注入种子CuBr激光器中的光谱控制

报道了采用注入种子方法．对ＣｕＢｒ激光器进行激光模式控制的实验结果。实现了单纵模ＣｕＢｒ激光脉冲的注入放大，获得了功率为１００ｍＷ水平的窄线宽铜激光辐射．在理论上分析了短脉冲高增益激光器中注入种子过程，讨论了在注入种子ＣｕＢｒ激光器中进行光谱控制的实验结果．     

Cu合金在真空小间隙下的击穿表面特征

本文研究了真空Ｃｕ，ＣｕＣｒ３和ＣｕＣｒ５０合金在真空小间隙下的击穿强度和击穿后表面组织特征，认为个同成份的合金由于表面熔化层快速冷却时产生的不同表面组织形貌特征是影响其击穿强度的一个重要原因。     

新颖铜激光──Cu－Ne－HBr激光器研制成功

新颖铜激光──Ｃｕ－Ｎｅ－ＨＢｒ激光器研制成功较之通常的铜蒸气激光器或溴化亚铜激光器，混合型的Ｃｕ－Ｎｅ－ＨＢｒ激光体系具有重复率高、起动出光快、体功率密度和能量转换效率高等优点。继英国ＳｔＡｎｄｒｅｗｓ大学的Ａ．Ｍａｉｔｌａｎｄ和Ｃ．Ｅ．Ｌｉｔｔｌ...     

Cu-Ti合金时效早期相变规律的研究

本文应用透射电子显微镜、Ｘ射线衍射等手段研究了Ｃｕ－Ｔｉ合金时效相变早期的分解过程。研究表明，过饱和的Ｃｕ－Ｔｉ合金固溶体可能首先发生的是溶质原子的短程有序化，然后通过调幅分解机理分解为贫、富溶质区，富溶质区原子进行长程有序排列，形成Ｄ１ａ型的Ｃｕ４Ｔｉ有序相。同时应用图形热力学对Ｃｕ－Ｔｉ合金分解过程中调幅分解与有序化共存的现象进行了解释。Ｃｕ－Ｔｉ合金时效过程中显微硬度的变化出现了双峰现象，第一个峰值的出现与位错密度有关，而亚稳共格的有序相Ｃｕ４Ｔｉ的形成是第二个峰值出现的主要原因     

激光表面熔凝CuCr50粉末冶金材料

使用额定功率为９ｋＷ的连续ＣＯ_２激光在熔渗ＣｕＣｒ粉末冶金料片表面进行原位熔凝合金化,结果表明,２至３ｍｍ厚的ＣｕＣｒ５０合金层内显微组织显著细化,ＣｕＣｒ组元分布均匀,熔凝层的硬度明显高于同组成的粉末冶金材料。这种具均匀细小的显微组织的ＣｕＣｒ５０合金触头工作表面有列高的机械和电器性能。     

热处理对96.5Sn3.5Ag焊点中Cu-Sn合金层的影响

在焊点与铜基之间形成的Ｃｕ－Ｓｎ合金成分对表面安装器件的疲劳寿命起着关键性的作用。本文着重研究了９３．５Ｓｎ３．５Ａｇ（简写为Ｓｎ－Ａｇ）焊料与Ｃｕ基界面间形成的合金层,通过电子扫描显微镜（ＳＥＭ）,Ｘ衍射（ＸＤＡ）及能谱Ｘ射线（ＥＤＸ）等分析发现,在Ｓｎ－Ａｇ与Ｃｕ基界面上存在Ｃｕ６Ｓｎ５及Ｃｕ３Ｓｎ两种合金成分,且随着热处理时间增加,Ｃｕ６Ｓｎ５合金层增厚,并在该处容易出现裂纹而导致焊点强度减弱,从而使焊点产生疲劳失效。     

Cu88Co12合金的巨磁电阻及其微结构的研究

本文利用场离子显微镜－原子探针及电镜研究了具有巨磁电阻效应的甩带Ｃｕ８８Ｃ ｏ１２合金的微结构。Ｃｕ８８Ｃｏ１２合金经４５０℃退火半小时后发邓有明显的巨磁电阻。     

电子器件用高热导率,定膨胀合金

叙述了国内外作为接合材料和热沉材料的Ｗ－Ｃｕ和Ｍｏ－Ｃｕ等合金的生产、开发和应用情况，指出目前大功率电子器件散热特性的关键所在，最后对一些应用技术问题进行了讨论。     

