真空微电子管特性的计算机模拟

应用FORTRAN77语言，编制了模拟计算真空微电子管特性的有限元程序，在计算机上模拟真空微电子管各参数变化时尖端场分布和尖端发射电流的影响。     

电子器件的第二次变革

本文分析了电子器件发展的两次变革，比较了真空电子器件，微电子器件和纳电子器件的结构与特性，给出了它们的理论，材料和技术上的主要差别，提出了纳电子器件的基础结构是纳米点双隧道结构成的单电子管（ＳＥＴ），纳米功能单元的超高密度集成电纳电子器件的主要特征。     

真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性，同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与结果进行了比较。     

真空微电子管的研究

综合了已有的真空微电子器件理论的研究成果，提出了真空微电子三极管优化模型，并且进行了初步计算，得到了真空微电子三极管优化模型的理论特性。同时，利用独创的无版光刻工艺制作了真空微电子三极管，进行了测试，并且与理论结果进行了比较。     

2000年薄膜与真空器件的展望

本文回顾了真空电子器件二十年来的发展，并对今后七年薄与真空薄膜与真空器件研究和生产的若干趋势作了扼要的叙述，在电子束管方面，高清晰度显像管，扁平显示管、飞点管、高分辨率等离子体监视屏等仍将继续发展并占有重要的地位，在薄膜方面，硬膜、超导膜和亚稳态薄膜的研究将仍然是真空科学方面的热点，真空微电子器件面临的选择则在于能否得到新的构思的支撑，最后对本学科总体的一些问题提出了看法。     

2000:薄膜与真空器件

回顾了真空电子器件二十年来的发展，并对今后七年薄膜与真空器件研究和生产的若干趋势作了扼要的叙述。在电子束管方面，高清晰度显象管、扁平显示管、飞点管、高分辨率、等离子体监视屏等仍将继续发展并占有重要的地位。在薄膜方面，硬膜、超导膜和亚稳态薄膜的研究将仍然是真空科学方面的热点。真空微电子器件面临的抉择则在于能否得到新构思的支撑。最后对本学科总体的一些问题提出了看法。     

电真空器件用焊接材制的发展现状与前景

一．前言 电真空器件（vacuum electronic device）指借助电子在真空或者气体中与电磁场发生相互作用，将一种形式电磁能量转换为另一种形式电磁能量的器件，如微波电子管、行波管、开关管等。电真空器件具有真空密封管壳和若干电极，管内抽成真空，     

台阶阵列阴极真空微电子压力传感器研究

本文提出并研究了一种新型台阶阵列阴极真空微电子压力传感器。与平面阵列阴极真空微电子压力传感器相比，该传感器在扩展量程和提高灵敏度方面较大的潜力，作者展示了计算机模拟计算结果和部分实验结果。     

自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在Ｕ≤５Ｖ条件下，对Ｍｏ锥和Ｔｉ锥分别获得３．７μＡ每尖锥和９．５μＡ每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流－电压特性间的关系，影     

真空技术是现代电子工业的基础

大规模集成电路的出现和发展使电子工业进入了微电子技术时代，推动了工业各部门向现代化发展。微电子技术是多学科综合应用的一门崭新的技术。其中，包括了真空科学领域内的表面与界面学、薄膜技术、材料学以及同真空技术有关的微加工技术（包括设备）和测量技术，工艺过程的绝尘技术。 随着微电子技术的发展，电子元器件、电路的尺寸越来越小，集成度越来越高，加工线宽达亚微米或更细。由于物理效应的限制，集成度达到一定程度就不能再提高，因而提出研制三维电路、光电路和生物计算机。这就需要相应的手段和技术。真空技术是基础，当今超大规模电路的制造工艺过程中有７０％的工序要在真空环境中进行，不但工艺设备要求高品质的真空条件，而且传统的超净生产环境也将为真空传输机构所代替。所以说真空技术是微电子技术发展的根本保证。如果不重视真空应用技术的研究，微电子技术方将裹足不前。 本文简述了电子材料、电子元器件、电路制造工艺过程与真空技术的关系。用真空传输系统联接芯片制造的工艺设备，使芯片制造全过程处于真空环境中替代大型的超净场房，将会进一步提高生产环境的洁净度（真正达到绝尘），控制了有害气体，并降低了超净间造价，减少了超净环境对工作人员超常损害。     

