无氰K金电铸沉积层合金成分的研究

为了控制无氰Ｋ金（Ａｕ－Ｃｕ二元合金）电铸沉积层的合金成分,研究了影响沉积层合金成分的几个因素及其影响情况。进行电沉积实验时,阳极采用纯金平板,阴极采用纯铜板。每次实验采用不同的参数。实验所得沉积层用Ｔ－４５０型扫描电镜的能谱检测其合金成分,即可得各影响因素对合金成分的影响情况。实验结果表明：合金成分与镀液中金、铜离子质量浓度比、阴极电流密度、络合剂（ＤＴＰＡ）的含量以及镀液温度等因素有关,其中镀液中金铜比是最重要的影响因素。本文所研究的内容对于利用无氰Ｋ金电铸工艺生产空心、Ｋ金首饰技术生产时控制沉积层的合金成分具有很重要的意义。     

Fe-P-N 合金中的 Snock-Kê-Kster峰

研究了变形Ｆｅ－Ｐ－Ｎ合金的内耗和沉淀，发现含置换元素磷的三元系铁的ｈｈＳＫＫ／ｈＳ比值不是给定值，而是磷含量的函数．在ｃＮ≤０．００３质量百分数％，ｃＰ≤０．０６４质量百分数％时，存在关系式ｈｈＳＫＫ／ｈＳ＝Ｋ１ｃ（－２／３）Ｐ＋Ｋ２，截距Ｋ２产生的原因是由于固溶合金基体中存在磷原子对和气团．     

应用定量金相数据预报HK40合金转化炉管剩余寿命

本文在定量金相与持久试验基础上，用数学回归方法建立了预报ＨＫ４０合金转化 炉管剩余寿命的方程．根据这些方程，利用定量金相数据．可在置信度为９５％下， 预报ＨＫ４０炉管剩余寿命区间．     

W-Cu合金中Cu相纯度对热导的影响

为了探讨提高ＷＣｕ合金热导（ＴＣ值）的途径,采用４种不同纯度的铜,用熔渗工艺制备Ｗ１５Ｃｕ（质量分数,％）复合材料试样,并用ＣＯ２激光仪测试熔渗试样的ＴＣ值．研究发现,铜相纯度的微小变化对ＷＣｕ合金的ＴＣ值产生重大影响．并对铜相纯度影响ＷＣｕ合金ＴＣ值的机制进行分析和探讨．实验证明,用９９．９％的铜,并用适当的熔渗工艺,可以得到ＴＣ值为２００Ｗ·ｍ－１·Ｋ－１的Ｗ１５Ｃｕ合金．     

静高压在多层Al／Fe—Mo—Si—B纳米合金复合材料…

在３￣５．５ＧＰａ的压力范围内，经过８７３Ｋ，３０ｍｉｎｈ等温热处理由非（Ｆｅ０．９９Ｍｏ０．０１）７８Ｓｉ９Ｂ１３（ＦＭＳＢ）条带和纯金属Ａｌ片交替叠成的样品，制备出多层Ａｌ／Ｆｅ－Ｍｏ－Ｓｉ－Ｂ纳米合金复合材料。研究了静高压在复合材料制备中影响非晶ＦＭＳＢ合金晶化相，Ｆｅ－Ｍｏ－Ｓｉ－Ｂ纳米合金晶粒度和Ａｌ／Ｆｅ－Ｍｏ－Ｓｉ－Ｂ复合材料界面相的规律及机制。     

Fe—P—N合金中的Snock—Ke—Koster峰

研究了变形Ｆｅ－Ｐ－Ｎ合金的内耗和沉淀，发现含置换元素磷的三元系铁的ｈ＾ｈｓＫＫ／ｈｓ比值不是给定值，而是磷含量的函数。在ＣＮ≤０．００３质量百分数％，ｃｐ≤０．０６４质量百分数％时，存在关系式ｈ＾ｈＳＫＫ／ｈｓ＝Ｋ１ｃｐ＾（－２／３）＋Ｋ２，截距Ｋ２产生的原因是由于固溶合金基体中存在磷原子对和气团。     

