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文章针对Ti扩散LiNbO3波导1.3μm波长偏振器的制作,论述了单模TE波传输的波导偏振器的器件结构设计,理论分析及制作方法。采用的优化结构MgO/Al覆盖波导偏振器其TM波的消光比达40dB以上,TE波附加损耗〈1dB,器件综合消光比〉35dB,结果与理论计算相近。 相似文献
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孙再吉 《固体电子学研究与进展》1996,(3)
电源电压1.5V下,饱和输出功率为30.0dBm的HEMT据《日经》1995年第9-11期报道,日本NEC新开发的HEMT,在电源电压+1.5V下,工作频率950MHz时的饱和输出功率达30.0dBm(约1W)。可用于移动电话的功放。该器件的结构是,... 相似文献
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傅炜 《固体电子学研究与进展》1994,14(1):22-27
利用GaAsMESFET功率特性的线性化模型,求出GaAsMESFET近似最佳功率负载阻抗,为利用谐波平衡法计算提供初值。然后,使用自行研制的谐波平衡分析软件包,进行GaAsMESFET大信号模型参数的提取和非线性电路模拟计算。将两只总栅宽为9.6mm的GaAsMESFET管芯,利用内匹配功率合成技术,在C波段(5.5~5.8GHZ)制成1dB压缩功率大于8W,典型功率增益9dB的GaAsMESFET内匹配功率管。 相似文献
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本文对无耗型MESFET漏极注入混频器电路工作原理进行了分析,在对这种混频器进行了CAD研究中,提出了MESFET模型扩展技术,在此基础上,进行Ku波段无耗型MESFET混频器单片集成电路的设计与研制,混频器电路的测试结果与计算相符,性能达到,变频地益-2dB,噪声系数-7-8dB。 相似文献
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Ka波段AlGaAs/InGaAs低噪声PHEMT异质材料结构的计算机优化与实验结果 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了毫米波低噪声PHEMT的设计要点,藕助Schroedinger/Poisson方程及器件方程,进行了Ka波段AlGa/InGaAs低噪声PHEMT用异质层数值计算及CAD优化,确定出分子束外延MBE时诸层的最佳组分、浓度、与厚度、上述优化分析的结果用于器件的实验研制,取得了34.4GHz下噪声系数(NF)1.92dB、相关增益Ga6.5dB的国内最好结果。 相似文献
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低压低能耗应用的InGaAs/AlGaAsPHEMT单片微波SPDT开关 总被引:2,自引:1,他引:1
陈效建 《固体电子学研究与进展》1995,15(3):244-251
提出了微波频率下PHEMT在作开关运用时一种简化的等效电路模型,其模型参数可从对实际PHEMT芯片的在片微波测试方便地确定。对于电路中元件采用不同尺寸组合情形下所进行的开关性能(插入损耗,隔离度,输入及输出反射损耗)的模拟计算表明,与实验结果符合良好。在对串/并联PHEMT型SPDT开关的CAD优化设计基础上进行了InGaAs/AlGaAsPHEMT单片SPDT微波开关的实验研制。从研制的MMIC芯片上在片测试得到的结果为:对应新的个人通信频段的应用,在0~2GHZ范围内,插入损耗<1.0dB,隔离度>50dB,输入及输出反射损耗均优于24dB。研制的这种高性能单片开关还可在低至-2.0V的控制电压下工作。 相似文献
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本文报道了D波段单片振荡-倍频链的设计、MMIC制作及测试。该电路用亚微米(0.1μm)InAlAs/InGaAsHEMT制造,且芯片上有稳定偏压电路,一个集成的E场探针将信号直接辐射入波导。检测到振荡信号的频率范围为130.5GHz至132.8GHz,输入功率为-12dBm,设计的HEMT小栅宽为45μm。这是首次报道的用InP基HEMT制作的D波段单片振荡-倍频链。 相似文献
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阐述了光纤通信前置放大器的设计原理,分析了光接收机中PIN二极管和GaAsFET器件的信号模型和噪声模型,提取了放大器用GaAsFET器件的模型参数(包括大信号、小信号和噪声模型参数)。利用PSPICE程序对光前置放大器进行了模拟分析和优化设计,并实际制作了用于2.4Gb/s光纤通信的PIN-HEMT前置放大器。实测结果表明放大器3dB带宽达到DC~4.4GHz,增益为18±1dB;加入PIN二极管后的光接收模块的3dB带宽为DC~1.688GHz,满足了2.4Gb/s光纤通信的需要。 相似文献
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1PCM1600Y的主要特性PCM1600Y是美国Burr-Brown公司于1999年10月正式宣布推出的高性能单片六声道音频DAC,广泛用于A级DOLBY-DIGITAL解码器、DTS解码器、数字AV功放、带AC-3,DTS,MPEG多声道音频解码的DVD、DVB等领域。PCM1600Y的主要特性包括:24bit分辨率可接受16/18/20/24bit字长的输入音频数据动态性能优异(V_cc=5V时)动态范围DR:105dB(典型值)信噪比SNR:105dB(典型值)THD+N:0.0015%… 相似文献
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本文介绍了一种保偏光纤偏振器的复合光学膜系,该膜系由一层MgF介质缓冲膜层和金属Al膜构成,理论分析和实验研究表明,该光学膜系能去保偏光纤中的TM模,完成起偏振作用。利用此光学膜系已制成发给优良,实用的保偏光纤偏振器,消光比〉40dB,损耗〈0.5dB。 相似文献
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本文采用Lowdin微扰原理改进计算效率的局域密度泛函(LDF)线性Muffin-tin轨道原子球近似(LMTO-ASA)能带从头计算方法,以平均键能Em作参考能级,计算了以闪锌矿结构氯化硼为衬底外延生长金刚石(C/BN)、以C0.5(BN)0.5合金为衬底外延生长金刚石与闪锌矿结构氯化硼(CIBN)、以金刚石为衬底外延生长闪锌矿结构氯化硼(C\BN)和金刚石与氮化硼以平均晶格常数匹配生长(C-BN)等四种不同情况下,宽禁带半导体异质结C/BN的价带偏移△Ev值,结果分别为1.505、1.494、1.38 相似文献
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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献
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简要介绍了HEMT-HBT单片集成技术,并对目前用选择MBE和HEMT-HBT综合工艺制作的HEMT、HBT器件和HEMT-HBT,放大器性能进行了评述。 相似文献