热中子辐照提高掺硼YBaCuO超导体Jc的研究

掺杂天然硼的熔融织构生长（Ｍｅｌｔ－ｔｅｘｔｕｒｅｄＧｒｏｗｔｈ）的ＹＢｘＢａ２Ｃｕ３Ｏｙ（ｘ＝０．０１５,０．０３５）超导体经注量为５＊１０＾１７ｃｍ＾－２的热中子辐照后,磁临界电流密度Ｊｃ增至３．８倍。＾１０Ｂ（ｎ,α）＾Ｌｉ、＾７Ｌｉ＊（Ｑ＝＋２．７９ＭｅＶ）核反应出射的高能粒子能在超导体中产生均分布的,可以作为磁通钉扎中心的辐照伤,以便提高Ｊｃ。掺硼超导体热中子辐照后射性副产物的半衰期较短     

5.0MeV和9.5MeV快中子辐照在GaAs中产生的辐射损伤的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命测量方法研究了５．０ＭｅＶ和９．５ＭｅＶ快中子辐照在ＧａＡｓ中产生的辐射损伤，实验结果表明１０＾１１－１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的中子辐照只产生单空位缺陷１０＾１３ｎ／ｃｍ＾３注量的中子辐照产生单空位和双空位缺陷，１０＾１２ｎ／ｃｍ＾２注量的９．５ＭｅＶ中子辐照的ＧａＡｓ经４５０－６２０℃退火产生三空位缺陷，产生的缺陷浓度随中子能量和注量的增大而增大，但缺陷产生率对中子注量更灵敏     

中压下三维内翅管中的下降沸腾两相流与传热

对中压下水在三维内翅管中的下降沸腾两相流与传热性能进行了试验研究。试验压力Ｐ＝３．９－１０．２ＭＰａ，质量流速Ｇ＝３６０＝－１２８０ｋｇ／ｍ＾２．ｓ，热流密度ｑ＝１．０×１０＾－５－１．５×１０＾６Ｗ／ｍ＾２，入口过冷度△ｔｓｕｂ＝２－５℃，平均干度数Ｘｍ＝２．５－３０％。揭示了摩擦阻力压降和传热性能随主要参数变化的工与光滑管中的传热及流阻、三维内翅管中上升沸腾两相流动时的传热与流阻性能进行了比较     

高注量快中子辐照在α—Al2O3中产生空洞的正电子湮没研究

采用正电子湮没技术研究３×１０＾２０／ｃｍ＾２中子注量，Ｅｎ≥１ＭｅＶ快中子辐照在α－Ａｌ２Ｏ３中产生的辐照效应，实验发现α－Ａｌ２Ｏ３在辐照后的８５０℃退火形成尺寸约为０．７ｎｍ的空洞。     

GaP高能重离子辐照损伤及退火的正电子湮没研究

用正电子湮没寿命技术研究２．４＊１０＾１５／ｃｍ＾２和２．２＊１０＾１６／ｃｍ＾２ ８５ＭｅＶ＾１９Ｆ离子辐照ＧａＰ的辐照损伤及其退火效应。结果表明，高低两种注量辐照在ＧａＰ中产生浓度较高的单空位。在３００－１０２３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命温度的变化。低注量辐照品在退火过程中有双空位的形成；而高注量辐照样品中观察到比双空位更复杂的缺陷形式，其完全被退火的温度比低剂量辐照的高２５０Ｋ。     

钛薄膜氢化及热释放特性研究

用高能离子非卢瑟福背散射分析和前向反冲分析方法研究了Ｃ、Ｏ污染对Ｔｉ膜的吸放氢能力的影响。实验观测到,１．２６＊１０＾１６ｃｍ＾－２和２．６＊１０＾１６ｃｍ＾－２Ｏ的双重污染可使Ｔｉ膜在３００ｎｍ的范围内存在着低的Ｈ浓度区,使氢的热释放温度大大提高。     

在WT—3上用电子回旋加热控制磁流体动力学活性

在ＷＴ－３托卡马克上，系统地研究了用局部电子回旋加热对欧姆加热等离子体中ｍ＝２，ｎ＝１磁流体动力学模的控制。发现用ｑ＝１和ｑ＝２磁面附近的电子回旋加热能同时抑制ｍ＝１和ｍ＝２模，这里ｑ是安全因子。     

