二种单频外腔式He－Ne激光器的自稳频原理再分析

作者用高气压加纵向非均匀磁场获得了二种单频、自稳频高输出功率的外腔式Ｈｅ－Ｎｅ激光器，１ｍ激光器的频率非稳定度为６．１７５×１０￣（－９）（τ≤１０ｓ）和３．３８×１０￣（－９）（τ≤１ｓ）；１．８ｍ激光器的频率非稳定度为１．１×１０￣（－８）（τ≤１ｓ）和２×１０￣（－８）（τ≤１０ｓ），所有数据由中国计量科学院测定。本文是继文献［１］，［８］，［９］和［１０］发表后，对这两种激光器的自稳频原理的再分析。     

共沉淀法制备Ba(Mg_(1/3)Ta_(2/3))O_3陶瓷的研究

对用化学共沉淀法制备Ｂａ （Ｍｇ１／３Ｔａ２／３） Ｏ３ （ＢＭＴ） 陶瓷及其烧结特性进行了研究。结果表明其烧结温度比用传统方法降低了１８０～２５０℃。在１ ４００℃时获得了致密的陶瓷,其体积密度达理论密度的９６％ ,晶粒排列紧密,介电特性：Ｑ×ｆ＝ ６５ ０００ ＧＨｚ,εｒ＝ ２３～２５,在ｆ＝ １０ＧＨｚ,ｔ＝ － ２０～＋ ６０℃时τｆ ＝ （０～３）×１０－ ６℃－ １。     

高分辨电子显微像结合1000keV电子衍射测定"Pb"-1223的无公度调制结构

（Ｐｂ０．５Ｓｒ０．３Ｃｕ０．２）Ｓｒ２（Ｃａ０．６Ｓｒ０．４）２Ｃｕ３Ｏｙ（简称“Ｐｂ”－１２２３）是一维无公度调制结构［１］，超空间群是Ｐｍｍｍ（ν０１／２）［２］。其基本结构的晶胞参数ａ＝ｂ＝０．３８２ｎｍ，ｃ＝１．５３ｎｍ，调制波矢为：ｑ＝０...     

YBCO薄膜红外探测器研究的新进展

用ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ＿３薄膜制成的１ｍｍ红外探测器，经技术保护之后，寿命已达３年。其Ｄ（５００，１０，１）＝３．７×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．４×１０￣（－１１）ＷＨｚ￣（－１／２）；超导微桥（５０μｍ×１０μｍ）红外探测器，其Ｄ（５００，１０，１）＝１×１０￣９ｃｍＨｚ￣（１／２）Ｗ￣（－１），ＮＥＰ（５００，１０，１）＝２．３×１０￣（－１２）ＷＨｚ￣（－１／２）。     

采用扩散掺铝方法提高Cr－SiO薄膜电阻热稳定性

采用扩散掺铝方法可以显著降低Ｃｒ－ＳｉＯ薄膜电阻的温度系数，１～５ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±５００×１０（－６）℃（－１）；１０ｋΩ／□，ＴＣＲ≤±１００×１０（－６）℃（－１）。该方法尤其适用于设备较为简单的蒸发镀膜工艺。     

SiC异质结双极晶体管的高频性能

用一种简练的异质结双极晶体管（ＨＢＴ）模型来模拟ＳｉＣ基双极晶体管的高频和大功率特性。研究了一种外壳温度在２７℃（３００Ｋ）到６００℃（８７３Ｋ）下的６Ｈ－ＳｉＣ／３Ｃ－ＳｉＣＨＢＴ。将其高频大功率特性与ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＢＴ作了比较。不出所料，欧姆接触电阻限制了ＳｉＣＨＢＴ的高频性能。现在看来，在ＳｉＣ上只能可靠地产生１×１０￣（－４）Ω－ｃｍ￣２的接触电阻。所以ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）的最高实际值仅分别为４．４ＧＨｚ和３．２ＧＨｚ。但假定发射极、基极和集电极的接触电阻低到１×１０￣（－６）Ω时，则６Ｈ／３ＣＳｉＣＨＢＴ的ｆ＿Ｔ和ｆ＿（ｍａｘ）分别可达到３１．１ＧＨｚ和１２．７６Ｈｚ。     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

