高纯氮中痕量杂质定量方法的研究及其应用

编辑按：为向广大计量工作者介绍我国计量领域科技成果及其发展水平，宣传计量科技成果所产生的社会效益和经济效益，从本期起，科学计量栏目将对1995年、1996年度计量科技成果奖项目进行系列报道。也希望获奖者踊跃投稿。高纯气体在电子、石化、煤炭、医疗卫生等许多部得到了广泛应用。也是气体计量的基础物质之一。研究高纯气体中痕量杂质的定量方法，是气体计量的重要环节，对评价高纯气体产品质量，提高标准气体的准确度有重要意义。高纯氮是应用最广泛的高纯气体之一。高纯氮中痕量杂质主要有H2、CO2、CO、CH4、Q2、H2O等，对这些…     

保定市北方特种气体有限公司4．5N高纯乙硼烷全杂质分析方法研发成功

2010年9月，保定市北方特种气体有限公司经过一年的实验，成功研发高纯乙硼烷中的O2，N2，CH4，C2H6，CO，CO2，CH3Cl的分析方法，     

使用改装的SP-2305型气相色谱仪测定气体中的微量杂质

使用氢火焰离子化检测器时,通过加装镍触媒转化管的方法,实现高纯气体中微量CO,CO2,CH4的测定.     

电子级高纯氯的研制

进行了以工业氯为原料，取化学处理的沸石为致附剂，用吸附冷凝法，制取优于99．995％的电子级高纯氯的试验研究。测定了H2O、COx的穿遥吸附容量和CO2的穿透曲线，介绍了吸附剂的筛选，再生、冷凝与尾气氯处理等试验结果。     

电子级八氟环丁烷中杂质含量的测定

介绍了一种利用氦离子化检测器(DID)分析高纯八氟环丁烷中微量O2、N2、CO、CO2、C3 F6的方法.该方法对杂质的检测限能够达到0.01×10-6,结果表明,该方法能达到较高的灵敏度和较低的检测限.     

高纯一氧化碳制备方法进展

介绍了现有的高纯CO生产技术及其特点,对我公司采用的甲醇裂解工艺进行了描述,并对日后的发展趋势进行了展望。     

P5100系列氦离子色谱仪测定高纯气体中微量永久性气体杂质的应用

介绍了P5100系列氦离子色谱仪测定高纯气体中微量永久性气体杂质的应用。P5100系列氦离子色谱仪采用三阀三柱设计,通过阀切换和选择性切割技术可一次进样同时分析H_2、O_2/Ar、N_2、CH4、CO、CO_2等永久性气体。同时可实现对上述种类气体的高纯气体中微量永久性杂质的有效分析。CO_2、H_2、O_2/Ar、N_2、CH_4、CO的最低检出限(×10~(-6))分别为0. 0291、0. 0183、0. 0192、0. 0187、0. 0195、0. 0273,满足高纯气体中微量杂质的分析要求。     

高纯液态二氧化碳的生产方法与装置

本发明是关于高纯液态CO2的生产方法及装置。用该生产方法和装置，能获得比用以往生产方法制得的99．9％纯度更高的产品。     

集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究

高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料，对实现集成电路用靶材的全面自主可控，推动集成电路产业高质量发展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求，梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状，涵盖高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制备关键技术及工程化方面存在问题的基础上，着眼领域2030年发展目标，提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点发展方向：提升材料制备技术水平，攻克高性能靶材制备关键技术，把握前沿需求开发高端新材料，提升材料分析检测和应用评价能力。研究建议，开展“产学研用”体系建设，解决关键设备国产化问题，加强人才队伍建设力度，掌握自主知识产权体系，拓展国际合作交流，以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。     

高纯六氟化硫研制成功

高纯六氟化硫是我国科研、生产等许多部门急需的特种气体，在半导体工业中用于等离子蚀刻工艺，在光导纤维制造中用作隔离层掺杂剂。高纯六氟化硫还是重要的激光材料，在其它领域也有重要用途。过去，我国使用的高纯六氟化硫全部依赖进口。     

特气文献索引

1.高纯一氧化碳的制备日本特许 72 16,408 2.高纯一氧化碳的制备日本特许 74 34,599 3.纯一氧化碳的工业生产 Justa, S. ; Tech. Chem. (Prague)(捷克文),66,22,1978. 文中叙述了纯度为99～99.9体积％的CO的工业生产方法。该法是基于以PhMe溶液中的     

