浅谈镀钯铜线的特性

随着金线价格一路上涨并创下历史新高,大型封装厂正在加大对铜线制程的投入。通过封装厂多年的摸索,发现镀钯铜线是金线很好的替代品。文章分析了镀钯铜线作为键合线材料本身的基本性质,镀钯铜线引线键合的特征和镀钯铜线PCT实验的可靠性。通过分析发现镀钯铜线材料本身有优良的导电和导热特性,同时还有很好的抗氧化性。镀钯铜线在键合过程中需要保护气体的保护,通过硬度实验发现镀钯铜线的硬度较大,因此需要在键合过程中防止弹坑的出现。通过PCT实验证实镀钯铜线具有较好的可靠性。     

镀钯铜丝芯片键合工艺控制和可靠性研究

随着金价的不断上升,集成电路封装成本越来越高。为此,集成电路封装厂商纷纷推出铜线键合来取代金丝键合,以缓解封装成本压力。但是纯铜丝非常容易氧化,为了提高键合生产效率及产品可靠性,目前封装厂商主要采用镀钯铜丝作为键合丝。对集成电路镀钯铜丝键合生产技术和工艺控制方法进行了探讨,并和金丝及纯铜丝工艺控制进行了比较分析。对镀钯铜丝键合工艺主要失效模式进行了介绍和说明,并就弹坑检测试验方法进行了比较分析和总结。特别是对特殊产品的弹坑检测试验如何才能确保结果准确,进行了实例分析。     

化学镍/化学钯/浸金的表面涂覆层的可焊性和可靠性

概述了化学镍/化学钯/浸金(ENEPIG)表面涂(镀)覆层的优点。它比化学镍/浸金(ENIG)有更好的可焊接性和焊接可靠性。化学镍/化学钯/浸金表面涂(镀)覆层应该是有发展前景的。     

铜线键合的抗氧化技术研究

在铜线键合的过程中通入惰性保护气体,或在纯铜线表面涂覆金属钯防氧化层都可以改善铜线键合的抗氧化性能。为了评价上述两种方法对铜线键合抗氧化性能的改进情况,使用先进的材料表征方法分析不同保护气体流量情况下键合形成的金属熔球的形貌,金属熔球表面的氧原子数分数和表面氧化层的厚度。研究表明,保护气体流量为0.51 L/min时,可以在保证成本较低的情况下获得最佳的抗氧化效果。通过XPS和TEM分析发现,铜线表面涂覆金属钯可以延长铜线的存储寿命,降低键合界面的氧含量,提高键合的可靠性。     

微量沉积氯对焊点腐蚀过程的影响

不同金属间存在电位差,被硫、氯等污染的焊点易产生原电池腐蚀,这将降低焊接产品的可靠性,缩短产品的寿命。因此,焊点的腐蚀问题受到人们的高度重视。以镀钯铜线的球栅阵列（BGA）产品为研究对象,通过能谱仪（EDS）、X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）等实验手段,首先分析了多焊点同时被氯腐蚀的影响因素,再将焊点表面划分为上表面、侧表面以及界面3个区域,并对各区域进行腐蚀分析和验证,最后得出氯腐蚀焊点的腐蚀机理。实验结果表明：1）氯腐蚀难易程度的主要影响因素为IMC的致密度和镀钯层上的铜露出面积,IMC的致密度越小,镀钯层上的铜露出面积越大,氯腐蚀越容易发生;2）焊点腐蚀路径表现为氯沿铜球表面向铜球与IMC的界面迁移的过程;3）焊点烘烤时间越短,焊点表层上钯的覆盖率越大,焊点被氯腐蚀的概率越低。     

化学镀镍镀钯浸金表面处理工艺概述及发展前景分析

随着电子封装系统集成度逐渐升高及组装工艺多样化的发展趋势,适应无铅焊料的化学镀镍镀钯浸金（ENEPIG）表面处理工艺恰好能够满足封装基板上不同类型的元件和不同组装工艺的要求,因此ENEPIG正成为一种适用于IC封装基板和精细线路PCB的表面处理工艺。ENEPIG工艺具有增加布线密度、减小元件尺寸、装配及封装的可靠性高、成本较低等优点,近年来受到广泛关注。文章基于对化学镍钯金反应机理的简介,结合对镀层基本性能及可靠性方面的分析,综述了ENEPIG表面处理工艺的优势并探讨了其发展前景。     

