不同浓度添加剂对铜镑层性能的影响

目前,随着集成电路规模的不断发展,传统的铝互连技术已由铜互连技术取代。铜的超填充主要采用Damascene工艺进行电镀。在电镀液中有机添加剂（包括加速剂、抑制剂和平坦剂）虽然含量很少,但对镀层性能的影响至关重要。本文以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了不同添加剂浓度组合对脉冲铜镀层性能的影响。     

添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响

目前,铜互连技术已成为超大规模集成电路的主流互连技术,铜的填充主要采用Damascene工艺进行电镀。有机添加剂一般包括加速剂、抑制剂和平坦剂,它们在电镀液中含量虽然很少,但对于铜电镀的过程非常关键。以Enthone公司的ViaForm系列添加剂为例,研究了每种类型添加剂对脉冲铜镀层性能的影响。     

有机添加剂对铜互连线脉冲电镀的影响

针对集成电路电镀铜技术,研究了三种有机添加剂(加速剂、抑制剂和平整剂)对铜互连线脉冲电镀的影响及其机制.采用电化学方法LCV(线性循环伏安法)和CP(计时电势法),分析了不同添加剂浓度下电镀过程的极化情况;用SEM表征了三种添加剂对脉冲电镀铜的镀层结构形貌的影响.研究发现,适当浓度的添加剂组成能显著改善镀层的覆盖度、紧致均匀性和平整性.     

超大规模集成电路铜互连电镀工艺

介绍了集成电路铜互连双嵌入式工艺和电镀铜的原理;有机添加剂在电镀铜中的重要作用及对添加剂含量的监测技术;脉冲电镀和化学电镀在铜互连技术中的应用;以及铜互连电镀工艺的发展动态.     

PCB微盲孔电镀铜填平影响因素研究

为满足含微盲孔的高密度互连印制电路板高可靠性的要求,提出了微盲孔电镀铜填平的互连工艺技术.通过对微盲孔电镀铜填平工艺影响因素的分析,主要研究了电镀铜添加剂对微盲孔电镀铜填平的影响,运用了正交试验的分析方法,得到了各添加剂的最佳浓度范围,并验证了其可行性,从而使微盲孔获得了很好的填充效果.     

文献与摘要（104）

挠性印制板电镀铜的改善 当前挠性印制板（FPC）趋于越来越薄,要求可弯折性更高,应考虑更高的互连可靠性。文章针对高密度薄FPC的铜导体连接可靠性提出电镀铜的要求,及改善电镀铜层性能的新工艺。电镀铜层性能考虑有尺寸稳定性、热应力可靠性、与化学沉铜兼容性、镀层均匀性和表面平整性等,改变传统电镀铜工艺可达到新要求。     

电镀Zn、Cu、Ni、Cr及其合金的研究进展

论述了电镀单金属锌、铜、镍、铬及其合金的主要特性、应用和研究进展。电镀锌的研究重点是开发低毒、高效的复合添加剂,电镀锌基合金得到广泛应用。电镀铜及铜合金的研究重点是添加剂作用机理和电镀新技术的开发。电镀镍及镍合金的研究重点是采用新工艺技术改善镀层性能及电沉积机理的探讨。电镀铬的发展是研制复合促进剂改善六价铬镀液的性能、研制低毒的三价铬镀液以及代铬合金镀层的开发。     

微孔电镀填孔技术在IC载板中的应用

电子产品朝更轻、更薄、更快方向发展的趋势,使印制板在高密度互连技术上面临挑战。微堆叠孔技术是一种用来产生高密度互连的方法。通常树脂、导电胶和电镀铜都可以用来进行填孔,比较其它的方法,电镀填孔技术工艺流程短、可靠性高,该文讨论不同电镀设备、操作条件和添加剂条件对填孔效果的影响。     

新型HDI盲孔填孔电镀铜技术

高密度互连(High Density Interconnect Board,HDI)印制电路板的盲孔电镀铜技术是其孔金属化实现电气互连的难点和关注重点,为此,在目前传统盲孔电镀铜技术和盲孔脉冲电镀铜技术的基础上,提出一种新型的电镀铜填孔技术,通过填孔工艺特定的镀铜添加剂,在传统盲孔电镀铜的技术上改变表面和盲孔的电流效率满足填孔要求,灵活应用于不同盲孔填充;通过试验和分析,该方法在效果、质量和成品率上均优于脉冲电镀,并可实现不同深宽比盲孔电镀铜要求,大大降低了成本。     

文献与摘要（41）

线路上镀铜层的低电阻率化铜めつき膜配线层の低比抵抗化 本文是针对半导体加工为降低线路电阻,采取线路上电镀铜层。但实际上铜电镀层的电阻率比纯铜固有电阻率高,这与受电镀液中添加剂污染有关。本文作者通过实验证实了添加剂对镀层的影响。实验过程有单一添加剂的效果和多种添加剂的效果,并通过优化添加剂含量来得到低电阻值的镀铜层。(By　原澈等 电子材料 　Vol.43 No.6 2004/6)代替焊锡的导电性粘合剂技术与市场动向はんだ代替としての导电性接著剂の技术·市场动向 导电性粘合剂(导电膏)有环境适应性好,可低温接合,适合高温使用等…     

