ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注.然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键.概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法.简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望.     

p型ZnO薄膜的研究进展

ZnO材料以其优良的光电特性和相对低廉的成本而倍受人们的青睐,但是要获得高质量的p型ZnO薄膜难度极大,这已成为阻碍ZnO基光电器件走向实用化的主要障碍。综述了p型ZnO薄膜掺杂面临的困难、p型ZnO掺杂理论进展及实现p型ZnO薄膜的各种掺杂方法,并对p型ZnO薄膜的各种制备工艺方法进行了概括和比较,最后指出了提高p型ZnO薄膜质量的努力方向。     

掺杂ZnO薄膜的研究现状

ZnO薄膜的性质取决于不同的掺杂元素和不同的制备工艺.概述了掺杂ZnO薄膜的研究现状,分析了不同掺杂组分对ZnO薄膜的p型转变特性、发光特性以及铁磁性质的影响,认为稀土掺杂可能使ZnO薄膜产生新的发光特性,共掺杂技术可能是实现ZnO薄膜特性改变的新途径.     

ZnO薄膜V族掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题.     

ZnO薄膜的p型掺杂研究进展

ZnO作为重要的第三代半导体材料在光电领域具有广泛的应用前景因而引起越来越多的关注,ZnO薄膜的p型掺杂是实现ZnO基光电器件的关键,也是ZnO材料的主要研究课题.本文论述了ZnO薄膜P型转变的难点及其解决方法,概述了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,提出了有待进一步研究的问题.     

p型ZnO掺杂及其发光器件研究进展与展望

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽带隙半导体,具有很多优异的的光电性能.但一般制备出的ZnO薄膜材料均是n型,很难实现p型的掺杂.ZnO的p型掺杂是实现其光电器件应用的关键技术,也是目前ZnO研究的关键课题.目前在p型ZnO的掺杂理论和实验方面都有很大的进展,对此进行了详细的分析与论述,并且展望了p型ZnO薄膜制备的前景.     

p型ZnO和ZnO同质p-n结的研究进展

ZnO基注入式发光二极管和激光器件的研究目前仍处于初级阶段．即p型ZnO和ZnOp-n结的制备与特性研究。由于ZnO薄膜中存在较强的自补偿机制，使得很难有效地施行p型元素的掺杂。本文介绍了目前国际上通用的掺杂方法．对不同方法制备的p型ZnO和ZnOp-n结的特点进行了比较分析，并讨论了目前生长高质量的突变型ZnOp-n结所面临的问题。     

ZnO薄膜的制备及p型掺杂研究进展

氧化锌是一种在声表面波传感器、压电器件以及太阳能电池等方面具有很好应用前景的材料。介绍了目前制备ZnO薄膜的主要方法,综述了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对ZnO薄膜的研究进行了展望。     

ZnO薄膜的最新研究进展

ZnO是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族半导体材料，文章详细介绍了ZnO薄膜在其晶格特性，光学、电学和压电性能等方面的研究，特别是ZnO薄膜的紫外受激辐射特性，另外，对ZnO的p型掺杂和p-n结特性的最新进展也作了探讨。     

p型ZnO薄膜研究进展

ZnO薄膜是一种应用广泛的半导体材料.近几年来,随着对ZnO的光电性质及其在光电器件方面应用的开发研究,ZnO薄膜成为研究热点之一.制备掺杂的p型ZnO是形成同质p-n结以及实现其实际应用的重要途径.近来已在p型ZnO及其同质结发光二极管(LED s)研究方面取得了较大的进展.目前报道的p型ZnO薄膜的电阻率已降至10-3Ω.cm量级.得到了具有较好非线性伏安特性的ZnO同质p-n结和紫外发光LED.本文就其最新进展进行了综述.     

氧化锌薄膜场效应晶体管的制备及工艺研究

场效应晶体管是现代微电子技术的重要组成部分.为制备氧化锌薄膜晶体管,分析了氧化锌的p型、n型掺杂特性,对p型掺杂进行了实验分析和理论探讨,比较了各种制备氧化锌薄膜晶体管的工艺特点,展示了ZnO在未来电子和光电子领域的潜在应用.     

An approach to enhanced acceptor concentration in ZnO:N films

Owing to the low doping concentration of nitrogen and strong compensation of intrinsic donors, the attainment of highly conductive p-type ZnO films remains one of the largest challenges for the application of ZnO. An approach has been proposed to increase the doping concentration of nitrogen in ZnO by exposing the ZnO:N films in the ambient of nitrogen plasma periodically in this paper. Hall measurements and photoluminescence spectroscopy indicate that this approach is effective in improving the hole concentration in ZnO films. Under the optimized conditions, a p-type ZnO film with a hole concentration of 1.68 × 10¹⁸ cm⁻³ has been achieved.     

ZnO薄膜p型转变的难点及解决新方法

论述了ZnO薄膜p型转变的难点及其解决方法的最新研究进展,并讨论了Al N H共掺杂生长p-ZnO薄膜的掺杂机制,提出多层缓冲层生长工艺以实现p-ZnO薄膜的可控掺杂,进而优化薄膜性能.     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO是一种新型的II-VI族半导体材料,具有许多优异的性能.但由于ZnO存在诸多的本征施主缺陷(如空位氧V_o和间隙锌Zn_i),对受主产生高度自补偿作用,天然为n型半导体,难以实现p型转变.ZnO薄膜p型掺杂的实现是ZnO基光电器件的关键技术,也一直是ZnO研究中的主要课题,目前已取得重大进展,文章对此进行了详细阐述.     

ZnO纳米材料的p型掺杂研究进展

随着近年来各种形貌ZnO纳米材料的生长及ZnO纳米器件的研究,ZnO纳米材料的p型掺杂逐渐成为研究的重点之一.主要介绍了ZnO纳米材料的p型掺杂及其器件研究进展,简要讨论了当前掺杂研究的局限,展望了今后的发展方向.     

Properties of N-doped ZnO grown by DBD-PLD

N-doped ZnO thin films have been grown on sapphire substrates by dielectric barrier discharged pulsed laser deposition (DBD-PLD). Low temperature photoluminescence spectra of N-doped ZnO film verified the p-type doping status to find the acceptor-bound exciton peaks with the high resolution detection. At low temperature growth, the major defects in the N-doped ZnO film were the oxygen interstitials that can combine with N, so that the N played the role as an acceptor. On the other hand, the major defects in the samples processed at high temperature were oxygen vacancies with which N doesn't play the role as an acceptor. The acceptor binding energy of N acceptor was estimated to be about 105 meV.     

Charge carrier and spin doping in ZnO thin films

Recent efforts on doping ZnO films for charge and spin functionality are reviewed, focusing on chemical doping for charge and spin device formation. Discussion includes the behavior of phosphorus as an acceptor and magnetism in transition metal-doped ZnO. Evidence for p-type behavior in phosphorus-doped (Zn,Mg)O grown by pulsed laser deposition is presented. The magnetic properties of ZnO co-doped with Mn and Sn are also discussed.