由二氧化硅直接合成含硅聚氨酯及其表征(英文)

二氧化硅与乙二醇在催化剂作用下直接合成了五配位硅酸酯 ,然后与氯乙醇反应制得了双羟基含硅化合物 ,该化合物与 2 ,4 -甲苯二异氰酸酯反应得到含硅聚氨酯。采用元素分析、FTIR ,1H -NMR表征了双羟基含硅化合物。结果表明 ,含硅聚氨酯的相对分子质量不高 ,相对分子质量分布比较宽 ,其数均相对分子质量、重均相对分子质量和分布宽度指数分别为 1790 ,6 2 0 0 ,3.4 6。含硅聚氨酯的玻璃化转变温度为 115 .1℃。     

由二氯化硅直接合成含硅聚氨酯及其表征

二氧化硅与乙二醇在催化剂作用下直接合成了五配位硅酸酯，然后与氯乙醇反应制得了双羟基含硅化合物，该化合物与2，4-甲苯二异氰酸酯反应得到含硅聚氨酯。采用元素分析、FTIR，^1H—NMR表征了双羟基含硅化合物。结果表明，含硅聚氨酯的相对分子质量不高，相对分子质量分布比较宽，其数均相对分子质量、重均相对分子质量和分布宽度指数分别为1790，6200，3．46。含硅聚氨酯的玻璃化转变温度为115．1℃。     

非碳热法合成含硅聚合及其结构表征

将无定型二氧化硅与乙二醇、氢氧化钾在196℃反应，制成高反应活性的五配位硅钾化合物，并以此为原料与2－氯乙醇反应制成双羟基四配位有机硅单体，通过该单体与对苯二甲酰氯、2，4－甲苯二异氰酸酯、低摩尔质量的异氰酸酯基封端的聚醚进行低温溶液缩聚反应合成了含硅聚酯、含硅聚氨酯、含硅聚醚氨酯；用IR、TG、GPC对产物进行了结构表征。结果表明，这些聚合物由于引进了硅元素，热稳定性有所提高， 摩尔质量一般为几十万。     

含硅发泡聚醚氨酯的制备及性能

以SiO2为原料，通过非碳热法合成出双羟基四配位硅化合物；然后以此为扩链剂；以二氯甲烷为发泡剂，与甲苯二异氰酸酯、聚醚多元醇反应制成含硅发泡聚醚氨酯。研究了双羟基四配位硅用量对产物热性能、外观和溶胀性能的影响，结果表明，随着双羟基四配位硅用量的增加，含硅发泡聚醚氨酯的弹性变小、硬度增大，双羟基四配位硅的质量分数最大可达20%；与对照样相比，含硅发泡聚醚氨酯的热性能没有显著提高，而耐溶胀性能大幅下降；但发黄性得到一定程度的改善。     

胶粘剂新专利

双组分甲硅烷基化聚氨酯胶粘剂、密封剂和涂料组成物 双组分胶粘剂、密封剂及涂料组成物包括（i）第1组分含有一部分烷氧基硅烷官能团的聚氨酯和水：（ii）第2组分含有剩余部分烷氧基硅烷官能团的聚氨酯和催化剂。烷氧基硅烷官能团的聚氨酯含有（a）一个含羟基官能团的化合物与含异氰酸酯基团的聚异氰酸酯反应的产物和（b）含胺官能团的天冬氨酸的反应产物。     

国内期刊荟萃

阳离子型PD M S/PU无皂微乳液膜的结构与性能李小瑞等.精细化工,2005,22(12):9370有机硅改性聚氨酯的研究报道较多,但多数为阴离子水性聚氨酯的研究,有关阳离子羟基硅改性聚氨酯的制备及成膜性能的研究报道较少。本文摒弃传统的物理共混法,以羟基聚二甲基硅氧烷/不同相对分子质量的聚醚为软段,异佛尔酮二异氰酸酯为硬段,三羟甲基丙烷为交联剂,N-甲基二乙醇胺为扩链剂,合成了一系列自乳化双软段PDM S/PU微乳液。研究了PDM S/PU膜的力学和耐水性能,为进一步开发提供参考。含双丙酮丙烯酰胺(D A A M)的水性乳液的制备与性能研究刘玉…     

