埋氧层固定界面电荷对RESURF SOI功率器件击穿特性的影响

通过求解具有界面电荷边界条件的二维泊松方程，建立了埋氧层固定界面电荷Qf对RESURF SOI功率器件二维电场和电势分布影响的解析模型。解析结果与半导体器件模拟器MEDICI数值分析结果相吻合。在此基础上，分别研究了Qf对RESURF SOI功率器件横向和纵向击穿特性的影响规律。在横向，讨论了不同硅膜厚度、氧层厚度和漂移区长度情况下Qf对表面电场分布的影响；在纵向，通过分析硅膜内的场和势的分布，提出了临界埋氧层固定界面电荷密度的概念，这是导致器件发生失效的最低界面电荷密度。     

中波碲镉汞/钝化层界面电学特性研究

HgCdTe表面/界面特性对器件性能具有重要的影响,表面/界面的状态主要依赖于表面处理和钝化工艺。采用Br2/CH3OH腐蚀液对液相外延(LPE)生长的中波HgCdTe薄膜进行表面处理后,使用Cd Te/Zn S复合钝化技术进行表面钝化,制备了相应的MIS器件并进行器件C-V测试。结果表明,HgCdTe/钝化层界面固定电荷极性为正,面密度为2.1×1011 cm-2,最低快界面态密度为1.43×1011 cm-2·e V-1,在10 V栅压极值下慢界面态密度为4.75×1011 cm-2,较低的快界面态密度体现出了CdTe/ZnS复合钝化技术的优越性。     

基于栅控二极管研究碲镉汞器件表面效应

采用不同工艺生长了CdTe/ZnS复合钝化层,制备了相应的长波HgCdTe栅控二极管器件并进行了不同条件下I-V测试分析.结果表明,标准工艺制备的器件界面存在较高面密度极性为正的固定电荷,在较高的反偏下形成较大的表面沟道漏电流,对器件性能具有重要的影响.通过钝化膜生长工艺的改进有效减小了器件界面固定电荷面密度,使HgCdTe表面从弱反型状态逐渐向平带状态转变,表面效应得到有效抑制,器件反向特性获得显著改善.此外,基于最优的工艺条件制备的器件界面态陷阱数量得到大幅降低,器件稳定性增强;同时器件R_0A随栅压未发生明显地变化.     

InSb阳极氧化膜界面特性研究

用阳极氧化的方法在InSb衬底上生长氧化膜,并在阳极氧化膜上镀Cr/Au电极以制备MOS器件,通过分析77 K时MOS器件C-V特性,得出InSb-阳极氧化膜界面的掺杂浓度、界面态密度,氧化层中的固定电荷密度可动电荷密度等重要参数,分析其界面特性和制备工艺的关系,为InSb表面的钝化工艺提供参考。     

界面态对CCD性能影响的定量分析

本文讨论和估价了几种界面态效应,对于表面沟道电荷耦合器件(CCD’s)性能的限制。在器件的全部工作时间采用了一种本底电荷,可以使界面态效应对转移效率的限制减至最小。为了精确地定量地预计转移失效率,在器件制作成之后,需要测量界面态的俘获截面和密度,我们对三相和二相器件的转移失效率作了实验测量,其测量结果与预计值相一致。结果表明俘获效应对于表面沟道电荷耦合器件的转移效率存在一种限制,例如,特别是对于转移电极长为10μm的器件在低于1MHZ运用时有一种限制,但对于高频性能并不存在直接的限制。此外,还讨论了界面态对于附加于电荷群的转移噪声的影响,虽然在某些器件中为了其它的目的,这种影响可能会减小信噪比,但是它被证明是相当小的。     

10Gbit/s InGaAs/InP雪崩光电二极管

基于InGaAs/InP吸收区、渐变区、电荷区和倍增区分离雪崩光电二极管(SAGCMAPD)器件结构,利用数值计算方法,模拟了各层参数对器件频率响应特性的影响.模拟结果表明,吸收层、倍增层厚度及电荷层面电荷密度可影响器件的-3 dB带宽;随增益的增加,器件带宽会逐渐降低;电荷层面电荷密度对器件击穿电压有明显影响.结合此模拟结果,制作出了高速InGaAs/InP雪崩光电二极管,并对器件进行了封装测试.测试结果表明,该结果与模拟结果相吻合.器件击穿电压为30 V;在倍增因子为1时,器件响应度大于0.8 A/W;在倍增因子为9时,器件暗电流小于10 nA,-3 dB带宽大于10 GHz,其性能满足10 Gbit/s光纤通信应用要求.     

C-V和C-T测量在CCD中的应用

表面沟道CCD是一种工作在非平衡深耗尽状态下的动态器件。信号在氧化层一半导体界面储存与转移。因此要求一稳定性好的高质量半导体界面。但实际的Si-SiO_2界面存在些缺陷,有的是材料固有的,有的是器件工艺引入的。主要有固定正电荷、可动电荷、界面态、电离陷阱等四种类型。它们的存在对器件的转移特性和频率特性有着重要的影响。另外,器件表面的少子寿命也是影响器件性能的重要参数。C-V和C-T测量可直接用来监测工艺,     

利用栅控二极管分析Si—SO_2系统的界面特性

随着半导体器件的发展和使用者对器体参数的更高要求,半导体的表面问题越来越受到重视。MOS器体和电荷耦合器件(CCD)都是表面器件,更受表面质量的直接影响。为了研究Si—SiO _2—SiO_3N_4系统的表面特性,介决CCD铅栅开启电压的稳定性问题,我们在南京无线电研究所结合毕业实践进行了这方面的工作。用C—V方法可以分析Si—SiO_2—Si_3N_4系统中的等效固定电荷和可动电荷,但是对界面态则较难用C—V方法分析,而界面态密度的大小对CCD的(亻才)输效率有严重的影响。为此,我们利用测量栅控二极管的反向电     