Cu－Zn－Al合金中贝氏体的扫描隧道显微镜分析

本文用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）在天气中研究了Ｃｕ－２７．２ｗｔ．％Ｚｎ－４．７ｗｔ．％Ａｌ合金中的贝氏体的精细结构，并与透射电镜（ＴＥＭ）及扫描电镜（ＳＥＭ）下的形态进行了比较，发现Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中贝氏体是由亚片条或亚单元组成，亚单元由超亚单元构成，进而为贝氏体相变机制的再认识提供了重要的实验基础，并在此基础上提出Ｃｕ－Ｚｎ－Ａｌ合金中贝氏体的形成模型。     

ZL111铝合金表面Ni-Cr-Al激光熔覆层中的非晶组织

利用５ｋＷＣＯ２激光器激光熔覆铝合金表面的Ｎｉ－Ｃｒ－Ａｌ涂层,ＳＥＭ与ＴＥＭ分析结果表明,在激光熔覆层中存在有非晶组织,非晶组织呈空间扭曲薄片或杉叶状,它们分别存在于熔覆层颗粒间白色网状组织与颗粒中     

PCB基材上化学镀Ni-P合金层用于埋置电阻的工艺方法研究

文章研究了在PCB基材上化学镀Ni-P合金层用于埋置电阻的工艺方法。基于埋入电阻在挠性及刚性PCB板中的应用,分别研究了Ni-P合金在无卤的FR-4、无卤的PI两种PCB基材上镀层厚度与试验时间之间的关系,初步得出了在两种不同基材上化学沉积Ni-P合金的规律,该规律对后期的试验具有重要的指导作用。     

镍-磷（Ni—P）电阻器的电阻变化的定量分析

在PCB上镀复形成电阻器的电阻性镍-磷（Ni-P）合金可以制造嵌入电阻器。这样沉积的Ni-P合金电阻器具有不良的电阻公差,要求采用旨在满足规格的昂贵的激光修整进行调节。如果无须激光调整即可降低公差,则可降低电阻器成本。本文中,变化影响图形精度、镀层和薄膜电阻率的一组参数,以评价它们对化学镀Ni-P电阻器的电阻公差的影响。还表征了基材对薄膜电阻率变化的影响。还讨论了无须激光调整可以获得低公差的Ni-P电阻器的设计指南。     

Stresses in electroless Ni-P films for electronic packagingapplications

Electroless-plated nickel films for electronic packaging applications such as under bump metallurgy (UBM) and flip chip bumps are investigated in this study. Quantitative stress of an electroless-plated Ni-P film on an Al coated Si wafer has been measured using a laser scanning profiler and the Stoney equation. A tensile intrinsic stress was developed due to plating defects, and also a tensile extrinsic thermo-mechanical stress due to temperature change and the CTE mismatch of Ni film and Si substrate was observed. It was found that the extrinsic stress became more tensile as the phosphorus content of the electroless Ni film decreased. Therefore, it is necessary to reduce the amount of stresses developed at the electroless Ni film by controlling phosphorous content of the electroless Ni film for reliable electronic packaging applications     

Low-resistance vertical conduction across epitaxially lifted-off n-GaAs film and Pd/Ge/Pd coated Si substrate

Low-resistance ohmic conduction across an epitaxially lifted-off (ELO) thin n-GaAs film and a Si substrate was obtained by attaching the ELO film on the Si substrate coated with a Pd/Ge/Pd multilayer. Good bonding and ohmic contacts to both GaAs and Si were achieved at the same time after annealing. The interface compound formation was studied by secondary ion mass spectroscopy and x-ray diffraction analyses. The ELO technology was used to fabricate an ELO stripe geometry diode laser on Si with the back-side contact on Si substrate. Good laser performance with comparable characteristics as conventional laser diodes on GaAs substrates was obtained.     