两步快退火改善InP（Fe）中MeV硅注入层的品质

２ＭｅＶ、（１～２）×１０１４ｃｍ－２硅离子注入ＳＩ－ＩｎＰ（Ｆｅ）造成负的（－３．４×１０－４～－２．９×１０－４）晶格应变，光快速退火的激活能为０．２６ｅＶ。８８０℃／１０ｓ退火可得到１００％的施主激活。间断两步退火（３７５℃／３０ｓ＋８８０℃／１０ｓ）使注入层单晶恢复完全，较大程度（２０％～３５％）地改善了载流子的迁移率。四能量叠加注入已能在０．５～３．０μｍ的深度区域形成满足某些器件要求的低电阻（７．５Ω）高浓度［（２～３）×１０１８ｃｍ－３］的ｎ型导电层。     

光致发光纳米晶粒硅薄膜的电子自旋共振研究

用电子自旋共振（ＥＳＲ）方法研究了含纳米晶粒：ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜的缺陷态．这种薄膜是用等离子体增强ＣＶＤ方法制备而成，未经任何后处理过程，在室温观察到可见光范围的光致发光．薄膜的ＥＳＲ谱由三个部分组成：（１）一对轴向对称超精细谱线，其ｇ∥＝１．９９６７，ｇ⊥＝２．００１６，其超精细常数为１．２×１０－２Ｔ；（２）一条各向同性谱线，其ｇ＝２．００５２．线宽△Ｈｐｐ＝１×１０－３Ｔ；（３）一条轴向对称谱线，其ｇ∥＝２．００５７，ｇ⊥＝２．００４２．以上三部分分别来源于三个不同的顺磁中心本文分析了它们的产生，     

低损耗高温型R特性高压电容器瓷料的研制

采用Ｂｉ（３＋）、Ｐｂ（２＋）、Ｍｇ（２＋）与主晶相ＳｒＴｉＯ３固溶，并添加适量的Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｙ２Ｏ３对ＳｒＴｉＯ３进行改性，研制出εｒ≥２２００，１ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．１０×１０（－２），１０ｋＨｚ时ｔｇδ≤０．３０×１０（－２），－２５～＋８５℃｜△Ｃ／Ｃ｜≤１５％，Ｅｂ（ＤＣ）＞９Ｖ／μｍ，Ｒｉ＞１０（１２）Ω，耐高温（可达＋１２５℃），高频性能好的新型介质材料。该瓷料适合制作工作频率高、表面温升低的低损耗、耐高温的高压瓷介电容器。     

InGaAsP/InP异质结界面态的变频C-V研究

本文利用自建的变频C-V测试系统测量分析了InGaAsP/InP异质结的界面态,结出其界面态密度和时间常数.实验结果表明,在界面同时存在快、慢界面态,其参数分别为快界面态:N_(s1)=7.3×10~(11)eV~(-1)·cm~(-2),τ_1=2.2×10~(-5)s慢界面态:N_(s2)=2.5×10~12eV~(-1)·cm~(-2),τ_Q=1.5×10~(-2)s     

Ca[(Li_(1/3)Nb_(2/3))_(0.95)Zr_(0.15-x)Ti_x]O_(3+δ)陶瓷的微波介电性能

研究了Zr和Ti复合取代Ca[(Li1/3Nb2/3)0.95Zr0.15-xTix]O3+δ(0≤x≤0.15,CLNZT)陶瓷B位对其晶体结构及微波介电性能的影响,并分析了谐振频率温度系数τf随容忍因子t的变化关系。当0≤x≤0.15时,CLNZT陶瓷为单一斜方钙钛矿相,随x的增加,τf由–9.4×10–6/℃变为–15.8×10–6/℃,而品质因数与谐振频率乘积Q·f值先增大,x=0.10时又开始下降。当x=0.10时,陶瓷具有较好的微波介电性能:εr为32.8,Q·f值为1.66×104GHz,τf为–13.6×10–6/℃。     

Li过量对M-相固溶体Li_2O-Nb_2O_5-TiO_2陶瓷微波介电性能的影响

含有M-相固溶体Li2O-Nb2O5-TiO2(LNT)的微波介质陶瓷具有烧结温度(约1100℃)低,介电常数εr(65～70)及Q·f值(约5000 GHz)高的特点,但其频率温度系数τ却往往偏高(约23×10–6/℃)。为此,系统研究了非化学计量比下Li含量对LNT陶瓷微波介电性能的影响。实验结果表明,Li含量增加能有效调节LNT陶瓷的频率温度系数至近零而不影响其他性能。当Li含量过量5%(质量分数)时,LNT陶瓷具有最佳性能:εr=69.73,Q·f=5 543GHz(=3.518 GHz),τf=–4.4×10–6/℃。     