自封闭低电压真空微电子二极管阵列研究

对真空微电子二极管阵列的结构及其制造工艺技术进行了研究，重点集中在该类器件的核心，即场致发射尖锥阵列的制造及自封闭真空空腔形成技术的研究。采用不同的阴极发射尖锥材料，在优化的几何结构和工艺条件下研制成功了性能良好的自封闭低电压真空微电子二极管阵列，在U≤5V条件下，对Mo锥和Ti锥分别获得3．7μA每尖锥和9．5μA每尖锥的发射电流。同时对真空微电子二极管阵列的结构参数与电流-电压特性间的关系，影响场发射特性的各种因素进行了分析讨论。     

纳米电子器件呼唤真空化学研究

纳米电子器件是微电子器件发展的下一代，现有微电子器件的主要材料是极纯的硅、锗和镓砷等晶体地体。纳米电子器件有可能是以有机或有机／无机复合本薄膜为主材料，要求纯度更高，结构更完善。真空制备的清洁环境，有希望加工组装出纳米电子器件所要求的结构。故本建议开展真空化学研究。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光平板显示器件的场发射特性，并获得了结果。     

真空微电子荧光平板显示器件的实验研究

描述了真空微电子荧光平板显示器件的工作原理，提出了采用反应离子刻蚀法制作大规模场致发射阵列的工艺，在动态真空系统中测定了荧光平板显示器件的场发射特性，并获得了结果。     

面向21世纪的真空微电子学

本文概述了真空微电子学的研究领域、基本特点、冷阴极发射源、真空微电子器件与电路、真空微电子学的应用前景及发展趋势。     

高频逆变真空电弧蒸发电源

高频逆变真空电弧蒸发电源是现代电力电子技术与微电子技术的综合产物，因其具有高效节能、形小体轻、真空电弧稳定等特点，势必发展成为新一代电弧蒸发电源。本文就其主要工作原理、设计计算、实验数据等进行了分析研讨，并举电路实例供参照     

高频逆变真空电弧蒸发电源

高频逆变真空电弧蒸发电源是现代电力电子技术与微电子技术的综合产物，因其具有高效节能、形小体轻、真空电弧稳定等特点，势必发展成为新一代电弧蒸发电源。本文就其主要工作原理、设计计算、实验数据等进行了分析研讨，并举电路实例供参照     

金刚石薄膜电子场发射研究进展

综述了近来金刚石和类金刚石薄膜电子场发射性能的研究进展，金刚石薄膜是出色的场发射材料，由于其很低的或者是负的电子亲和势（导带能级粒于真空能级之上）和良好的化学稳定性，在真空微电子和场发射显示领域具有广阔的应用前景。     

高频逆变真空电弧蒸发电源

高频逆变真空电弧蒸发电源是现代电力电子技术与微电子技术的综合产物，因其具有高效节能、形小体轻、真空电弧稳定等特点，势必发展成为新一代电弧蒸发电源。本文就其主要工作原理、设计计算、实验数据等进行了分析研讨，并举电路实例供参照     

过滤式真空电弧离子镀膜技术及应用

介绍了一种新的镀膜技术—过滤式真空电弧离子镀膜技术。针对典型的过滤式真空电弧镀膜装置，描述了其结构组成，分析了它的工作原理。分析结果表明，该技术与传统真空电弧离子镀膜技术相比，可有效地消除宏观颗粒对镀层的污染，可广泛应用于制作各种微电子膜透明导电薄膜（ＩＴＯ）以及类金刚石（ＤＬＣ）薄膜。