基于有机基板的化学镍钯浸金工艺应用与测评

有机基板被广泛应用于电子封装领域,常见的表面处理工艺包括电镀镍金、化学镍金、浸锡、浸银等工艺。在众多表面处理工艺中,化学镍钯浸金工艺因其具有较好的综合性能展现出显著优势。化学镍钯浸金工艺是在化学镍金工艺的基础上增加化镀钯处理,采用该工艺先对基板表面进行化镀镍处理,再进行化镀钯处理,最后完成化学浸金处理。钯镀层可以防止金在沉积过程中腐蚀镍镀层以及阻挡镍向金属间化合物（IMC）层扩散。利用X-Ray、电子扫描显微镜（SEM）、聚焦离子束（FIB）等图像分析方法,对比了不同厂商的化学镍钯浸金镀层的厚度、微观形貌及质量,结果表明,平整且致密的钯镀层可以有效避免镍腐蚀现象。     

化学镀镍/化学镀钯/浸金表面涂覆层的再提出

文章概述了化学镀镍/化学镀钯/浸金表面涂(镀)覆层的特性.不仅它能够满足各种各样的类型元件和安装工艺的要求,而且也能满足高密度的IC基板封装的要求.因而,化学镀镍/化学镀钯/浸金表面镀层是一种"万能"的镀层,具有最广泛的应用前景.     

镀Pd Cu线键合工艺中Pd行为研究

由于Cu线热导率高、电性能好、成本低,将逐渐代替传统Au线应用于IC封装.但Cu线键合也存在Cu材料本身固有特性上的局限:易氧化、硬度高及应变强度等.表面镀Pd Cu线材料的应用则提供了一种防止Cu氧化的解决方案.然而,Cu线表面的Pd层很可能会参与到键合界面形成的行为中,带来新的问题,影响到Cu线键合的强度和可靠性.对镀Pd Cu线键合工艺中Pd的行为进行了系统的研究,使用了SEM,EDS等分析手段对cu线、烧结Cu球(FAB)、键合界面等处Pd的分布状况进行了检测,结果证明Pd的空间分布随着键合工艺的进行发生了很大的变化,同时还对产生Pd分布变化的原因进行了分析和讨论.     

化学镀镍浸金和化学镀镍镀钯浸金表面处理工艺概述及发展趋势

当今电子信息产品便携小巧、功能多样的发展趋势,推动了其所需PCB产品向轻薄、信号传送速度更快的方向发展,这对PCB表面处理工艺的稳定性、可靠性提出了新的挑战。另一方面,欧盟在2003年制定的RoHS、WEEE等规范都旨在消除电子产品中铅、汞等有害的物质,推动了PCB表面处理技术向绿色无铅化方向发展。化学镀镍浸金(简称ENIG)和在其基础上发展的化学镀镍镀钯浸金(简称ENEPIG)表面处理技术可以适应PCB精细线路多类型元件的无铅焊接装配要求。上述两种表面处理技术克服了由无铅工艺带来的诸多问题,但其自身也面临如何进一步降低成本和技术难度,提高工艺可靠性等一系列问题。     

铜线键合技术的发展与挑战

铜线键合技术近年来发展迅速,超细间距引线键合是目前铜线键合的主要发展趋势.介绍了铜线键合的防氧化措施以及键合参数的优化,并从IMC生长及焊盘铝挤出方面阐述了铜线键合的可靠性机理.针对铜线在超细间距引线键合中面临的问题,介绍了可解决这些问题的镀钯铜线的性能,并阐述了铜线的成弧能力及面临的挑战.     

以钯作扩散阻挡层——一种多功能线路板表面处理方法

电子工业不断的小型化,数种不同互联技术于线路板上电子零件连接及电接点被应用范畴不断增加。基于此用途,线路板组装垫位需被一层最后表面处理保护,如这最后表面处理层可用于不同互联技术,可被称为多功能表面层。钯是一个艮好的镍扩散阻挡层,故此层膜能抵受如焊接及键接之严酷老化测试条件。其两大优点为具有良好热超声波键接性及于无铅焊料之非常优艮焊接性。从预镀导线架过往多年经验已知即使很薄贵金属钯层及金层已可有保证可靠的金线键接性。从这一知识,沉镍浸钯浸金层膜系统（ENIPIG）被研发出来。此崭新表面处理ENIPIG三种金属镀液需互相配合才能于线路板工艺上达成理想多功能层膜。因着其薄贵金属层膜,相对于其他表面处理,可节省颇大的成本。     

电子封装用银合金线性能的研究

研究了不同钯(Pd)含量银合金线的电阻率、铝挤出、可靠性及横截面的情况,并分析了Pd抑制银离子迁移的原理。结果表明,银合金线中加入Pd后,Pd的含量越高,线材的FAB硬度越大,铝挤出越多,Pd有助于提高合金线的可靠性,同时Pd的质量分数到3%以上时其可靠性更好。Pd能够抑制银离子迁移的原因是表面形成了一个PdO层,PdO富集在表面阻碍银离子扩散及迁移。银合金线的Ag-Al焊球界面主要形成Ag2Al及Ag3Al,Ag2Al比Ag3Al具有更高的抗腐蚀能力。     