微型笔直写技术制备厚膜温度传感器阵列研究

利用微型笔直写技术,在Al2O3陶瓷基板上制备了4×4厚膜PTC热敏电阻温度传感器阵列。研究了驱动气压、笔嘴直径以及直写速度等对厚膜PTC热敏电阻线宽的影响,分析了微型笔直写PTC热敏电阻温度传感器的形成机理。目前微型笔在Al2O3陶瓷基板上直写的厚膜PTC热敏电阻线宽为130~400μm。高温烧结后其电阻温度系数αR为1620×10–6/℃,在25~95℃之间电阻阻值随温度的变化具有良好的线性。     

掺杂Bi_2O_3对Ba_4Sm_(28/3)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷性能的影响

以Ba4Sm28/3Ti18O54微波介质陶瓷为基础,掺杂Bi2O3进行协调改性,形成固溶式为Ba4(Sm1–yBiy)28/3Ti18O54的结构。结果表明,掺杂Bi2O3能很好地把Ba4Sm28/3Ti18O54微波介质陶瓷的烧结温度降低至1260℃,当y=0.15时,能得到介电性能较佳的微波介质陶瓷:εr约为81,tanδ约为5×10–4,τf为–21×10–6℃–1。     

Bolometers operated at 0.1 K and 0.2 K cooled by adiabatic demagnetization

We have constructed bolometers operating at temperatures of 0.1 K and 0.2 K cooled by adiabatic demagnetization. The electrical noise equivalent power (NEP) of the bolometers was found to be 1.8×10^?16 W/Hz^1/2 and 6.6×10^?16 W/Hz^1/2 respectively. These values are within a factor of two of the expected performance based upon bolometer theory. The thermistor material used was gallium doped single crystal germanium, for which we find a resistivity temperature dependence of the form ρ = ρ^o exp (AT^?1/2).     

Ca_(0.125)(Li_(1/2)Sm_(1/2))_(0.875)TiO_3微波介质陶瓷的低温烧结

研究了复合烧结助剂Na2O-CaO-B2O3(NCB)氧化物和Li2O-B2O3-SiO2-CaO-Al2O3(LBSCA)玻璃料的添加量对Ca0.125(Li1/2Sm1/2)0.875TiO3陶瓷相结构、烧结性能及介电性能的影响。当w(NCB)为10%,w(LBSCA)为1%~5%时,该陶瓷为斜方钙钛矿结构。随w(LBSCA)的增加,致密化温度和饱和体积密度降低,εr、Q·f值及τf呈下降趋势。当w(NCB)为10%,w(LBSCA)为2%时,陶瓷可在900℃烧结获得最佳性能:εr为63.00,Q·f为1260GHz,τf为–9.02×10–6℃–1。     

长波长光纤通讯用的In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP PIN光电二极管

本文通过对正面光照型(由p~+-InGaAs层注入光子)和背面光照型(由n~+-InP层注入光子)两种结构的比较,讨论了高性能正面光照型InGaAs PIN光电二极管的设计原则和理论模型.重点分析了器件反向I-V特性、量子效率、脉冲响应时间等问题.所研制的器件性能如下:在工作偏置V_(op)=-5V时,暗电流密度J_D=2.5×10~(-6)A/cm~2;结电容C_j=0.7pF;量子效率η=85%(λ=1.3μm);脉冲响应时间△τ=100ps     

B位Sn4+取代铌锌酸钡陶瓷及其介电性能

向铌锌酸钡中添加适量的锡酸钡,使Sn4+取代B位的Zn以改善其介电性能。锡酸钡为立方钙钛矿结构,正值温度系数τC约为+190×10–6℃–1。锡离子的引入会增大钙钛矿晶胞中B位阳离子的平均半径,致使氧八面体阴阳离子间的空隙减小,降低晶格的非简谐相互作用,造成衰减因子γ减小,tgδ降低。当锡酸钡添加量(摩尔分数)为0.226或0.32时,其τC接近于0,τf位于(–5～0)×10–6℃–1。     

Co和Ca掺杂对(Mg0.7Zn0.3)TiO3系微波介质陶瓷性能的影响

采用固相反应法制备了(1-y)(Mgo.7Zn0.3)1-xCoxTiO3-yCaTiO3(MZCCT)(x=0～0.2,Y=0.03～0.09)微波介质陶瓷.研究了Co和Ca掺杂对所制陶瓷的相结构、烧结性能和介电性能的影响.Co掺杂后,MZCCT陶瓷的密度增大,Q·f值从90 000 GHz提高到152 000 GH...