YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体声子谱的动态研究

测定了YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导体在室温至10K的中红外透射光谱,发现超导相YBa_2Cu_3O_(7-δ)相与其它相的中红外透射光谱存在巨大差异,且与超导性能密切相关.从声子选择定则的群论出发,讨论了强电子-声子耦合对高T_0超导电性的作用     

Sb^5＋掺杂对YBa2Cu3O7—y高Tc超导陶瓷工艺的影响

本工作研究了YBa_2Cu_3O_(7-y)超导陶瓷的制备工艺,通过Sb~(5 )掺杂,改善了工艺条件,扩展了烧结温区,制备了T_c为80K的YBa_2Cu_(1-x)Sb_xO_(7-y)(0≤x≤0.15)超导陶瓷材料,并从理论上分析讨论了Sb~(5 )的作用机理。     

YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜的离子束改性

本文主要研究了离子注入对YBa_7Cu_3O_(7-x)薄膜超导性质的影响.测量了Ar离子注入剂量与超导转变温度T_c之间的关系.实验结果表明,高质量的YBa_2Cu_3O_(7-x) 超导薄膜具有一定的抗辐照性.随着注入剂量的增加,临界电流密度I_c下降很快,但零电阻转变温度T_c却下降较慢.分析和讨论了离子注入对YBa_2Cu_3O_(7-x)中一维Cu-O链和二维Cu-O面的影响,探讨了离子束改性手段在YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜图形加工中应用的可能性.     

掺杂YBa2Cu3—xMxOy（M=Fe,Al,Zn）红外光谱的研究

首先报道并系统地研究了掺杂YBa_2Cu_(3-x)M_xO_y(M=Fe,Al,Zn)体系的红外光谱,证明了YBa_2Cu_3O_(7-δ)中:p1(630cm~(-1))红外峰在正交相中确实属于一维Cu—O链上氧空位诱导的准局域模和α轴上Cu_1—O_5—Cu_1局域模的叠加;p2(580cm~(-1))红外峰在高氧相中不能观测到是由于受二维电子气的屏蔽,而并非是二维CuO_2网络中氧空位诱发的Cu—O准局域振动模;p3(550cm~(-1))红外峰即沿c轴O_4—Cu_1—O_4局域振动模,由于YBa_2Cu_3O_(7-δ)的二维特性不受二维电子气的屏蔽效应的影响,因此它在正交相和四角相强度变化不明显。同时还讨论了掺杂对YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导电性及结构的影响。     

用氧化物高温超导体证实约瑟夫逊特性

<正>据日本《电子情报通信学会志》1992年第1期报道,日本东芝公司首先用高温超导体的叠层型结构证实了约瑟夫逊特性。所制成的结具有在SrTiO_3衬底上依次重叠高温超导体YBCO(YBa_2Cu_3O_7),氧化物常导体PBCO(PrBa_2Cu_3O_7)和YBCO的三层结构。在30K温度下观察约瑟夫逊结中原有的夫琅和费衍射图。     

长脉冲激光沉积原位生成YBaCuO超导膜

用长脉冲激光(脉冲宽度150μs,波长1.06μm)辐照高温烧结的YBa_2Cu_3O_(7-x)靶,在6Pa的氧气压强下,巳在(100)YSZ单晶衬底上原位生成YBa_2Cu_(?)O_(7-x)超导膜。衬底置于750℃的加热器上,衬底与靶之间的距离5cm,用该法制得的薄膜光亮坚实,正常态呈金属性,零电阻温度为84.7K。用XRD和SEM对薄膜进行了分析研究。     

喷涂法制备超导薄膜

用钇、钡、铜的硝酸盐水溶液喷涂在氧化锆单晶基片上,已制备了零电阻温度为83.4K 的 YBa_2Cu_3O_(7-δ)超导薄膜。文中给出了 XRD、SEM 图和电阻温度曲线,并对结果进行了讨论a     

SiCf/Ti-6Al-4V基复合材料界面晶格常数变化的CBED研究

本实验采用会聚束电子衍射(CBED)方法,研究3种不同状态SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近α-Ti晶粒的晶格常数变化.结果表明:在纤维-基体界面区域,靠近界面处晶格常数变化较大,随距界面反应层距离增大,晶格常数的变化趋近缓慢.有C涂层SiC纤维制成的复合材料中晶格常数变化比无C涂层复合材料晶格常数变化小.相比制备态复合材料,热暴露无C涂层SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面处,晶格常数变化较为缓和.     

C取向GdBa2Cu3O7—X膜中a,b取向小颗粒钉扎的TEM研究

C取向YBa_2Cu_3O_(7-x)超导薄膜中已获得了高临界电流密度Jc=10~6A/cm~2。随着薄膜的应用,磁通钉扎的机理越来越为人们所重视。外加磁场在平行于YBa_2Cu_3O_(7-x)的a—b平面时,a—b面会产生本征钉扎,形成高密度的临界电流密度,但垂直于基片方向的高密度电流在应用中也是需要的。     

高JC超导材料磁通分布的电镜研究

在减压降温液氮温区(约64K),采用磁缀饰法(即高分辨Bitter图法),分别在熔融织构生长(MTG)的YBa_2Cu_3O_7超导体和射频溅射制备的单晶外延YBa_2Cu_3O_7薄膜上用KYKY-1000 B SEM观察到超导体的磁通分布图,属无序非晶态结构。在MTG超导体中得到清晰的孪晶界、层界和晶体缺陷对磁通的钉扎图象。最强的钉扎中心出现在尺寸较大的Y_2BaCuO_5(211)第二相粒子周围。     