氯化物熔体中镨钴合金形成的电化学研究

用循环伏安法，恒电位电解断电后的电极电位－时间曲线研究了Ｐｒ（Ⅲ）在ＮａＣｌ－ＫＣｌ－ＰｒＣｌ３熔体中，钴电极上还原的电极过程，首先生成Ｐｒ２Ｃｏ１７，随后依次形成含Ｐｒ量较多的Ｐｒ－Ｃｏ金属间化合物，然后才析出纯金属镨；验证了在１０７３Ｋ形成Ｐｒ－Ｃｏ合金的数目．测得Ｐｒ２Ｃｏ１７，ＰｒＣｏ５，Ｐｒ５Ｃｏ１９和Ｐｒ２Ｃｏ７在１０７３Ｋ的标准生成自由能分别为－１５６．３３，－４９．２２，－１８８．１８，－３４．７４ｋＪ·ｍｏｌ－１．并发现在ＮａＣｌ－ＫＣｌ－ＰｒＣｌ３－ＣｏＣｌ２熔体中，Ｐｒ（Ⅲ）和Ｃｏ（Ⅱ）在钼电极上可发生共沉积     

Fe－P－N合金的Snoek－K－Koster峰

对淬火及淬火后变形Ｆｅ－Ｐ－Ｎ合金在－５０℃～３５０℃温度区的内耗进行了测量，并用ＴＥＭ观察、分析了合金中的第二相．结果表明，在Ｎ的质量分数不超过０．００３％和Ｐ的质量分数小于０．０６４％的实验条件下，合金的ＳＫＫ峰与Ｓｎｏｅｋ峰的峰高比（ｈＳＫＫ／ｈＳｓ）和Ｃｐ－２／３呈线性关系；在Ｆｅ－Ｐ合金固溶体区中有ＦｅＰ化合物存在．     

Mg-Cu-La三元非晶合金形成范围的热力学预测

基于分析有利于合金非晶化的热力学因素，从非晶形成的热力学观点出发，综合应用Miedema理论和Toop模型，并考虑纯金属在不同温度下的自由能，在此基础上提出了一种定量预测三元非晶合金形成范围的方法：通过比较晶态的自由能和相应非晶态的自由能来确定成分范围．用该方法计算Mg—Cu—La三元合金系的非晶形成范围，并与已有的实验数据进行比较，发现二者符合得较好．该方法对于定量预测二元及三元甚至是多元合金系非晶形成范围将有一定的指导意义．     

FeAl合金的LFS势及点缺陷性能计算

构建了Fe、Al及其合金的原子间Long-range Finnis-Sinclair(LFS)势,利用Fe、Al及其合金的晶格常数、结合能和体弹性模量等实验数据拟合了纯金属Fe、Al及合金FeAl的LFS势参数,从中选择一组最优参数.为了检验所构建的势在缺陷性能方面的表现,利用构建的纯金属及合金的原子间势计算了金属Fe、Al及合金FeAl的单空位形成能,结果表明,与Fe相关的单空位形成能的计算结果与实验结果及其他理论计算结果符合得很好.     

磁控溅射WOx电致变色薄膜的结构

采用直流反应磁控溅射工艺,以纯钨靶为靶材在ITO玻璃上制备电致变色WOx薄膜,运用XRD衍射方法和扫描隧道显微镜(STM)测试手段对薄膜的晶体结构和微观表面形貌进行了分析,探讨了WOx薄膜的电致变色性能和微观结构之间的关系.实验分析结果发现:磁控溅射得到的WOx薄膜主要是非晶态的,而其在着色状态和退色状态下亦呈非晶特性;电致变色反应使薄膜的颜色发生了可逆变化,必然地也使结构发生了可逆变化.Li 的进出,虽然没有使组成WOx的基本结构发生大的变化,但其微观表面形貌发生较大差异,因为原子团簇的堆积方式向较规则的低能态堆积方式转变.     

无屏蔽罩的矩形平面磁控溅射靶的设计

通过理论分析、实际设计和实验，对矩形平面磁控溅射靶表面水平磁感应强度B的传统取值上限进行了拓展，结果表明：若阴极靶体下表面和4个侧面的磁感应强度被屏蔽低于0．0005T，同时上表面覆盖同一靶材，则可抛弃屏蔽罩，采用裸靶结构，靶表面的水平磁感应强度B就可以远高于0．05T，达到0．09T，此外，B的增加显著降低了磁控溅射镀膜工艺的着火电压和维持放电电压，为实现低电压磁控溅射提供了另外一种思路。     