不同偏置下全耗尽SOI NMOSFET总剂量抗辐射的研究

研究了不同偏置条件下,全耗尽SOI NMOSFET的总剂量抗辐射特性,主要讨论不同偏置条件对器件中陷获电荷的产生和分布,以及由此对器件性能产生的影响.通过器件模拟发现,在辐射过程中器件的偏置条件不同,造成器件的有源区和埋氧层中电场的分布有着很大的差异.而俘获电荷的产生与电场又有着紧密的联系,所以造成了俘获电荷的分布和密度有很大的不同,从而对器件的影响也不同.模拟结果表明,在三种不同的偏置条件下,OFF态(关态)时背沟道附近陷获电荷密度最高,以常数电流法估算出的阈值电压负漂移最大,同时引起了最大的本底静态漏电流.     

红外焦平面阵列

红外焦平面使用电荷耦合器件(CCD)作传感和信息处理,可提高探测器的密度,并改进其性能。由电荷耦合概念制成的器件使用电荷耦合概念制成的器件有可能在红外成象中应用的有下列几种:InSb电荷注入器件(CID),累积型电荷耦合器件,非     

CDMA 1x EV-DO覆盖模型的分析与仿真

结合经过校正后的适合于本地无线环境的OKUMURA-HATA传播模型，建立起一种新的本地化基于1x EV—DO系统数据业务吞吐量分析的覆盖预测仿真模型，可应用于1xEV—DO系统的网络规划及系统性能分析。     

浅谈CDMA 1x无线数据网络优化

简单介绍CDMA 1x无线数据网络的结构和主要性能指标；结合现网给出了射频优化、无线资源配置优化、系统参数优化等CDMA 1x无线数据网络优化实例。     

Effect of localised charges on nanoscale cylindrical surrounding gate MOSFET: Analog performance and linearity analysis

The paper presents a simulation study of Nanoscale Cylindrical Surrounding Gate (SRG) MOSFET with localised interface charges. The objective of the present work is to study the performance degradation due to hot carrier induced/radiation induced/stress induced damage in the form of localised/fixed charges at the semiconductor/oxide interface of the device. Impact of fixed charges has been studied on the characteristics such as drain current, transconductance and its higher order terms, device efficiency and linearity FOMs. Effect of nature and extension of interface fixed charges has been discussed in detail through extensive simulation. Circuit reliability issues of the device are discussed in terms of DC bias point degradation.     

3x+1推广函数T(x)不动点的存在区域分析与数值算法

3x+1推广函数T(x)的不动点性质及存在区域分析是分形中的一个重要研究问题.T(x)是结构复杂的超越函数,其在复平面上的不动点难于求解,不动点性质难于估计,这成为进一步研究T(x)动力系统的一个障碍.首先通过T(x)的拓扑不变性,给出了T(x)在复平面上存在不动点的构造性证明,分析了不动点的存在区域及其性质.根据存在...     

基于MC1322x的ZigBee应用技术

引入片上集成了ZigBee无线收发器和微控制器的MC1322x,描述了基于MC1322x的ZigBee无线系统的构建技术和应用方法,给出了一种外围元件极少的无线控制器节点的精简硬件设计电路。基于MC1322x的ZigBee无线连接构造方案可以进一步满足应用中的低功耗、低成本、小尺寸、高性能等要求。     

CDMA2000 1xEV-DO中的分组调度算法

移动通信系统需要更好地支持分组数据业务，并满足高速分组数据业务的服务质置要求。这可以通过采用好的调度算法提高平均业务速率和系统整体稳定性实现。针对CDMA2000 1x EV-DO系统的有代表性的调度算法有3种：正比公平算法、速率受限的最大载干比算法、加权公平排队-正比公平（WFQ-PF）联合算法。正比公平调度算法是一种算法简单实用的调度方案，但不能满足用户的服务质景保证；速率受限的最大载干比算法具有比正比公平算法更高的平均吞吐量，可方便地在吞吐量和公平性之间获得很好的折衷；WFQ-PF联合算法具有良好的综合性能，但算法较复杂。     

基于Si473x的嵌入式AM/FM收音机模块设计

介绍了基于Si473x的嵌入式收音机模块的软硬件设计方法。得益于Si473x内置DSP的先进数字低中频架构,该模块仅需要数个外围元件,且无需人工调校,便能实现从天线输入到音频输出的所有AM／FM接收功能。此外,该模块具有体积小、质量轻、支持多种串行控制方式等优点,因此容易嵌入到各种小型便携设备中。实验结果表明,该模块具有良好的灵敏度、选择性以及优秀的电台搜索能力。     

TMS320C55x性能及DMA的使用

TMS320C55x是德州仪器公司的新一代高性能低功耗定点数字信号处理器。以TMS320C5509为例介绍了TMS320C55x系列的特点和性能指标,并重点介绍了DMA技术在C5509中的使用,最后给出DMA的编程实例。该实例中控制寄存器的定义和引用可用于对其他片内外设的编程。     

ZnSxTe1—x三元混晶的光学性质研究

报道了对一系列不同组份的ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ（０≤ｘ〈１）混晶的喇曼菜射和光致姚研究，室温下的喇曼散实验结果表明ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ中的声子具有双模行为，研究了ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ混晶的反射谱，背散射和边发射配置下的光致发光谱，以及１０～３００Ｋ温度范围内光至发光谱的温度关系，结果表明：ｘ较小时，ＺｎＳｘＴｅ１－ｘ的发光来源于混晶带边发光或浅杂质的发光，ｘ接近１时，发光蜂来源于束缚在Ｔｅ等电子自陷激子的