定向合成YBa_2Cu_3O_x的新工艺

研究了YBa_2Cu_3O_x氧化物超导体的合成机理,分析了粉料结块的原因,讨论了BaCO_3热分解速率缓慢以及合成反应不充分等问题。在此基础上提出了定向合成单相YBa_2Cu_3O_(7-δ)的新工艺。     

YBa2Cu3O7—X／W和y2o3／w热场发射阴极研究

作者研制成功了YBa_2Cu_3O_(7-x)/W和Y_2O_3/W两种场发射阴极,并得到了相应的场发射图象。由场电流和电压测量,再经F-N公式计算,可确定YBa_2Cu_3O_(7-x)/W场阴极在室温下的逸出功为4.1eV。在相同几何参数和电参数下,Y_2O_3/W的场电流较钨场阴极为大,且较稳定。     

YBa_2Cu_3O_(7-y)超导体激光熔凝处理的研究

研究了利用CO_2激光对YBa_2Cu_3O_(7-y)块材,进行熔凝处理,证明可逆反应式成立。     

数值拟合YBa_2Cu_3O_(7-δ)远红外反射谱

利用Drüde及改进的Drüde模型对YBa_2Cu_3O_(7-δ)的远红外(70～360cm~(-1))反射谱进行了数值拟合,进一步得到等离子边频率及能隙频率与温度的关系,发现了150cm~(-1)声子在低温时其强度发生强烈变化,用双极化机制解释了这些现象。     

电子辐照导致(Bi,Pb)_2Sr_2Ca_2Cu_3O_y产生的结构变化

在2212和2223体系的超导氧化物中,普遍存在叠加在平均结构上的无公度调制波。对Bi系超导体,普遍认为Bi_2O_2双层上的O分布对调制结构的形成起着重要的作用。为进一步理解其结构调制现象的物理本质及Bi_2O_2层中O原子的作用,本文利用原位TEM实验,观察Bi_(1.85)Pb_(0.15)Sr_2Ca_2Cu_3O_y样品在电子辐照下的结构变化。TEM样品采用研磨法制备,将解理的片状晶体捞在Cu网支撑的C膜上进行TEM原位观察。所用电镜为H-800,加速电压为200kV。首先在1μm束斑下拍摄样品[001]晶带的选区电子衍射花样(EDP),然后改用5μm电子束斑,并且增加第二聚光镜C_2电流,使光束聚焦在样品上,以增加辐照强度,并按顺序拍摄同一区域在不     

YBa_2Cu_3O_x中22~(1/2)α_0×22~(1/2)α_0相的模型

高T_c超导氧化物中氧的配比和排列是决定材料超导性能的关键因素之一。在YBa_2Cu_3O_x中HREM和ED研究发现了2a_0,3a_0等由氧有序引起的超结构。所有YBa_2Cu_3O_x试样,不论其初始氧含量如何,500℃左右在真空中加热,均可看到如图1所示的电子衍射图。这就是2(2~(1/2))a_0×2~(1/2)a_0相,对他的本质尚有争议。为了进一步研究这个相的本质,我们构筑了     

YBa_2Cu_3O_(7-δ)体系中620～640cm~(-1)红外谱峰本质的研究

在群论分析的基础上,研究了620～640cm~(-1)红外光谱峰的峰型、峰频、峰半宽度及强度随淬火温度的变化规律.证实了在YBa_2Cu_3O_(7-δ)处于正交相时,该峰本质上是α轴Cu-O-Cu局域模B_(3u)和一维Cu-O准局域模B_(2u)迭加而成,处于四方相时,两模简并成一个模.并讨论了YBa_2Cu_3O_(7-δ)中载流子对入射红外辐射的屏蔽效应.     

固体磷酸催化剂中活性相的晶体结构与形貌的电镜研究

1.利用电子衍射几何构图法确定固体磷酸催化剂中活性相的晶格常数。(1)正磷酸硅(Si_3(PO_4)_4)属于三角晶系,其晶格参数a_r=b_r=c_r=9.26A,α=50。(2)焦磷酸硅(SiP_2O_7)属于单斜晶系,其晶格参数a=4.7,b=12.0,c=7.6A,β=91。2.在TEM和SEM上观察了两种活性相的结晶形态特征。正磷酸硅呈规则六边形,片晶面法线为Ch轴方向。焦磷酸硅具有棱柱状外形。棱平行于a方向,而b与c在棱柱的横截面内。     

不同氧含量YBaCuO超导体远红外反射光谱研究

对YBa_2Cu_3O_(7-δ)块材料进行了空气淬火实验和红外反射光谱测量。利用Drude模型及Lorentz声子研究反射光谱,得到载流子浓度与淬火温度关系。利用声子的异常敏感性讨论了反射光谱中声子强度的变化。     

Y-Ba-Cu-O高温超导材料研究

用常规电子陶瓷工艺制备了YBa_2Cu_3O_(7-8)高温超导陶瓷材料。该材料的致密程度良好,密度为4.97g/cm~3(为理论密度的77％)。零电阻温度T_c=91.0K,交流抗磁百分比k达99％。材料具有很好的稳定性和抗潮解性,已用其加工制成微波谐振腔。