共查询到20条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
2.
3.
对1.3μm和1.55μm波长的Si1-xGex波长信号分离器(WSD)和Si1-xGex/Si应变超晶格(SLS)红外探测器的集成结构进行了系统的分析和优化设计.优化结果为:(1)对Si1-xGexWSD,Ge含量x=0.05.波导的脊高和腐蚀深度分别为3μm和2.6μm.对应于λ1=1.3μm和λ2=1.55μm波长的波导脊宽分别为11μm和8.5μm.(2)对Si1-xGex/SiSLS探测器,Ge含量x=0.5.探测器的厚度为550nm,由23个周期的6nmSi0.5Ge0.5+17nmSi组成. 相似文献
4.
本文论述了在制备高矫顽力的Sm2Fe17Nx磁粉过程中,HDDR工艺的应用。研究SmFe17的氧化歧化行为,在600℃-1100℃氢化处理畴,Sm2Fe17相分解为α-Fe和Sm化合物,随后热处理真家脱氢,蜂窝状2m2Fe17相直径大绚50-500nm,经775。HDDR工序处理和氢化Sm2Fe17粉8.7KOe高的矫顽力。 相似文献
5.
6.
作者首次用X射线双晶衍射技术对注入As+的Si0.57Ge0.43合金的晶格损伤消除和应变弛豫进行了研究,并与未注入AS+的Si0.57Ge0.43合金的应变弛豫进行了比较.结果表明,退火后,注入AS_的Si1-xGex外延层中的应变分布不同于未注入AS+的应变分布.对于未注入As+的Si0.57Ge0.43样品,其X射线衍射峰的半宽度FWHM由于退火引起应变弛豫导致镶嵌结构的产生而展宽.对于注入As+的Si0.57Ge0.43样品,950℃的快速退火过程可以有效地消除晶格损伤,使晶格得以恢复,且其退火后的 相似文献
7.
8.
纳米硅薄膜结构特性研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在电容式耦合等离子体化学气相沉积系统中,使用高氢稀释硅烷为反应气体制备出了晶粒尺寸为2~10nm的纳米微晶相结构的硅薄膜,使用高分辨电子显微镜(HREM),X射线衍射谱(XRD),X射线光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)等结构分析手段检测了其结构特征.结果表明,纳米硅薄膜的晶格结构为畸变的金刚石结构.X射线衍射谱表明除了Si(111)的2θ=28.5°和Si(220)的2θ=47.3°处的衍射峰外,在2θ=32.5°处存在着一个强的异常峰.HREM结果表明存在新的Si结晶学结构与XRD异常峰相关联. 相似文献
9.
Hzsm—5和Y沸石中Se链的吸收和喇曼光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用扩散的方法,在HZSM-5和Y沸石中制备了具有不同Se组分的Se链样品,并对样品进行了吸收和喇曼光谱测试。结果表明,制备的样品均为非晶Se链结构,随制备条件的不同,非晶Se链的混乱度有所不同。 相似文献
10.
Au掺杂TiO2/SiO2薄膜的光学非线性特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用溶胶-凝胶方法制备了Au掺杂的TiO2/SiO2复合薄膜(厚度约为1.0μm)。X-ray衍射分析表明,Au的颗粒镶嵌在TiO2/SiO2复合薄膜的玻璃网络中。谢乐公式计算给出Au的颗粒大小约为10nm。采用Z-Scan测量技术得此薄膜的光学非线性折射率为1.09×10-7esu。 相似文献
11.
表面贴装工艺(SMT),其趋势和未来 总被引:8,自引:0,他引:8
表面贴装工艺(SMT)是一种当今制造生产先进水平微小型电子产品的工艺技术,本文首先介绍SMT,然后着重阐述表面贴装的种类及工艺流程,所需设备,SMT中的技术问题,最后就SMT的趋势和它的未来进行探讨。 相似文献
12.
13.
14.
NitrogenDopingEfectinaGe:HFilmsDueToHighHydrogenDilutionJ.Xu1K.J.Chen1D.Feng1,SeichiMiyazaki2MasatakaHirose2(1.Dept.ofPhysic... 相似文献
15.
掺铒光纤放大器特性分析及长度优化设计 总被引:1,自引:0,他引:1
掺饵光纤放大器(EDFA)是光纤通信系统中的关键器件之一。文中从EDFA的基本理论出发,对EDFA的各种特性进行了计算机模拟分析,并研究了EDFA的长度优化设计,实验结果与理论计算相吻合。 相似文献
16.
飞行器尾焰红外辐射的一种工程算法 总被引:3,自引:2,他引:1
文中就尾焰在4.3μm谱带对红外辐射有贡献的二氧化碳气体进行研究,将分子辐射理论中的宽带模型与辐射输运方程和流场模型三者结合起来,是研究飞行器尾焰红外辐射特性的有效办法,它在红外寻的、红外防护中有实用价值。 相似文献
17.
多元多色HgCdTe红外探测器 总被引:2,自引:2,他引:0
简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元HgCdTe红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段215~225μm、84~89μm、103~113μm和115~125μm88元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的88元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为:D2.15~2.25=1.2×1012cmHz1/2/W和R2.15~2.25=5.0×106V/W,D8.4~8.9=7.0×1010cmHz1/2/W和R8.4~8.9=1.6×104V/W,D10.3~11.3=4.0×1010cmHz1/2/W和R10.3~11.3=4.3×103V/W,D11.5~12.5=3.0×1010cmHz1/2/W和R11.5~12.5=3.3×103V/W,文中对这些结果进行了分析和讨论。 相似文献
18.
19.