聚氨酯胶粘剂讲座（连载一）

一、引言聚氨酯(PU)胶粘剂(包括密封胶)是指分子链中含有氨基甲酸酯键((?)R NH-COR(?))和/或异氰酸酯基团(-NCO)类的胶粘剂。聚氨酯胶粘剂在制备或粘接过程中一般都发生多异氰酸酯化合物或含端基NCO聚氨酯预聚体与活性氢化合物(如含羟基、胺基的化合物、水等)的反应。聚氨酯胶粘剂具有许多优越的物化性能:     

恶唑烷在聚氨酯涂料中的应用

恶唑烷系醇胺与醛或酮类化合物缩合脱水而得。遇水易于水解，复原出羟基与氨基，在聚氨酯涂料中，由于它抢先与水反应，使异氰酸酯避免了水的干扰，不产生ＣＯ２气，改善了漆膜状态，物化性能关改善了涂料的贮存稳定性。恶唑烷可制为：含恶唑烷基的多羟基物作双组份聚氨酯涂料；不民低粘度恶唑烷作聚氨酯涂料的脱水剂，改善涂料与施工的稳定性和作涂料的活性稀释剂，降低ＶＯＣ《     

可高分子化的小分子8-羟基喹啉金属配合物的合成与表征

通过8-羟基喹啉的氯甲基化,预先合成5-氯甲基-8-羟基喹啉,在催化剂无水醋酸钠的作用下,再使之与双官能团的化合物氯乙醇反应,合成具有反应活性点的8-羟基喹啉的衍生物(C lCH2CH2OCH2-Hq),然后与含有A l3+,Zn2+,L i+的金属化合物及8-羟基喹啉经由配位反应,合成了可溶性的具有单反应活性点的小分子8-羟基喹啉金属配合物(这些配合物含有A lQ3,ZnQ2,L iQ基团),这类化合物可以接枝到高聚物上,得到高相对分子质量的含8-羟基喹啉金属配合物的发光材料1。HNMR、FTIR、元素分析确定了小分子8-羟基喹啉金属配合物的组成;紫外吸收光谱(UV)、光致发光光谱(PL)说明小分子8-羟基喹啉金属配合物的发光来自于A lQ3,ZnQ2,L iQ基团。     

抗静电透明聚氨酯胶粘剂的制备及应用

本专利介绍的聚氨酯粘胶剂组成包含氨基甲酸酯聚合物100份,离子化合物0．0001～100份。具体制备方法如下：首先由≥3官能度的多元醇与多异氰酸酯反应制得端异氰酸酯氨酯预聚体,然后再与单氨基多元醇反应制得含羟基的聚氨酯-聚脲,最后与离子型化合物混合得到抗静电的透明聚氨酯胶粘剂。该胶粘剂适用于层压板。     

工业硅中硅含量的测定

介绍了用氢氟酸重量法直接测定工业硅中硅含量的方法。试样用硝酸和氢氟酸分解,使硅生成四氟化硅除去。然后进入高温炉中灼烧。根据氢氟酸处理前后的质量差,扣除铁氧化成三氧化二铁的增量,计算硅的质量百分数。本方法的相对标准偏差小于0.20%。     

四氯化硅和四氟化硅的研究比较

SiCl4主要是作为改良西门子法生产多晶硅的副产物得到,SiF4主要是作为磷肥工业的副产物氟硅酸分解得到,但是二者纯度都不能满足生产多晶硅的要求,需进行分离纯化得到高纯物质。本文针对SiCl4和SiF4的物化性质、合成工艺、精制方法、应用前景等方面做了探讨和比较,指出SiF4比SiCl4更具应用前景。     

Making reusable reaction-bonded silicon nitride crucibles for silicon casting from kerf-loss silicon waste

