大束流离子注入机能量污染的研究

能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染，产生的原因及降低能量污染的方法。     

大束流离子注入机能量污染的研究

能够精确控制离子注入的能量从而控制掺杂的深度是离子注入机的重要特征。本文讨论了大束流离子注入机能量污染，产生的原因及降低能量污染的方法。     

离子注入机靶室尘埃污染与系统改造

讨论了离子注入机尘埃污染的原因 ,给出了用冷凝泵系统取代扩散泵系统的改造实践 ,并提出了预防维修措施以全面减少尘埃污染。     

大角度离子注入机中的颗粒污染

针对大角度离子注入机中的颗粒污染进行了分析和探讨,着重描叙了颗粒的产生,对注入掺杂的影响;介绍了颗粒的测量和监控;重点列出了如何从设计上减少颗粒污染的产生途径以及生产设备怎样预防颗粒污染。     

一台专用强流氧离子注入机的研制

制备SOI材料的SIMOX技术因其工艺简单、易控制、重复性好、成本低、易向商业化过渡等优点而引起了S0I材料界更为广泛的关注。SIMOX技术所需要的最关键的设备就是大束流专用氧离子注入机。专用氧离子注入机与常规离子注入机有较大的区别：注氧时间长，注入剂量大，注入过程中要求晶片保持600℃左右的高温，金属污染非常低。本文着重介绍一台专用强流氧离子注入机主要结构单元的研制方法及工艺试验结果分析。     

生物洁净室的污染控制

生物洁净室的目的是控制细菌污染。通过对细菌特性、来源及污染途径的分析,确定了全方位、全过程控制的基本思想,即污染源控制,污染传播过程控制和交叉污染控制,通过分析微粒的运动特性,提出了空气途径污染的主要手段是气流流动控制和表面污染控制,最后分析了交叉污染的形成原因及其防治措施。     

LC—2A型离子注入设备的某些改进

本文叙述了弗里曼(Freeman)离子源体联接在LC-2A型中能离子注入机上的应用;表明了弗里曼离子源体与LC-2A型中能离子注入机光路系统相吻合后,可以茯得较大束流;这样,满足了我所半导体集成电路研制工艺中高剂量离子注入掺杂要求;文章还讨论了LC-2A型离子注入机束流增大后引起的诸如离子流的污染、磁分析器扁管防“穿通”、以及样品热聚积效应问题。     

BF_2~+离子注入时磷杂质离子污染控制的研究

同一台离子注入机B,P离子交叉注入,残留的磷和BF3分解产生的F生成50PF ,成为难控隐患.研究指出,实际注入晶圆的平均质量数,呈以目标离子质量数为中心的正态分布;49BF2 与50PF 因质量数接近而存在可能的重叠分布区,这是出现磷污染的原因;指出改善质量分析器的控制精度,可在线调控以避免磷污染.通过比较发现,当质量分析器设定为49±0.5且注入高束流达800μA时,离子注入机不能侦测到临近目标质量数的杂质离子.离子注入机经80 h注入31P 后再交叉注入的老化实验准备,当引孤电流达3 100 μA时,电性测试发现,质量分析器设定为49±0.3(质量分辨率m/△m=169.3)的样品无磷污染.进一步研究了多重老化因素叠加效应,经同样的老化实验准备、引弧电流为3 100 μA且注入束流为800 μA时,注入剂量为2.2×1015的49BF2 ,当质量分析器严控为49±0.3,经SIMs(secondarv ion mass spectrosoopy)分析二个样品均未发现磷的高能峰.改进质量分析器控制设定数值的解决方案经生产验证有效,无需Frederic Sahores(2002 IEEE)的如增加清洗频率或分离子源专用注入机等高成本方案,提高了效益与产品良率.     

BitTorrent内容污染防御技术研究

主要研究了内容污染原理、主要技术方法和防范内容污染的客户端防御机制及其防御策略改进。首先分析了BitTorrent下载原理和网络结构,对BitTorrent内容污染的主要原理以及作为内容污染前提条件的多种索引污染方法进行了研究,并详细分析了当前存在的几种内容污染手段和策略。然后进一步研究了客户端对抗内容污染的具体防御行为和整体防御机制,针对性设计并实现了若干改进的防御策略和具体算法。最后通过内容污染防御实验予以验证。     

微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p-型硅片表面的污染,采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术,对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究.结果表明,当氢氟酸溶液中同时含有ppb-水平(10-9)的铜铁杂质时,不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染,而且还导致硅片表面的碳污染,并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论.     

集中空调系统风道污染的治理

介绍了集中空调系统风道污染的事实,指出污染源头分别来自新风和回风的比重,介绍了以清洗和消毒风道为目的的国内外现有控制风道污染的方法,认为这是治标方法,最后介绍了一种治本的新理念。     

严防走“先污染后治理”的老路

由于环境保护和政府行政等原因，引起了有污染企业的搬迁行动。在这个搬迁过程中要防止污染转移和污染分散问题，严防走“先污染后治理”的老路。     

微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析

通过比较微量铜铁单独存在和共存时对p型硅片表面的污染，采用电化学直流极化和交流阻抗技术以及SEM、EDX和AES等现代表面分析技术，对未污染和受污染的硅片表面进行了初步的研究．结果表明，当氢氟酸溶液中同时含有ppb水平（1e－9）的铜铁杂质时，不但铜会沉积在硅片表面上发生铜污染，而且还导致硅片表面的碳污染，并从电化学极化电阻、元素深度分布和空间电荷效应等方面对硅片表面铜与碳污染进行了初步的分析和讨论．     

医药洁净厂房不锈钢洗刷池洁净型排水口设计

针对认证专家对洁净厂房内洗刷池原排水装置所提出的可能存在的污染洁净厂房环境风险的质疑,通过认真分析研究,认识到专家提出质疑的原因,并找到解决办法.设计出新的洁净型洗刷池排水口,消除了排水管网有可能对洁净厂房产生污染的风险.     

密闭环境空调系统二次污染问题研究

密闭环境空调系统存在一系列特殊的IAQ问题.详细介绍了密闭空间空调系统二次污染的现状、对人员健康的影响、控制措施.提出解决空调系统二次污染问题的两种思路:终点控制和起点控制.终点控制措施和起点控制措施都有其优点及缺点,适用范围也不一样.潜艇、深水工作船、宇宙飞船等密闭空间空调系统要根治二次污染问题,必须起点控制和终点控制相结合,在工程实践中逐步摸索出适用的方法.     

电路污染对电子设备贮存失效的影响及措施

通过对电子设备生产、操作过程中的直接污染及贮存环境效应所带来的间接污染等情况进行分析,探讨了电子设备长期贮存所造成的失效机理:并在此基础上,提出了降低电子设备电路污染影响的若干措施,对电子设备设计、生产和使用具有重要的参考价值.     

Chemical studies of CVD Cu deposited on Ta and TaN barriers under various process conditions

Contamination in the matrix of CVD copper films and at the interface between CVD copper films and barrier layers has been characterized using XPS, SIMS, XRD and RGA. Contamination in the CVD copper matrix has been found to increase with increasing precursor flow rate and with decreasing wafer temperature. Interfacial contamination has been investigated in an attempt to quantitatively define acceptable levels of contamination and ultimately reduce the effect of these contaminants on the integrated film stack. Sputtered copper flash layers for CVD copper deposition are also shown as highly effective for reducing the levels and effects of incorporated contamination.