GM592 DID型气相色谱仪检测高纯氩气体杂质组分的改进

GM592 DID型气相色谱仪是一款专门检测高纯气体的分析仪器,该仪器采用双柱气体切割转换分析方法,同时检测出高纯氩、高纯氮等气体中的氢气、氧气、氮气、甲烷、一氧化碳、二氧化碳等杂质的含量,其检测下限达到H2≤20×10-9,Ar/O2≤10×10-9,N2≤10×10-9,CH4≤10×10-9,CO≤20×10-9,CO2≤20×10-9,且色谱峰分离效果较好,分析结果准确度较高,但分析时间达到32 min,为了提高工作效率,缩短分析时间,对该仪器进行了改进,改进后分析时间缩短了8.5 min,经多次实验对照,使用效果较好。     

高纯硅烷中痕量CO、CO2、H2O转化色谱分析

本文叙述高纯SiH4中痕量杂质的转化色谱分析条件，装置及流程。通过弱极性有机担体柱有效地将硅烷中ppm级杂质与主组份分离，分离后的主组份经氢气氛下高温还原和电石转化生成烃类，送FID高灵敏检测，当进样量为1毫升，记录仪为1毫伏（250毫米）时，本试验所得灵敏度；CO，0.15vpm/mm；CH4，0.08vpm/mm(j样品直接送FID检测灵敏度)；CO2，0.5vpm/mm3H2O，0.3vpm/mm。同时确定了较满意的分析操作参数，提出了相应的分析流程。     

用大气压离子质谱法测量高纯氮中的氧

大气压离子质谱（ＡＰＩ－ＭＳ）法以其高灵敏度及特效性，特别适合于分析高纯气体中的痕量物质。我们用ＡＰＩ－ＭＳ法对高纯氮中的痕量氧进行了定量分析，结果表明，测量灵敏度达１×１０－９ｍｏｌ／ｍｏｌ，而测量精度优于±１０％。文中介绍了有关的取样技术及定量方法，并讨论了高纯氮中的Ｈ２Ｏ、ＣＯ２和ＮＯ等含氧化合物对氧含量测量的影响     

空分运行中气体纯度检测仪器配置及实效

介绍采用国产分析仪器,按国标规定的方法,对空分纯氮、高纯氮生产中O_2、H_2O、H_2、CO、CO_2、CH_4六种杂质进行现场控制分析,满足了生产需要,确保了产品质量。并附有相应分析数据。图4表7。     

氟碳合成高纯四氟化碳的工艺技术

随着半导体产业的迅猛发展，对高纯四氟化碳（CF4）的需求日益显现。然而，有关生产高纯CF4的技术报道较少，限制了微电子产业的发展进程。综述了国内外氟碳直接合成四氟化碳的工艺技术，并作出了展望，同时对产品纯化所涉及的碱洗、低温精馏、吸附等方法进行了概述。根据本公司现行的生产工艺，生产的高纯CF4质量好且成本低，可以满足国内市场的需要。     

CD-200型200升高纯低温容器的研制

为了满足电子工业、冶金工业、机械工业及科研等部门对高纯氧、氮气的中、小量的需要，我们研制，并小批量生产了可移动的CD-200型200升高纯低温容器。它配合我们研制成的空温式汽化器，就能以最大气量为20Nm^3／h的高纯气体提供使用。     

高纯氢氧生产装置

高纯氢氧生产装置平井清司安井信一等在电子工业中，氢和氧作为热处理气氛气和过程气而广泛使用。这些气体的纯度对产品的好坏影响很大，需要高纯氢和氧。一般情况下，氢气是通过一次纯化食盐电解和石油精制副产气，然后高压充入钢瓶等而供给的。氧气是在液化空气状态下，...     

环保监测用气体通过部级鉴定

1988年7月23日，化工部光明化工研究所研制的高纯NO、CO，H2S、SO2、n-C4H10、i-C4H10和它们的标准混合气，以及相关的金属气瓶内壁处理技术、软包装技术、配气技术和分析检测技术在大连通过了化工部部级鉴定。气体质量达到了国外同类产品的先进水平，相关的技术在国内处于领先地位。     

微量氧和微量水测定中一些问题的讨论

本文提出了高纯气体中微氧，微量水测定中遇到的渗漏，吸附，仪器精度及标定等问题进行讨论，并介绍了实测的经验和数据供大家讨论和参考。