.04时,观察到了两个温度（200和390℃）处的介电反常,这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关.Mn含量为x=0.02时,得到综合性能优良的压电超声换能器用材料：介电常数ε^T33/ε0=479,压电常数d33=121pC/N,机电耦合系数Kp=41%,机械品质因子Qm=298,介电损耗tanδ=1.6%,居里温度Tc=391℃,谐振频率αfr和机电耦合系数Kp随温度的变化率αfr（80℃）和αKp（80℃）分别为-1.85%和1.19%.     

(1-x)La2/3Ca 1/3 MnO 3/xSb2O 5复合体系的电子输运和磁电阻行为

用两步法制备了（1-x）La2／3Ca1／3MnO3／xSb2O5复合样品．零场下电阻温度关系测量表明，对x〈3％范围。随Sb2O5含量增加，复合样品电阻率增大，绝缘体一金属转变温度降低；而对x〉3％范围，随Sb2O5含量增加。复合样品电阻率减小，绝缘体一金属转变温度提高．磁电阻测量表明，少量Sb2O5同La,2／3C＆1／3MnO3复合，可明显增强磁电阻效应．     

柠檬酸络合法制备La 0.56 Li 0.33 TiO 3 锂离子导电材料

采用柠檬酸络合法合成了La2／3-xLi3xTiO3(z=0．11,LLT)复合氧化物材料,通过系统研究影响溶胶和凝胶形成以及粉体晶相结构的各种因素,确定了最佳的合成条件．研究结果表明:柠檬酸络合法所制备的粉体烧结温度降低至1200℃左右,与传统的固相合成法相比具有更高的活性,其烧结温度约降低150℃．烧结所得的陶瓷样品在室温时的晶粒电导和总电导分别达到9×10-4和2．15×10-5S／cm．     

SiC颗粒尺寸对Al2O3-SiC纳米复合陶瓷的影响

采用非均相沉积法制备含有不同粒径ＳｉＣ颗粒的Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ复合粉体,粉体呈Ａｌ２Ｏ３包裹ＳｉＣ的开貌,经热压烧结获得致密烧结体,通过ＳＥＭ观察,Ａｌ２Ｏ３基体晶粒尺寸随着加入ＳｉＣ颗粒粒径的减小而减小。但减小的趋势比Ｚｅｎｅｒ模型预测的弱,力学性能随着加入ＳｉＣ颗粒粒径的减小而得到改善,这主要同ＳｉＣ颗粒对基体的弱化作用减弱及基体粒径变小有关。     

Ca2YO(BO3)3晶体的热物理性质研究

测量了新型非线性激光晶体Ca2YO(BO3)3（YCOB）的比热及其沿a,b,c三个方向的热膨胀系数，热扩散系数，导热系数，声子平均自由程和等效声速等热物理性质；讨论了属于单斜晶系的YCOB晶体的热物性的各向异性行为；实验结果表明YCOB晶体具有较大的比热和导热系数，其热膨胀系数各向异性相对较小，具有良好的热物理和力学性能。     

自变频激光晶体Nd3+:GdAl3(BO3)4的研究

采用熔盐法生长出尺寸为30mm的Nd3+:GdAl3(BO3)4优质晶体,进行了吸收光谱和荧光光谱的测定研究,计算得到晶体发射截面为σe1061.9=2.9×10-19cm2和σe1338mm=5.5×10-20cm2.采用染料激光器作为泵浦源,对晶体进行了自变频激光实验研究,在紫外可调谐(378-382nm)、绿光531nm、蓝光(436-443nm)、红光(669nm)和红外可调谐(1305-1365nm)波段实现了激光输出,输出的最大功率分别为:105μJ/脉冲、119.5μJ/脉冲、445μJ/脉冲、19μJ/脉冲和31μJ/脉冲.     