龙门式电镀线生产75μm/75μm线镀铜均匀性探究

主要阐述我司通过对佳辉龙门式电镀线进行电镀均匀性的改善和研究,达到可以生产75μm/75μm线的工艺制作能力,以及使用龙门式电镀线制作75μm/75μm线镀铜均匀性控制要点、工艺能力维护等,为我司生产精细线路的产品提供一定的参考和制作依据。     

填孔电镀盲孔微蚀分界线成因浅析

随着PCB的轻、薄、小及高密互连的发展趋势,电镀铜填孔工艺已得到了广泛的应用,同时也伴随产生一些普通电镀未有之现象,本文主要介绍其中的一种,填孔电镀盲孔切片中孔内分界线的形成原因。     

PCB通孔镀铜添加剂

高厚径比小孔通孔电镀是PCB电镀铜的重要环节。文章将介绍一种在普通高酸低铜电镀液中加入一种吡咯与咪唑的含氮杂环聚合物的通孔电镀铜添加剂,经过通孔电镀和CVS实验结果,证明该电镀液对厚度与孔径比达到10:1的小孔(Φ=0.25 mm)的通孔电镀能力达到百分之八十五以上,具有很好的实用价值。     

PCB电镀铜工艺和常见问题的处理

印制电路板（PCB）电镀主要包括电镀铜、电镀锡、电镀镍和电镀金等。其中电镀铜是PCB制作中的一个重要工艺,文章主要介绍电镀铜的工艺技术、应注意的操作技术问题和一些常见问题的处理方法。     

不同电镀面积计算方法探讨

电镀铜流程是印制板制造过程中非常重要的一步,孔壁镀铜厚度是影响板件可靠性的重要因素之一,PCB制造厂家和客户都十分重视孔铜的控制.在电镀生产过程中,电流密度和电镀面积是决定孔铜厚度的两个关键参数,通过这两个参数,可以利用法拉第定律来理论计算电镀铜层的厚度.但在实际运用过程中,对于全板电镀使用拼板面积(板件尺寸长x宽)做为电镀面积,而对于图形电镀使用外层线路图形面积(拼板面积减去干膜覆盖面积)做为电镀面积,往往出现实际孔铜厚度与理论计算相差甚远,这是因为没有考虑到板件上孔对电镀面积的影响.板件厚度和孔数量对实际电镀面积影响很大,本文讨论了三种电镀面积的计算方法,确定了最合适的电镀面积计算方法,并在实际生产过程中进行验证.     

电镀填盲孔取消闪镀直接填铜工艺研究

文章主要阐述HDI电路板在电镀填孔制作中的一种填铜新工艺，经垂直沉铜后取消闪镀，直接进行填铜。用正交表L16（45）安排不同介质厚度、浸酸时间、浸酸浓度、三因素进行电镀试验，进行综合分析得到了填铜的最佳参数。     

高厚径比制板深镀能力研究

现代化电子产品正朝着高度集成化的趋势发展,作为电子线路排布和元件载体的PCB的设计亦相应的朝着高层化,细孔径化的方向发展.这就给PCB的孔内镀铜带来更高的难度.要解决孔内镀铜的问题就必须提高深镀能力.一般提高电镀的深镀能力可以从改善备和调整镀液参数两方面入手,而改善设备往往需要付出昂贵的成本代价,故本文从选取合适的添加剂、调节镀液酸铜比和电镀电流参数三个因素进行研究,以寻找适合高厚径比制板较为经济的电镀方法,方便指导电镀生产作业.     

硫酸铜镀液镀铜机理概述

概述了硫酸盐镀铜的基本原理以及镀液组分的作用机理,同时给出电镀铜厚与电镀参数之间的依赖关系,对生产有一定的指导意义,希望能为新工艺的开发提供理论依据。     

密集孔PCB板电镀参数探讨

PCB电镀参数最终决定成品的铜厚,一般情况下,全板电镀成品的铜厚与药水深镀能力、产品尺寸、电镀设备效率息息相关。与此同时,产品孔密度分布同样对最终电镀完成铜厚有很大的影响,本文将从PCB孔密度分布的要素展开分析,从而阐述不同孔密度分布对电镀的影响。     

硅通孔中含有加速剂的电镀铜仿真

Filling high aspect ratio through silicon vias(TSVs) without voids and seams by copper plating is one of the technical challenges for 3D integration. Bottom-up copper plating is an effective solution for TSV filling. In this paper, a new numerical model was developed to simulate the electrochemical deposition(ECD) process, and the influence of an accelerator in the electrolyte was investigated. The arbitrary Lagrange-Eulerian(ALE) method for solving moving boundaries in the finite element method(FEM) was used to simulate the electrochemical process. In the model, diffusion coefficient and adsorption coefficient were considered, and then the time-resolved evolution of electroplating profiles was simulated with ion concentration distribution and the electric current density.