Nd：YAG多晶透明陶瓷的光谱性质

为了研究Nd:YAG多晶透明陶瓷作为激光增益介质的可能性,测量了掺杂原子数分数为1%的Nd:YAG多晶透明陶瓷的吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命等光学参量,并和Nd:YAG单晶进行了比较。测量结果表明,Nd:YAG多晶透明陶瓷作为激光增益介质具有极大的潜力。     

Nd∶YAG多晶透明陶瓷的光谱性质

为了研究Nd∶YAG多晶透明陶瓷作为激光增益介质的可能性 ,测量了掺杂原子数分数为 1%的Nd∶YAG多晶透明陶瓷的吸收光谱、荧光光谱、荧光寿命等光学参量 ,并和Nd∶YAG单晶进行了比较。测量结果表明 ,Nd∶YAG多晶透明陶瓷作为激光增益介质具有极大的潜力。     

透明陶瓷激光器获得98.5 mW连续激光输出

Nd∶YAG陶瓷激光介质相对单晶有以下优点 :制作简单 ,成本低 ,可以制造大尺寸 (目前可达到 4 5 0mm× 10mm) ,高掺杂浓度 (>1% ) ,可以制造多层和多功能的陶瓷结构 ,耗时少 ,可以大批量生产。这些优点给激光器的设计带来很大的自由度。陶瓷的高掺杂浓度克服了它的吸收截面小的缺点 ,而且多晶Nd∶YAG的物理参数如热导率 ,光学性质如吸收光谱、发射光谱、荧光寿命等都和单晶Nd∶YAG相似。正是由于多晶Nd∶YAG陶瓷弥补了单晶Nd∶YAG的很多不足 ,因此多晶Nd∶YAG陶瓷不失为单晶Nd∶YAG一种强有力的替代者。目前很多研究小组都在致…     

电子束蒸发制备掺钕钇铝石榴石薄膜特性研究

硅基光电集成技术是当代高速信息化的重要发展方向之一。为了研究制备在硅衬底上的新型发光材料,突破Nd:YAG固体激光工作物质主要是晶体、透明陶瓷等固体形态的限制,采用电子束蒸发沉积工艺,在硅(100)衬底上制备了Nd:YAG薄膜,并对Nd:YAG薄膜的表面形貌、晶体结构、光学特性进行了测试。X射线和扫描电子显微镜测试结果显示,Nd:YAG薄膜经1100℃真空高温退火处理1h后有效结晶,采用钛蓝宝石激光器输出808nm激光激发,液氮冷却的InGaAs阵列探测器室温下得到Nd:YAG薄膜的1064nm主荧光峰的荧光光谱。结果表明,采用电子束蒸发沉积和后续高温退火工艺可以在硅衬底上制备Nd:YAG晶体薄膜。     

Characteristics of Nd:Y3Al5O12 thin film prepared by electron beam evaporation deposition

硅基光电集成技术是当代高速信息化的重要发展方向之一.为了研究制备在硅衬底上的新型发光材料,突破Nd∶YAG固体激光工作物质主要是晶体、透明陶瓷等固体形态的限制,采用电子束蒸发沉积工艺,在硅(100)衬底上制备了Nd∶ YAG薄膜,并对Nd∶YAG薄膜的表面形貌、晶体结构、光学特性进行了测试.X射线和扫描电子显微镜测试结果显示,Nd∶YAG薄膜经1100℃真空高温退火处理1h后有效结晶,采用钛蓝宝石激光器输出808nm激光激发,液氮冷却的InGaAs阵列探测器室温下得到Nd∶YAG薄膜的1064nm主荧光峰的荧光光谱.结果表明,采用电子束蒸发沉积和后续高温退火工艺可以在硅衬底上制备Nd∶YAG晶体薄膜.     

国产Yb∶YAG透明陶瓷实现激光输出

YAG单晶是高功率激光的重要材料,近年来高透明度多晶陶瓷作为激光介质引起人们广泛的注意。YAG陶瓷相对单晶具有易制造大尺寸、掺杂浓度高、易批量生产等优点。在Nd∶YAG陶瓷获得长足发展的同时,Yb掺杂的陶瓷也得到了越来越多的关注。Yb∶YAG陶瓷与Nd∶YAG陶瓷相比具有许多优点:Yb掺杂的激光介质无交叉弛豫振荡和激发态吸收,有较宽的吸收带,较长的荧光寿命及较高的量子效率等。因此,高质量的Yb∶YAG陶瓷将是非常理想的高功率激光材料。最近,中国科学院上海硅酸盐研究所制备了Yb∶YAG多晶透明陶瓷并经中国科学院上海光学精密机械…     