在中压回路上模拟小破口失水事故喷放阶段瞬态热工水力特性

在中压热工水力回路的喷放段上设计一定的破口面积，模拟小破口失水事故喷放进行了瞬态热工水力特性实验。本实验的工况参数范围为：压力ｐ＝０．７－２．２ＭＰａ，过冷度Δｓｕｂ＝５０－１２０℃质量流速Ｇ＝１７５０－２８００ｋｇ／ｍ＾２．ｓ，热流密度ｑ＝０．３－１ＭＷ／ｍ＾２。     

山西广播电视卫星地球站电磁辐射环境影响评价

报道了山西广播电视卫星地球站环境影响的评价工作。电磁辐射环境现状调查结果表明，评价区环境电磁辐射最高值为４．７２５＊１０＾－５μＷ／ｃｍ＾２，属正常环境水平；发射天线对地面环境电磁辐射贡献最大为３．０２＊１０＾－６μＷ／ｃｍ＾２；高功放室对工作岗位电磁辐射贡献最大为３．１６μＷ／ｃｍ＾２；同时，计算了天线前方建筑物的允许建筑高度。     

高能（MeV级）氧离子注入本征型GaAs的电性能及注入损伤退火行为的研究

在本征型ＧａＡｓ中注入２．０ＭｅＶ（剂量１．０×１０＾１５／ｃｍ＾２）＋２．９ＭｅＶ（剂量１．１×１０＾１５／ｃｍ＾２）的＾１６Ｏ，使氧在约１．５－２．５μｍ之间形成均匀分布。注入样品分别经４００－８００℃、１５ｍｉｎ热退火后的电阻率测量表明，经５００℃和６００℃退火后的样品具有高的电阻率（～１０＾８Ω·ｃｍ）；而当退火温度进一步升高时，其电阻率逐渐下降，并具有ｐ型导电行为。沟道ＲＢＳ分析表明，当     

中子辐照硅的正电子湮没研究

采用正电子湮没方法研究了１．４５×１０＾２０ｎ／ｃｍ＾２和３．１０×１０＾１７ｎ／ｃｍ＾２快中子辐照高纯单晶硅的辐射损伤及其退火效应。在３４３－１０７３Ｋ温度范围内测量了正电子湮没寿命随退火温度的变化。实验观察到氧－空位对和在高中子剂量辐照的Ｓｉ中发现的双空位复合成四空位。正电子湮没短寿命成分τ１是晶格正电子寿命和氧－空位对捕获的正电子寿命的加权平均值，而长寿命成分τ２是双空位或四空位捕获的正电子     

JT—60U的高性能和电流驱动实验

本文报导了日本原子能研究所托卡马克－６０改进的最新高聚变三乘积和电流驱动实验结果。在一种更进一步改善的约束模式中，聚变三乘积达１．１×１０＾２１ｍ＾－３．ｓ．ｋｅＶ，在这种模式中，边缘区约束和芯部区约束都有改善。     

G—M计数管用于环境γ辐射监测

为测量环境γ辐射周围剂量当量,对Ｇ－Ｍ计数管的自身本底和能量响应特性进行了实验研究。采用铅,锡两种金属材料做为过滤器改变计数管的能量响应,为拓宽仪表量程采用两种尺寸计数管。两种计数管在６０ｋｅＶ至６６２ｋｅＶ范围内,Ｈ＾＊（１０）／Ｘ随能量变化与ＩＣＲＵ４７号报告结果最大偏离分别为－２３％和＋２４％,仪表量程为１０ｎＳｖ．ｈ＾－１－１０ｍＳｖ．ｈ＾－１,探测下限可达到４０ｎＳｖ．ｈ＾－１。     

用串列静电加速器获取MeV高能团簇离子束

利用复旦大学现有的串列静电加速器（ＮＥＣ ９ＳＤＨ－２）获得了能量为１－４ＭｅＶ的硼、碳、硅及金等小型高能团簇离子束：Ｂｎ＾＋（ｎ＝２）、Ｃｎ＾＋（ｎ〈１０）、Ｓｉｎ＾＋（ｎ＝２，３，４）以及Ａｕｎ＾＋（ｎ＝２）；束流强度与团簇的种类和所含的原子数有关，为０．１－１００ｎＡ量级。注入加速器的低能团簇负离子由铯溅射离子源（ＳＮＩＣＳ Ⅱ）产生，高能团簇正离子的质量鉴别用磁分析器完成，高能碳团簇负离子     

