BNN对BZN系统结构和介电性能的影响

研究了Ba（Ni1／3Nb2／3）O3（BNN）对Ba（Zn1／3Nb2/3）O3（BZN）系统结构和介电性能的影响。系统的主晶相为立方钙钛矿结构的BZNN，并有少量第二相如Ba5Nb4O15，BaNb2O6等。实验表明，引入适量的BNN可以调整BZN的温度系数，且能有效改善其介电性能，当BNN摩尔分数为0．7时，于1450℃，1500℃烧结时性能最好。系统在较高温度下（1550℃）烧结时形成富Nb液相区。     

Nb添加对Fe-Y-B合金非晶形成能力和磁性能的影响

利用单辊快淬法制备了Fe74Y6-xNbxB20(x=0,1,2,3,4)非晶合金条带,利用XRD、HRTEM、DTA和VSM对样品的结构、非晶形成能力和磁性能等进行了测试。结果表明:Fe74Y6–xNbxB20(x=1,2,3,4)合金系的饱和磁化强度Ms>104 A.m2/kg,矫顽力Hc<1.59 kA/m,显示出良好的软磁性能。添加微量Nb扩大了非晶合金的过冷液相区,当Nb含量为摩尔分数1%时,过冷液相区Tx=63℃,此时合金具有最大的非晶形成能力,同时具有最大的饱和磁化强度(Ms=133 A.m2/kg)和最低的矫顽力(Hc=1.27 kA/m)。     

水基流延制备片式PTCR陶瓷的研究

采用sol-gel法制备纳米BaTiO3基PTCR粉体,并以其为原料,采用水基流延成型工艺制备片式PTCR。研究了在sol-gel法制备BaTiO3粉体中,施受主元素含量、陶瓷的烧成温度与PTC效应、晶粒尺寸的关系以及水基流延工艺中各种添加剂对浆料和膜片性能的影响。结果表明:以纳米BaTiO3粉体为原料、水基流延的片式PTCR坯片,在1240℃下就能半导化,所得陶瓷样品的升阻比高于104,温度系数大于13%℃–1,平均晶粒尺寸小于2μm。     

Ba(Zn_((1-x)/3)Ni_(x/3)Nb_(2/3))O_3微波介质陶瓷的介电性能

利用 Ni2 取代Ba(Zn1/3Nb2/3)O3 的B位Zn2 来改善其介电性能.XRD表明,系统的主晶相为立方钙钛矿的BZNN,并有少量第二相如Ba5Nb4O15、BaNb6O16等.当系统中x(Ni2 )=0.7时,1 500 ℃烧结时系统得到优异的介电性能,介电常数为35.7,容量温度系数为-4.7×10-6/℃,损耗tan δ为0.33×10-4(1 MHz).     

BSZN固溶体系统的有序结构与相转变

XRD分析表明,(Ba1-xSrx)(Zn1/3Nb2/3)O3系统中生成了一定的有序结构,即1∶2和1∶1超晶格。随着Sr含量的增加,晶体结构由无序的立方相向有序的赝立方相转变,呈现对称性下降的趋势,且高角度处衍射峰展宽。(Ba1-xSrx)(Zn1/3Nb2/3)O3钙钛矿结构中氧八面体畸变的发生是相转变形成、有序相产生及晶体结构对称性下降的根本原因。     

中温退火对坡莫合金薄膜AMR的影响

制备了纳米级(Ni82Fe18)72．9Nb27．1(3．5nm)／Ni82Fe18(tnm)／Ta(3nm)坡莫合金系列膜，并进行了中温退火(200℃)，测量了退火前后样品的零场电阻率(ρ)，各向异性磁电阻(AMR)和微结构；从实验角度研究了中温退火对ρ和AMR随NiFe厚度(t)变化的影响，并探讨了该影响的微观机制。     

高温高频用改性PbTiO3压电陶瓷材料的研究

基于改性PbTiO3陶瓷制备高温高频压电陶瓷材料，对ABO3型钙钛矿结构B位复合取代的（1-x）PbTiO3＋xPb（Cd4／9Nb2／9W3／9）O3系压电陶瓷材料进行了研究。实验结果指出，当x=0．2时，掺入适量的改性添加物MnO2，经适当的工艺过程，可得压电性能优良的高温高频压电陶瓷材料。其中，材料的居里温度R≥480℃，机械品质因数Qm〉2000，机电耦合系数kt可达0．45，介电常数ε约为200，是一种很有前途的高温高频压电陶瓷材料。     

半导体BaTiO_3陶瓷的微观结构对PTCR效应的影响

本文研究了半导体BaTiO_3陶瓷的微观结构对PTCR效应的影响,并确立了PTCR效应大于7个数量级的陶瓷体的制备方法。用工业纯草酸氧钛钡作原料,Sb_2O_3作掺杂剂。为了详细地验证微观结构对PTCR效应的影响,烧结了相对密度为60—92%、平均晶粒尺寸为2—5μm的陶瓷体。不用掺杂如Mn或Cr这样的元素来增大PTCR效应。     

掺Co和Cr的Fe3B／Pr2Fe14B型纳米复合磁体的磁性能与微观结构

有关Fe3B／Pr2Fe14B型纳米复合磁体的磁性能和微观结构的研究已有报导。增加Pr元素，增强了Pr4＋xFe78-xB18和Pr4＋xFe76-xCr2B18（X=0，0．5，1）合金的矫顽力和磁能积，而添加Co和Cr更进一步完善了其硬磁性能。样品Pr4Fe71Co5Cr2B8合金：Mr（～1．31T），He（-265kA／m），（BH）max（-115．41kJ／m^3）和Pr5Fe10Co5Cr2B18合金：Mr（-0．97T），He（-385kA／m），（a11）max（-86．21kJ/m^3）分别在628℃和658℃的高温下煅烧10分钟即可获得最佳磁性能。用Tb代替部分Pr完善了Pr4Tb1Fe70Co5Cr2B18合金的整体磁性能，达到Mr（-1．14T），He（-439kA／m），（BH）max（-119．4kj/m^3），同时也将最佳煅烧温度降至628℃。三维原子探头（3DAP）分析显示Cr在Fe3B的软磁相被隔离，而Co在Pr2F314B的硬磁相具有更高的含量。     

钛酸钙对BZN-CaTiO_3系统介电性能的影响

研究了利用电子陶瓷工艺制得的主晶相为Ba(Zn1/3Nb2/3)O3(BZN)和CaTiO3的新型陶瓷,BZN具有立方钙钛矿结构。通过烧结温度的改变得到不同介电性能的陶瓷材料,发现CaTiO3的添加量对系统介电性能有显著影响。在1 395℃烧结的BZN-CaTiO3陶瓷,当CaTiO3的添加量为60%(质量分数)时介电性能最佳,其εr为99.97,tgδ为0.54×10-4,αC为–13.05×10-6℃–1(25~85℃,1MHz下测量)。