Nd0.67(Sr,Ca)0.33Mn(O,F)3磁电阻材料的结构与性能

通过掺ＣａＦ２制得了Ｎｄ０．６７（Ｓｒ,Ｃａ）０．３３Ｍｎ（Ｏ,Ｆ）３（ＮＳＭＯ）磁电阻材料,并对它们作了结构分析和磁性能测量。Ｘ射线衍射结果表明,ＮＳＭＯ化合物保持Ｎｄ０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３的钙钛矿结构,空间群为Ｐｂｎｍ,Ｚ＝４,Ｆ＾离子占据８ｄ位置,随着ＣａＦ２掺和量的增加,晶格常数减小,居里温度降低,而磁电阻性质呈明显的递增趋势。     

脉冲激光沉积(La0.2Bi0.8FeO3)0.8-(NiFe2O4)0.2薄膜及其多铁性能研究

采用脉冲激光沉积法, 在(100)SrTiO₃基底上, 制备了(La_0.2Bi_0.8FeO₃)_0.8-(NiFe₂O₄) _0.2(LBFO-NFO)多铁薄膜, 通过X射线衍射仪和场发射扫描电子显微镜确定了LBFO-NFO多铁薄膜的显微结构, 通过标准铁电测试系统(RT-66A)和振动样品磁强计(VSM)分别测试了LBFO-NFO多铁薄膜的铁电性能和铁磁性能. 研究发现: 多铁薄膜中LBFO和NFO二相均沿(100)方向外延生长, 晶粒尺寸在100～150nm之间; 薄膜具有明显的电滞回线(P_s=7.6μC/cm²)和磁滞回线(M_s=4.12×10⁴A/m), 显示出明显的铁电铁磁共存特性. 通过对薄膜生长条件的控制, 可削除杂质相, 减小LBFO-NFO薄膜的漏电流, 提高铁电及铁磁性能.     

GdAl3(BO3)4:Eu3+荧光粉的光致发光特性

用硝酸盐热分解法合成了单相粉末样品Gd1-xEuzAl3(BO3)4(0≤x≤1),研究了Eu^3 在GdAl3(BO3)4中的紫外和真空紫外光谱性质．GdAl3(BO3)4：Eu^3 中稀土离子占据非中心对称的格位，Eu^3 在其中的特征发射以^5D0→^7F2电偶极跃迁为主,在147nm激发下GdAl3(BO3)4：Eu^3 呈色坐标为(0．645，0．330)的强红光发射，说明是非常有前途的PDP用红色发光材料,在GdAl3(BO3)4：Eu^3 的真空紫外光谱中观察到两个峰，158nm的激发带归属于B03基团的吸收，258nm处的激发带为Eu^3 →O^2-的电荷转移跃迁带．在147nm激发下，GdAl3(BO3)4：Eu^3 的红光发射强度随着Eu^3 浓度的增加而减弱，而在258nm激发下随Eu^3 浓度的增大Eu^3 的红光发射增强，说明它们发光的机理不同。     

La 0.9 Ce 0.1 MnO 3薄膜的输运特性和光诱导效应

用脉冲激光沉积（PLD）法制备了钙钛矿锰氧化物La（0.9）Ce（0.1）MnO3（LCEMO）单晶薄膜.X射线衍射分析表明,薄膜具有钙钛矿赝立方结构,且沿（100）方向择优生长;电阻-温度关系给出其存在金属-绝缘体相变和庞磁电阻（CMR）效应,相变温度（T_（MI））为213K;在0.1T的磁场下,其磁电阻峰值为38.5%,对应的温度为153K;其电阻在低温区满足R=R0＋R1T-2＋R2T^4.5,在高温区符合小极化子输运.薄膜在绿激光（532nm,40mW）作用下TMI向低温方向移动;这主要是由于激光激励下体系的自旋发生了变化.且电阻与时间的变化曲线满足关系：R（t）=R0＋Aexp（—t/r）,说明薄膜在激光作用下具有明显的与自旋相关的弛豫现象.