新疆电气石^60Coγ辐照变色研究

通过对新疆电气石用＾６０Ｃｏγ射线辐照、热处理可使之变以，应用ＸＲＤ、ＸＲＦ、吸收光谱实验，得出电气石改变颜色主要由ｂ位Ｆｅ＾２＋，Ｍｎ＾３＋电子的ｄ－ｄ跃迁相应的１３８００ｃｍ＾－１和１９５００ｃｍ＾－１谱所决定。 ＲＤ     

分光光度法测定dl—HMPAO冻干药盒中微量Sn（II）

采用分光光度法及Ｓｎ（Ⅱ）－Ｆｅ（Ⅲ）－邻二氮菲（Ｐｈｅｎ）体系测定ｄｌ－ＨＭＰＡＯ冻干药盒中微量Ｓｎ（Ⅱ）。在ｐＨ≈５的酸度下，Ｓｎ（Ⅱ）还原Ｆｅ（Ⅲ）生成红色的Ｆｅ（Ⅱ）－Ｐｈｅｎ配合物。该配合物的最大吸收波长λｍａｘ＝５１０ｎｍ，计算得到表观摩尔吸光系数为２．０×１０＾４ｌ·ｍｏｌ＾－１·ｃｍ＾－１。Ｓｎ（Ⅱ）浓度基０－２．５μｇ／ｍｌ内符合比尔定律。     

裂变快中子辐照在GaAs中产生缺陷的正电子湮没研究

采用自电子湮没寿命测量方法研究了注量为６．５×１０＾１５／ｃｍ＾２和１．４×１０＾１４／ｃｍ＾２，Ｅｎ≥１ＭｅＶ的裂变中子辐照在掺Ｓｉ，Ｎ型单晶ＧａＡｓ产物的缺陷，此辐照在ＧａＡｓ中产生单空位和双空位缺限，缺陷浓度于比于辐照注量，高温退火产生三空位缺陷及小空位团，单空位，双空位和三空位缺陷的退火温度分别为２５０，４５０，６５０℃。     

In^＋离子注入蓝宝石（α—Al2O3单晶）的表面改性研究

研究了〈０００１〉和〈１＾－２１０〉晶向蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３单昌）在注入３６０ｋｅＶ、１×１０＾１６ｃｍ＾－２或１００ｋｅＶ、６×１０＾１６ｃｍ＾－１的Ｉｎ＾＋后产生的损伤、注入层的性能变化和退火行为。实验结果表明，退火过程中损伤的恢复和Ｉｎ的分布与退火气氛有关：在１００ｋｅＶ、６×１０＾１６ｃｍ＾－２的Ｉｎ＾＋注入时，注入层电阻率降低了１０个量级，大小为６．８×１０＾３Ω·ｃｍ，表面损伤层的显     

心肌灌注显像剂99Tcm-Q3的制备方法学和药代动力学研究

采用正交实验筛选法制备＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｑ３（＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｎ,Ｎ－’亚乙基－二（乙酰丙酮亚胺）二「三（３－甲氧基－１－丙基）膦」）;家兔注射＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｑ３后定时采血,绘制血药时间－放射性曲线并分析其体内药代动力学。结果显示,制备＾９９Ｔｃ＾ｍ－Ｑ３的最佳配方为ＫＯＨ溶液３０μＬ,ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ溶液２０μＬ,Ｎ,Ｎ‘－亚乙基－二（乙酰丙酮亚胺）２０ｍｇ和三（２－甲摒在０－１－丙基）膦５     

固体气泡损伤探测器中子探测效率的刻度

在２＊１．７ＭＶ串列加速器上用＾７Ｌｉ（ｐ，ｎ）＾７Ｂｅ、Ｔ（ｐ，ｎ）＾３Ｈｅ、Ｄ（ｄ，ｎ）＾３Ｈｅ和Ｔ（ｄ，ｎ）＾４Ｈｅ核反应产生的２０ｋｅＶ－１９ＭｅＶ单能快中子对中国原子能科学研究院研制的固体气泡损伤探测器进行了刻度。这种探测器可用于中子能谱和中子剂量测量。