在Ag导电胶上化学镀铜工艺

概述了由Ag导电胶形成的Ag导电膜上的化学镀铜工艺,其特征在于采用新的活化工艺取代传统的Pd催化剂,可以在Ag导电膜上形成均匀致密,无镀层扩展和优良附着性的化学镀铜层,特别适用于印制板的Ag导电胶上选择性化学镀铜。     

利用化学镀和激光照射在有机树脂基板形成微细图形

概述了利用化学镀和激光照射形成PCB的微细铜图形。玻璃纤维环氧树脂板浸渍于Pd2+溶液中,采用化学镀铜在环氧树脂上沉积铜层。镀铜以后采用脉冲Nd-YAG激光通过可变虹彩膜片和凸透镜照射到镀铜层样品上,以便在空气中或二次蒸馏水中局部的除去铜。铜除去区域的宽度随着激光功率的增加而增加,随着激光束扫描速率的降低而增加。当在二次蒸馏水中照射激光时,激光照射区域周围的铜层卷起,结果形成不清晰的图形。在空气中照射激光,可以在环氧树脂上形成宽度/间隙为60μm/20μm的微细铜图形线圈。     

员工培训实用基础教程（四）

4．2孔导通化工艺（改进式工艺方法） 化学镀铜工艺在电子工业中应用十分广泛。在印制电路板制造过程中，用化学镀铜工艺实现孔的导通化，再进行通孔电镀铜加厚，使双面或多层板的线路实现互连。在大规模集成电路（VLSI）和超大规模集成电路（ULSI）生产过程中，需要在半导体晶片上形成多层的极薄金属层，然后再蚀刻成尺寸极小的金属线，这也需要进行化学镀铜工艺。所以化学镀铜的用途是很广也很重要的。     

化学镀铜Si基底上碳纳米管薄膜强流脉冲发射稳定性研究

为了研究碳纳米管薄膜在强流连续多脉冲下的发射特性,采用酞菁铁高温热解方法在化学镀铜硅基底上生长了碳纳米管薄膜(Si/Cu-CNTs),作为强流脉冲发射阵列。在20GW脉冲功率源系统中采用二极结构对Si/Cu-CNTs薄膜进行连续多脉冲高电流发射测试,结果表明:连续多脉冲情况下,峰值电场达到29.1V/μm,发射电流密度为0.892kA/cm2时,Si/Cu-CNTs薄膜仍具有良好的发射可重复性,连续发射的每个电流波形基本一致,发射稳定性好。     

皮秒激光熔覆硼掺杂硅纳米浆料的实验研究

采用硼掺杂的硅纳米颗粒和有机载体混合配制的硅浆料作为原料,以标准太阳能电池工艺中的预处理硅片作为基片,在硅片背面丝网印刷硅浆料,烘干后形成硅纳米薄膜,经皮秒激光熔覆形成掺杂的硅熔覆层,同时硼元素扩散进入硅基片。采用激光形貌仪、扫描电子显微镜、二次离子质谱等手段分析了熔覆层的组织结构和硼元素的掺杂情况。结果表明,皮秒激光形成的硅熔覆层组织均匀致密,与基体之间结合紧密,无裂纹、孔洞等缺陷。硅熔覆层中的硼掺杂浓度最高达到3×1019 atom/cm3,在硅基体内扩散深度为0.5~1μm。在中电电气(南京)光伏有限公司太阳能电池生产线上进行了电池制备实验,平均光电转换效率达到20.3%。     

脉冲激光沉积类金刚石膜红外增透技术研究

针对传统方法制备类金刚石(DLC)膜存在的3～5μm波段红外透过率低这一难题,采用飞秒脉冲激光沉积(PLD)法在红外材料硅基底上镀制DLC膜.重点考查了靶材与基片的间距、背景气压、激光单脉冲能量、负偏压、温度以及掺硅量等工艺参数对其透过率的影响,经过大量的实验与优化分析,总结出一套有效的脉冲激光沉积DLC膜工艺来制备优良的光学保护增透膜.相比传统工艺,大大提高了3～5μm波段的平均红外透过率,在硅基底上单面镀制DLC膜的最高红外透过率达到了68.2%,与理论最高值的68.7%仅相差0.5%.     

超声波在陶瓷基片化学镀铜中的作用研究

采用了将超声辅助化学镀铜工艺与传统化学镀铜工艺对比的方法，研究了超声波辅助处理在陶瓷基片化学镀铜（包括前处理）中的作用，结果表明：超声波辅助处理影响化学镀铜的全过程，具体体现为：超声波辅助除油及粗化处理有利于形成致密、表面平整度高的铜层、超声波辅助敏化和活化处理使铜层表面的平整度下降，超声波辅助处理对化学镀中铜的均匀沉积不利。同时分析了超声波辅助处理对沉积速率及铜层显微硬度的影响。     

硅基金字塔结构光控太赫兹调制器

提出一种硅基金字塔结构光控太赫兹波调制器。通过化学刻蚀方法在高阻硅基底形成微米级的金字塔结构,研究该结构与高阻硅片对激光的反射率及对太赫兹的调制情况。实验表明,金字塔结构可有效降低激光反射率,提升激光利用率,并且通过增加太赫兹波调制面积,达到显著增强太赫兹波的调制效果,其调制深度达到90%以上。该硅基金字塔结构光控调制器可在极低的激光功率下工作,具有宽带、大幅度调制的特点,在太赫兹成像领域具有重要应用价值。     

印制板金属化孔的直接电镀技术

1 前言 自六十年代中期,化学镀铜用于印制板金属化孔至今已有三十年的历史。在此期间,为提高化学镀铜溶液的稳定性,为简化工艺进行厚的化学镀铜,为用于全加成工艺改善化学镀铜层的物理性能及对化学镀铜溶液的自动控制管理等方面进行了大量的研制工作,不断取得新进展,大大支持了印制电路技术的发展。 随着世界环境保护意识的提高,对“三废”排放提出了更加严格的标准,而化学镀铜溶液中甲醛对生态环境有     