纳米化学复合镀的开发及在PCB制造中的应用研究

化学镀表面处理技术使用范围很广,镀层均匀、装饰性好;在防护性能方面,能提高产品的耐蚀性和使用寿命;在功能性方面,能提高加工件的耐磨性和导电性、润滑性能等特殊功能,因而成为表面处理技术的一个重要部分。钠米化学复合镀是在化学镀液中加入纳米粒子,使其与化学镀层共沉积的工艺技术。文章主要研究在化学镀Ni-P中加入纳米颗粒,在基体表面沉积具有镀厚均匀、耐磨、耐腐蚀、可焊的纳米复合镀层,阐明镀液组成和工艺条件对沉积速率、镀液稳定性、镀层与基体的结合力的影响,获得钠米化学复合镀技术的工艺参数,并对纳米复合镀层的性能进行了研究。     

化学镀镍铜磷在钕铁硼表面处理上的应用研究

为提高钕铁硼表面镀层的耐蚀性,使其具有更高的经济附加值,采用在化学镀镍磷合金液中添加适量的铜离子及其复合络合剂,制得镍铜磷三元合金。研究了镍离子、铜离子、次亚磷酸钠、复合络合剂添加量,沉积温度、pH值对合金镀层沉积速度的影响。利用中性盐雾试验比较了其与电镀镍、化学镀镍磷合金的耐蚀性能。结果表明：化学镀镍铜磷合金能明显提高钕铁硼表面处理后的耐蚀能力。     

激光热处理对化学沉积Ni-P合金薄膜性能的影响

用扫描电镜(SEM)观察了化学沉积Ni-P合金薄膜/单晶硅基体的结构与颗粒度,利用X射线衍射(XRD)技术测试了其化学沉积后的残余应力,测量了激光热处理后残余应力的变化规律,分析了残余应力对磨损性能及界面结合强度的影响。实验结果表明,化学沉积Ni-P合金薄膜/硅基体的残余应力均表现为拉应力,经过激光热处理后残余应力发生了变化,由高值的拉应力变为低值的拉应力或压应力;薄膜残余应力对其磨损性能有明显的影响,其磨损量随着残余应力的减小而减小;薄膜与基体结合强度随着残余应力的增大而减小,合理地选择激光热处理参数可以精确地控制薄膜残余应力,提高其结合强度。     

pH对化学镀镍-磷法制作的埋嵌电阻方块电阻影响的研究

文章主要介绍了pH对通过化学镀镍-磷法制作埋嵌电阻时镍-磷合金层方块电阻的影响。在温度相同的条件下,当镀液的pH不同时,探究了两种基材表面上镍-磷合金层方块电阻与反应时间的关系,并分析了适合用于制作埋嵌电阻的镍-磷合金层方块电阻值,以及最佳的化学镀镍-磷反应pH值。从实验结果可知,当反应时间相同时,随着pH的减小两种基材表面上镍-磷合金层的方块电阻将会逐渐大;适合用于埋嵌电阻制作的化学镀镍-磷反应pH为3.4~3.7,反应时间为3min~8min,方块电阻为15Ω/□～200Ω/□。     

NiSi contact metallization using electroless Ni deposition on Pd-activated self-assembled monolayer (SAM) on p-type Si(1 0 0)

In this paper we describe a method to form NiSi contacts using electroless plating of Nickel or Ni alloy on Pd activated self-assembled monolayer (SAM) on p-type Si(1 0 0). Such method allows uniform deposition of very thin, <30 nm, Ni or Ni alloy films. Clean, oxide free, Si substrate was covered with aminopropyltriethoxysilane (APTES) self-assembled monolayer. The surface was activated with Pd-citrate solution followed by electroless plating. The samples were annealed for 1 h in vacuum (∼10⁻⁶ Torr) forming the silicide layer. The annealing temperatures were 400 °C for NiP alloy and 500 °C for NiPW alloy. X-ray diffraction (XRD) measurement confirmed the presence of NiSi phase after annealing. The silicides material properties were characterized using secondary electron microscopy (SEM) analysis, X-ray diffraction (XRD) and X-ray photon spectroscopy (XPS) profiling. The results are reported and summarized.     

Sputtered Ta-Si-N diffusion barriers in Cu metallizations for Si

Electrical measurements on shallow Si n⁺-p junction diodes with a 30-nm TiSi₂ contacting layer demonstrate that an 80-nm-thick amorphous Ta₃₆Si₁₄N₅₀ film prepared by reactive RF sputtering of a Ta₅Si₃ target in an Ar N₂ plasma very effectively prevents the interaction between the Si substrate with the TiSi₂ contacting layer and a 500-nm Cu overlayer. The Ta₃₆Si₁₄N₅₀ diffusion barrier maintains the integrity of the I-V characteristics up to 900 C for 30-min annealing in vacuum. It is concluded that the amorphous Ta ₃₆Si₁₄N₅₀ alloy is not only a material with a very low reactivity for copper, titanium, and silicon, but must have a small diffusivity for copper as well