Nd:Y2O3透明陶瓷4F3/2-4I11/2跃迁光谱及高效激光输出

报道了采用真空烧结法结合热等静压技术制备的Nd:Y₂O₃透明陶瓷的荧光光谱特性及相关激光输出。通过与Nd:YAG透明陶瓷的荧光光谱对比,表明Nd:Y₂O₃透明陶瓷的4F_3/2-4I_11/2跃迁光谱存在着多个增益相当的谱线,这更有利于实现同时双波长段激光振荡;不同斯塔克子跃迁光谱的离散特性有利于通过腔镜镀膜控制不同波长损耗,获得丰富的1.0~1.1 μm波段激光。利用简单的平平两镜腔结构完成进一步的实验,通过选择的输出镜片镀膜获得了输出功率3.62 W、转换效率40.4%的1074.6 nm和1078.8 nm的双波长输出和输出功率1.7 W、转换效率19.4%的1130.3 nm波长输出。     

掺钕陶瓷激光器获得236 W高功率激光输出

随着1999年陶瓷制备工艺的突破性进展，透明陶瓷作为激光增益介质取得了可与单晶相比拟的光学质量。Nd：YAG单晶是目前应用最广泛的固体激光介质，然而传统提拉法生长的单晶的固有缺陷限制了它的进一步发展。     

溶胶–凝胶法合成Nd:YAG粉体及透明陶瓷的制备

以Y2O3和硝酸盐为原料,柠檬酸为络合剂,采用溶胶–凝胶法合成了Nd0.03Y2.97Al5O12(Nd:YAG)干凝胶,经不同温度焙烧后制得前驱粉体,然后将粉体经1700℃真空烧结制备了Nd:YAG透明陶瓷。对柠檬酸的络合作用进行了探讨,对粉体及透明陶瓷的结构、形貌和光学性能进行了研究。结果表明:柠檬酸与硝酸盐发生络合反应形成有机网络结构,有效减轻了粉体颗粒间的团聚;950℃焙烧后得到纯相Nd:YAG粉体,颗粒细小并呈片状;Nd:YAG透明陶瓷致密度高(理论密度的95%),晶粒尺寸约为10μm,在1060nm处的透射率为63%。     

国外简讯

YAG 陶瓷除具有一般陶瓷的特性外,亦是一种透明的光功能划时代的材料.日本神岛化学工业(株)采用独创的技术,进行了从原料合成到成型、烧结、加工,直至实用化的研究开发.这种材料具有高透明度(从紫外到近红外区域)、高硬度、优良的耐腐蚀性(耐碱性蒸气是氧化铝的10倍)和优异的荧光特性.YAG陶瓷可用作光学基片.耐热、高强度窗材,近红外线窗材,传感器,以及装饰构件.可代替单晶材料.     

掺碳氮化镓的光学性质

利用喇曼光谱和光致发光谱,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVD GaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究.结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高,喇曼谱出现蓝移,E1(LO)声子的Raman强度变弱.同时光致发光谱中蓝光带和黄光带发光强度随着掺碳浓度的增加先增强后减弱,这与掺杂碳的自补偿效应有关.高碳掺杂量的GaN材料的结构与光学性质均显著下降.     

PVK∶Alq3掺杂体系电致发光器件性能的研究

采用一定比例的PVK和Alq3混合薄膜作为发光层．制备了Al／PVK：Alq3／ITO单层器件。利用PVK和Alq3混合薄膜的吸收光谱、激发光谱、光致发光谱、电致发光谱研究了薄膜的激发态过程，结果表明PVK和Alq3之间存在着能量传递，器件所表现的发光主要为Alq3的发光。同时利用电流电压关系、发光强度和电压的关系对器件的光电性能进行了研究，发现Al／PVK：Alq3／ITO单层器件有良好的发光性能。     

用半导体激光器研究铷原子的消多普勒谱

近红外半导体激光器(LD)用于高分辨谱研究的工作还不多。1982年,H.Tsuchida首次用0.78μm的近红外半导体激光器(LD)观察到Rb原子D_2线的饱和吸收谱。之后,分辨率逐步提高。也曾进行过理论线形的计算。本文报道我们的实验结果,并与理论结果进行了比较。 实验用熟知的强光抽运,反向弱光检测方案。所用LD为Sharp TLO21MDO,阈值电流     