磁控溅射法中影响薄膜生长的因素及作用机理研究

磁控溅射法是制备薄膜材料的重要手段,薄膜属性受其制备参数的制约,诸参数相互关联,共同影响薄膜的沉积、成核及生长。本文在简要介绍了磁控溅射制备薄膜的基本原理及基本流程的基础上,讨论了溅射参数影响薄膜属性的基本规律和作用机理,并简述了使用磁控溅射法制备薄膜的注意事项。     

多靶射频磁控共溅射SmCo/Cr薄膜的制备和磁性能

采用多靶射频磁控共溅射方法制备了SmCo/Cr薄膜,用XRD和VSM测量了各样品的微结构和矫顽力.结果表明,SmCo膜具有较强的垂直各向异性,当Cr底层溅射时间为5min、SmCo磁性层溅射时间为14min、Co靶溅射功率为220W时,所得到的薄膜垂直矫顽力最大.     

沉积条件对MOS2/Ti复合膜性能的影响

MoS2/Ti复合膜由直流磁控溅射方法制备,膜中Ti的原子分数x(Ti)和硬度Hv随着Ti靶溅射电流I(Ti)的增加而增加.FE-SEM(场发射扫描电子显微镜)对膜表面形貌观察发现,MoS2/Ti复合膜是由尺寸为几十到几百nm的颗粒组成,膜的致密性和膜中x(Ti)有关,x(Ti)越高,膜的致密性越好,从而膜的Hv也就越高.偏压Ub是影响膜性能的重要因素,随着Ub的增加,膜的Hv也增加,当Ub=-100 V时,膜的Hv达到峰值;进一步增加Ub,膜的Hv则下降.     

A3钢基体磁控溅射离子镀铝膜的物相分析

本文应用 Ｘ射线衍射分析和电子衍射分析研究了Ａ３钢基体磁控溅射离子镀铝 膜的相组成，结果表明，膜的相组成主要是基板负偏压所决定的。文中论述了正离子 对基板的溅射作用所引起的靶材原子和基板（基体）原子在基板上共同沉积的成膜机 理。     

磁控靶溅射刻蚀的模拟研究

建立了磁控溅射单粒子模型，结合靶表面磁场的分布，用ＭｏｎｔｅＣａｒｌｏ方法研究了溅射气体粒子的运动规律，得到靶表面刻蚀的图形，发现靶中间圆环的刻蚀最强，这与实验结果和磁场的水平分量分布一致．     

掺铝氧化锌(AZO)薄膜制备及结合机理探索

利用射频磁控溅射法以ZnO:Al2O3陶瓷靶材为源在丙纶非织造布上制备了AZO薄膜.采用扫描电镜(SEM)分析溅射时间对薄膜微结构的影响.结合能谱分析仪(EDX)对薄膜成分进行分析表征.分析探讨了在丙纶非织造布上溅射沉积纳米薄膜与基材的结合机理.结果表明:随着溅射时间的延长,薄膜的均匀性致密性越来越好;溅射得到的纳米薄膜元素的特征峰明显,纯度高;薄膜与基材之问结合是物理、化学等多种力共同作用的结果.     

不同靶材制备TaN单层薄膜的晶体结构与力学性能

以钽氮化物为个体层材料,利用FJL560CI2型超高真空射频磁控与离子束联合溅射系统,制备以TaN和金属Ta为靶材的两种TaN单层薄膜.通过XRD和纳米力学测试系统分析它们的晶体结构和TaN靶材对薄膜机械性能的影响.结果表明,TaN靶材制备的TaN单层膜的纳米硬度值普遍高于Ta靶材的;当工作气压为0.4 Pa时,TaN单层膜的硬度最大,即35.4 GPa,其结晶出现多元化,使单层膜的硬度、弹性模量以及膜基结合性能均达到最佳.     

Al基底SS-AlN吸收层实验优化研究

利用磁控溅射设备制备了SS-AlN太阳光谱选择性吸收膜,用分光光度计测量样品的光谱反射曲线并与模拟计算所得到的反射曲线进行对比。结果表明:理论模拟曲线与实际测量虽不完全吻合,但其吸收率基本相同。实验测得的用脉冲磁控溅射设备的单层吸收膜吸收率α=90.81%,理论值为92.65%.可见,模拟分析能有效地预测SS-AlN膜层的光学性能。