员工培训实用基础教程（三）

在多层印制板制造过程中，传统孔金属化工艺使用很长时间，大致分成三大步：第一步基体镀前处理：为获得良好的化学镀铜层提供必备的基体表面。第二步活化处理：在清洁的基体表面上形成催化中心，在化学镀铜过程中起到“活化种”的作用，使不导电的基体表面能沉积上铜镀层。第三步就是化学镀铜。     

PCB高稳定性中速化学镀铜工艺研究

主要研究微量添加剂对化学镀铜镀液沉积速率及镀液稳定性的影响,通过试验筛选合适的微量添加剂,在不改变化学镀铜镀液主反应物质含量的情况下实现镀速提高和镀液稳定性增加。开发出的高稳定性中速化学镀铜工艺,其性能满足PCB工业化生产。     

化学镀厚铜故障的处理

化学镀厚铜不需要电镀设备和昂贵的阳极材料,沉铜后经防氧化处理即可进入图形转移工序,然后直接进行图形电镀,缩短了生产流程,有着非常广泛的应用。但由于化学镀厚铜沉积时间长,镀层较厚,在生产中如果参数控制不到住,容易出现镀层起皮和结合力差等问题。文中对某厂在化学镀厚铜过程中出现的一次孔口起皮故障进行了原因分析和跟踪,提出了预防出现类似问题的方法。     

铜掺杂多孔硅的光致发光及其载流子的复合过程

采用浸泡镀敷的方法在多孔硅表面形成了一镀铜层,通过对掺铜前后多孔硅的光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外(FTIR)吸收光谱的研究,讨论了铜在多孔硅表面的吸附对其光致发光的影响。实验表明,掺铜多孔硅的光致发光谱出现两个发光带,其中能量较低的发光带随主发光带变化,并使多孔硅的发光峰位蓝移。多孔硅发光峰位的蓝移,是由于在发生金属淀积的同时伴随着多孔硅表面Si的氧化过程(纳米Si氧化为SiO2)的缘故。     

Evolution of metal plating for silicon solar cell metallisation

Increasing silver prices and reducing silicon wafer thicknesses provide incentives for silicon solar cell manufacturing to develop new metallisation strategies that do not rely on screen printing and preferably reduce silver usage. Recently, metal plating has re‐emerged as a metallisation process that may address these future requirements. This paper reports on the evolution of metal plating techniques, from their use in early silicon solar cells, to current light‐induced plating processes. Unlike screen‐printed metallisation, metal plating typically requires an initial patterning step to create openings in a masking layer for the subsequent self‐aligned metallisation. Consequently, relevant recently‐developed dielectric patterning methods are also reviewed because, in many cases, the plating process must be adapted to the properties of the patterning method used. The potential of new light‐induced plating processes to form cost‐effective copper metallisation is supported by the recent activity in the development of metal plating tools for commercial silicon solar cell manufacture. Copyright © 2012 John Wiley & Sons, Ltd.     

PCB化学镀镍漏镀现象分析

文章阐述了不同尺寸铜盘连接状况、掩蔽作用等对漏洞的影响,发现孤立的小铜盘（0．1mm）比大尺寸的铜盘（〉0．1mm）更易发生漏镀,即漏镀易发生在小尺寸铜盘上,主要的原因与置换钯的速率不同相关。至于因掩蔽引发的漏镀现象,主要与平衡电化学势作用相关。在活化过程中,电子转移主要决定了漏镀发生与否。     

钨粉化学镀铜对压制性能的影响

通过钨粉表面化学镀铜,使其表面包覆一层均匀的诱导铜膜,以此制备W-15Cu电子封装材料。采用扫描电镜和双对数压制方程理论分析,研究钨粉表面化学镀铜含量对钨粉压制性能的影响,结果表明钨粉表面化学镀铜可改善其压制性能,且随化学镀铜含量的增加,压制同等生坯密度的制品压力增大。     

亚铁氰化钾添加于次亚磷酸钠还原化学镀铜的试验优化

化学镀铜技术是印制电路中的重要部分,采用正交实验法研究了以次亚磷酸钠为还原剂添加亚铁氰化钾的化学镀铜溶液,得到了的最佳参数和条件.镀液中添加亚铁氰化钾可以显著降低沉积速度,使镀层变得均匀致密,形貌得到改善,电阻率明显降低,镀层中镍的含量也有所降低.     

Localized Ligand Induced Electroless Plating (LIEP) Process for the Fabrication of Copper Patterns Onto Flexible Polymer Substrates

The “ligand induced electroless plating (LIEP) process” is a simple process to obtain localized metal plating onto flexible polymers such as poly(ethylene terephtalate) and polyvinylidene fluoride sheets. This generic and cost‐effective process, efficient on any common polymer surface, is based on the covalent grafting by the GraftFast process of a thin chelating polymer film, such as poly(acrylic acid), which can complex copper ions. The entrapped copper ions are then chemically reduced in situ and the resulting Cu⁰ species act as a seed layer for the electroless copper growth which, thus, starts inside the host polymer. The present work focuses on the application of the LIEP process to the patterning of localized metallic tracks via two simple lithographic methods. The first is based on a standard photolithography process using a positive photoresist masking to prevent the covalent grafting of PAA in designated areas of the polymer substrate. In the second, the patterning is performed by direct printing of the mask with a commercial laser printer. In both cases, the mask was lifted off before the copper electroless plating step, which provides ecological benefits, since only the amount of copper necessary for the metallic patterning is used.