钯涂(镀)层的分析

采用化学镀钯得到的纯钯(Pd)适用于软接触开关、电镀通孔的波峰焊和精细与超精细节距表面安装等领域上。钯表面涂(镀)层对于印制电路板(PCB)上单一镀层厚度于所有的应用领域中都可得到令人满意成本要求。虽然化学     

从EDTA溶液中电镀银钯合金

本文研究了从合有EDTA,碳酸铵和氨水的碱性溶液中镀取银钯仑金的方法。合金沉积的阴极电位为-0.37V,它介于单位银溶液和单独钯溶液的阴极电位之间。银钯合金沉积属于非正则共沉积,合金层中钯的含量总是小于电镀液中钯的含量。共沉积的钯含量随着镀液的pH值增加或者电流密度的增加而增加,并且,随着镀液温度增加而减少。镀液阴极电流效率大约是70％,与镀液温度无关。它随着pH值增加而提高,随着电流密度的增加而降低。SEM照片表明,合金镀层表面光滑无裂纹并且与基体结合力好。     

用于软接触开关和高密度SMT组装的钯表面涂覆层

1 概述本文论述了采用化学镀工艺形成的纯钯表面涂覆层,预期可用于软接触开关。镀通孔的波峰焊接、表面安装波峰焊接和用于精细节距与甚精细节距的表面安装焊膏再流焊等。这种钯镀层具有明显的成本效应。相同的 PWB 上仅以单一钯层厚度就可满足上述所有应用领域的要求。对于 PWB 组装业务来说,化学镀钯的表面涂覆层还是相当新的技术。但是,实际上钯已     

IC键合铜线材料的显微力学性能研究

用于IC(集成电路)的键合铜线材料具有低成本、优良的导电和导热性等优点,但其高硬度容易对铝垫和芯片造成损伤,因此对其硬度的测量是一项关键技术。纳米压痕测量技术可以方便、准确地测量铜线材料的显微硬度值和其他力学性能参数。描述了纳米压痕测量技术的原理以及对铜线材料样品进行纳米压痕测量的参数选择,进行了测量试验。结果表明,原始铜线、FAB(金属熔球)、焊点的平均硬度分别为1.46,1.51和1.65GPa,为键合铜线材料的选择和键合工艺参数的优化提供了依据。     

适用于IC封装的表面涂覆层——化学镀镍、钯、金的未来

概述了化学镀镍/化学镀钯/浸金涂（镀）覆层的优点,它比起化学镀镍/浸金,不仅更适用于IC封装,而且提高了可靠性,降低了成本。     

陶瓷表面激光无钯活化及其化学镀镍

为了实现陶瓷基体表面无钯化学镀镍,以10g/L NiSO₄·6H₂O和45g/L NaH₂PO₂的混合溶液为活化液涂覆于基体表面,利用激光扫描后使基体活化,再进行化学镀镍。研究了激光功率、光斑直径以及扫描速率对镀层覆盖率的影响,通过扫描电镜观察了粗化、活化以及施镀后的微观形貌,并对活化及施镀后的基体表面进行了成分分析,对镀层结合性、导电性以及可焊性进行了检测。结果表明,当以激光功率为3W、光斑直径为2mm、扫描速率为5mm/s对基体进行扫描时,基体表面生成一层平均直径为0.1μm的Ni微粒;施镀后,镀层覆盖率为100%;镀层微观表面平滑、致密,晶胞直径均在10μm以上;镀层中P的质量分数为0.0771,为非晶态结构,具有良好的耐磨性和耐腐蚀性能;镀层具有较强的结合性和良好的可焊性,电阻率为7.67×10-5Ω·cm,为良导体。该工艺成本低、无污染,能实现陶瓷基体表面局部化学镀镍,通过对激光的运动控制,能够使基体表面沉积各种精细图形,具有一定的实用价值。     

镀钯引线框架的超薄电镀技术

<正> 日本新光电气工业公司开发出了一种镀钯引线框架超薄技术。这样一来,钯的市场价格变化奇快,镀钯引线有利于环保,并可大大地降低电镀材料的费用成本。1 工业用钯的市场价格上扬 近年来,在国际上对于铅给环境所造成的影响越来越关心,在电子领域中,如何推进电子产品的无铅化运动正在高涨。在半导体的安装工艺中,为了能够省掉含铅的锡焊工序,正在开发、制造、销售镀钯引线