真空还原制备的VO_2热致相变薄膜光学性质研究

本文对不同衬底制备的VO2 薄膜进行了表面形貌测试 ,对其红外透射光谱和Raman光谱进行了研究 ,并进行 370nm -90 0nm波段的光透射测试以及 90 0nm波长的热滞回线特性测试 ,表明所制备VO2 薄膜具有优良的热致相变光学特性 ,薄膜为纳米结构 ,并且结晶状态不同的薄膜其Raman谱位置有明显改变 ,室温时的红外光谱表现出较好的红外振动特性。讨论了薄膜结晶状态对Raman位移的影响以及VO2 薄膜的红外光谱     

激光诱导化学气相沉积法制备纳米a-Si3N4粉体及粉体光谱特性的研究

为了制备高纯度的非晶纳米粉体 ,在传统的激光诱导化学气相沉积法反应装置的基础上 ,引入“双光束激励”的新方法 ,利用正交紫外光束激励分解 ,从而提高气相中N/Si比 ,减少产物中游离硅的浓度。研究了粒子的红外吸收光谱特性 ,并指出表面效应和量子尺寸效应导致粉体红外吸收光谱的蓝移和宽化现象 ,同时红外吸收光谱中的这些反常现象也验证了粉体的纳米特性。     

常见服装面料的太赫兹光谱研究

利用自建的太赫兹时域光谱系统对生活中主要的常见服装面料进行了实验研究,实验中首先对棉、毛、麻、丝、涤纶、氨纶、混纺等这7 种典型面料分别进行测试,可以获得各自的太赫兹时域光谱,然后利用快速傅里叶变换关系分别对每个时域脉冲进行相关计算,最终获得这些面料的太赫兹频域光谱信息,尤其是样品的折射率和吸收系数等。研究表明,这些在可见光波段不透明的服装面料,在太赫兹频段几乎完全可透视,且没有特征吸收峰,该研究对于进一步开展隐藏危险物的识别和成像具有非常重要的意义。     

新型半导体清洗剂的清洗工艺

报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果.采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时,首先需用HF稀溶液浸泡硅片,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在,一般DGQ -1、DGQ-2的配比浓度在90%到98%之间;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时,增溶能力最强,因而清洗液的温度定在60℃.     

基于模型的钨靶X射线球管光谱重建

 X射线光谱信息是进行X射线曝光剂量控制、X射线成像质量评估、X射线双能量成像等必不可少的,为此本文提出一种基于模型的钨靶X射线球管光谱重建方法.该方法首先建立一个具有物理意义的7参数球管光谱模型,再通过测量的光谱衰减数据求解模型参数进而重建光谱.实验中,对若干球管电压分别选择不同厚度的铝板和铜板作为衰减器测量衰减数据,结合模型由衰减数据重建光谱.实验表明,该方法可利用较少的衰减数据重建包含特征辐射的球管光谱,算法简单易行.与原始光谱获得的衰减数据相比,重建光谱获得的衰减数据误差低于0.3%;与修正的手册光谱相比,重建光谱误差低于5%.     

Enhanced radiative absorption of thin,heavily beryllium-doped GaAs films

Beryllium-doped GaAs layers have been grown by molecular beam epitaxy with doping concentrations up to 1.2 × 10²⁰ cm^?3. Upon initiation of doping, an unintentional substrate temperature rise is observed pyrometrically that is caused by various radiant sources used in the growth process. The heating effect is correlated with the doping concentration and dependent upon machine configuration and geometry. Electrical and secondary ion mass spectrometry measurements indicate that the temperature rise can cause significant beryllium diffusion. Since most of the temperature rise occurs during the first 1000Å of growth, degradation of thin device layers is possible. Transmission and reflection measurements on the beryllium-doped samples indicate strong sub-bandgap absorption that correlates with the doping concentration. The absorption is due to intervalence band transitions as well as free carrier absorption.     

复合物C6H5CH3…Ar和C6D5CD3…Ar的共振电离光谱

本文报道了复合物C6H5CH3Ar和C6D5CD3Ar的共振电离光谱的实验和理论研究。在超声束中,利用双光子共振电离光谱技术和飞行时间质谱技术,揭示了复合物中甲基的内转动和Ar原子振动的信息,利用同位素效应以及内转动和振动能级计算,合理地归属了实验中观察到的涉及CH3转动和Ar振动的光谱。