Silicon kerf loss during wafer slicing and the broken quartz crucibles after silicon casting are two major solid wastes from photovoltaic (PV) industry. Especially, the recycle of kerf-loss silicon has become an urgent issue because near 100 000 t of solid wastes are generated every year. One of the most meaningful recycle routes of the kerf-loss silicon is to make silicon nitride crucibles to replace the quartz crucibles. In this study, we demonstrated how this is feasible through acid leaching refining, slip casting, and nitridation. The reaction-bonded silicon nitride (RBSN) crucibles after oxidation were found pure enough for silicon ingot growth. More importantly, they could be reused after ingot growth. With the present examples, the potential of using the kerf-loss silicon for fine ceramics is prominent.     

碳化硅微粉中去除硅和二氧化硅工艺的研究

本文主要研究了除去碳化硅微粉中硅和二氧化硅的方法及最佳工艺条件.     

多晶硅水性切削液除硅研究

以废切削液回收PEG后剩余的废砂为原料,采用酸溶和碱溶两种方法除去废砂中的多晶硅杂质,回收SiC微粉,并对两种方法的可行性及工艺条件进行了研究。结果表明,酸法除硅时,当HF浓度为4 mol/L,硝酸浓度为2 mol/L,温度为35℃,反应时间为70 min时,可使回收微粉中硅杂质含量在0.1%~0.2%。碱法除硅时,当NaOH的溶液3%左右,温度在70℃,反应时间2 h,可使回收微粉中硅杂质含量在0.2%~0.3%。粒度分析表明,酸法及碱法回收产品粒径分布均能满足指标要求,且碱法回收产品粒径分布与新砂一致。     

Detonation synthesis of nanoscale silicon carbide from elemental silicon

Direct reaction of precursors with the products of detonation remains an underexplored area in the ever-growing body of detonation synthesis literature. This study demonstrated the synthesis of silicon carbide during detonation by reaction of elemental silicon with carbon products formed from detonation of RDX/TNT mixtures. Continuum scale simulation of the detonation showed that energy transfer by the detonation wave was completed within 2–9 μs depending on location of measurement within the detonating explosive charge. The simulated environment in the detonation product flow beyond the Chapman-Jouguet condition where pressure approaches 27 GPa and temperatures reach 3300 K was thermodynamically suitable for cubic silicon carbide formation. Carbon and added elemental silicon in the detonation products remained chemically reactive up to 500 ns after the detonation wave passage, which indicated that the carbon-containing products of detonation could participate in silicon carbide synthesis provided sufficient carbon-silicon interaction. Controlled detonation of an RDX/TNT charge loaded with 3.2 wt% elemental silicon conducted in argon environment lead to formation of ～3.1 wt% β-SiC in the condensed detonation products. Other condensed detonation products included primarily amorphous silica and carbon in addition to residual silicon. These results show that the energized detonation products of conventional high explosives can be used as precursors in detonation synthesis of ceramic nanomaterials.     

氯化亚铜催化四氯化硅和硅耦合加氢的机理研究

以氯化亚铜为催化剂、使用固定床反应器,对四氯化硅和硅耦合加氢反应进行反应历程中固体催化物种活性变化的机理研究。利用程序升温策略使Cu3Si在反应前完全生成,开启反应后观察到包含诱导期、稳定期、失活期的反应活性曲线,对诱导期的成因进行了讨论,认为Cu3Si在反应气氛下的氯化是形成活性中心的必要条件。使用惰性气体吹扫降温法制备了不同反应阶段的颗粒样品。利用SEM-EDS、XRD、XRF等研究了反应历程中表面形貌、晶型及体相组成的演化规律,提出了反应失活模型,认为颗粒表面形貌组成的变化导致扩散速率下降是失活的原因。     

氮化硅结合碳化硅树料的抗渣侵蚀性

借助光学显微镜、扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射分析等手段，研究了矿渣侵蚀后的氮化硅结合碳化硅材料的显微结构和物相组成．探讨了氮化硅结合碳化硅材料的损坏机理。