BiSbCuSn高温无铅软钎料物理性能及润湿性能研究

研制开发熔点在250～450℃之间的高温无铅软钎料一直是钎焊领域一大难题。熔点为300℃左右的Bi5Sb2Cu钎料因润湿性能和导电性能不良而受到限制。本文通过在Bi5Sb2Cu中添加不同含量Sn形成新型BiSbCuSn四元合金,来改善Bi5Sb2Cu合金的润湿性能和物理性能。结果表明：在Bi5Sb2Cu钎料合金中添加2-↑10wt．％Sn,BiSbCu钎料合金熔点呈下降趋势且幅度较大,但仍在250～450℃之间,润湿性能和导电性能明显改善。当Sn含量为10wt．％时,（Bi5Sb2Cu）10Sn钎料合金润湿性能和导电性能最好。     

在长期室温时效中NiAl3和Ni2Al3合金相成分与结构的变化

NiAl3和Ni2Al3是Ni-50wt．％Al二元合金中的两个主要合金相。已经观察到在离子减薄过程中这两个合金相的化学成分会发生变化。本文对放置4年后的Ni-50wt．％Al合金进行了TEM／EDS和HREM研究，观察到在室温时效后两个合金相成分和结构的变化。     

铜铟铋硫对Sn-Ag基无铅焊料性能的影响

研究了Cu、In、Bi、S元素对Sn-Ag基无铅焊料熔点和铺展性的影响。结果表明:Sn-Ag-Cu三元合金成分为95.5%Sn3.5%Ag1%Cu时具有较低熔点(215℃)和好的铺展性;加入适量的In可降低Sn-Ag合金的熔点和改善铺展性能;随w(Bi)的增加Sn-Ag-Bi三元合金的熔点降低、铺展性变好;Sn-Ag合金的熔点随w(S)的增加而升高,加入少量S能改善Sn-Ag合金的铺展性。     

无铅Sn—Ag—Sb与Sn—Zn—In润湿性研究

通过实验测定Sn—Ag—Sb及Sn—Zn—In系列合金的润湿角，进行了润湿性研究，发现Sn—Ag—Sb及Sn—Zn—In系焊料存在润湿性差的缺点，通过添加低表面张力的金属或稀土元素可在一定程度上降低润湿角，能提高润湿性。     

非离子表面活性剂对助焊剂润湿性能的影响

在软钎焊免清洗助焊剂中分别添加了3种不同含量的非离子表面活性剂:TritonX—100、Tween—20和PEG2000,得到了3组助焊剂。使用这3组助焊剂和Sn0.7Cu无铅钎料在纯铜板上进行了铺展测试。结果表明,添加TritonX—100和添加Tween—20的质量分数均为0.6%时,钎料的润湿角最小值分别为30.07°和29.70°,铺展面积最大值分别为56.67mm2和58.53mm2;添加PEG2000质量分数为0.3%时,钎料的润湿角最小值为26.70°,铺展面积最大值为66.88mm2,比未添加时增加26.9%。适量加入非离子表面活性剂能够改善助焊剂的润湿性,并提高无铅钎料的铺展能力。     

In对Sn9Zn钎料润湿性能的影响

为了提高Sn9Zn共晶钎料的钎焊性能,通过合金化的方法添加了少量元素In,制备了Sn9Zn-xIn钎料。从钎料合金的熔化特性、润湿特性、界面显微结构和母材粗糙度这四个方面评价了不同In含量对Sn9Zn钎料润湿性能的影响。试验结果表明:少量元素In的添加可以降低钎料的熔点;随着In含量的增加,钎料的润湿力增大,润湿时间缩短,润湿性有明显提高;In含量增加,润湿界面层中Cu5Zn8化合物层厚度增加;对母材表面进行毛化处理,通过改变母材表面的微观几何结构,增大钎料与母材的相对接触面积,从而改善钎料的润湿性能。     

Sn对BiSbCu钎料钎焊工艺性能的影响

在BiSbCu钎料中添加Sn,分析Sn对BiSbCu钎料合金钎焊工艺性能的主要指标——钎料熔点和铺展面积的影响.结果表明:在Bi5Sb2Cu钎料合金中加入Sn可以显著降低钎料的熔点和显著增强钎料合金的铺展性能.当Sn的质量分数为10％时,Bi5Sb2Cu钎料的铺展面积为26.22 mm2,钎焊工艺性能最好.     

快速凝固Al-8.8 Fe-3Ti中亚稳相空间群的会聚束(CBED)确定

用会聚束电子衍射(CBED)对快速凝固(RS)Al-8.8wt％Fe-3wt％Ti合金中成分为85.6Ti-11.5Al-2.9Fe(wt％)的块状亚稳相的分析表明:它属于面心立方晶系,空间群为Fm3m,点阵常数α=0.426nm。作者认为这种块状相是在快凝合金中产生的一种新的三元亚稳相。     

电子元件、组件

TN60 2004030494铜锢钊硫对Sn一Ag基无铅焊料性能的影响/林培豪,刘心宇,成钧(桂林电子工业学院)11电子元件与材料‘一2 003,22(10).一33-34研究了Cu、In、Bi、S元素对Sn一Ag基无铅焊料熔点和铺展性的影响.结果表明:Sn一A片Cu三元合金成分为9 5.5%Sn3.5%Agl%Cu时具有较低熔点(215℃)和好的铺展性;加入适量的In可降低Sn一Ag合金的熔点和改善铺展性能;随二(B劝的增加Sn-Ag一Bi三元合金熔点降低、铺展性变好;Sn一Ag合金熔点随、(S)的增加而升高,加入少量S能改善Sn一Ag合金的铺展性.图8参5(刚)影响,发现随着硫酸浓度增加,温度对隧道…     

SnAgCuRE系钎料合金的润湿特性

选择商用水溶性钎剂,以润湿平衡法,研究了SnAgCuRE系钎料合金在表面贴装元器件上的润湿特性。结果表明:当w(RE)为0.1%时,预热15s,255℃钎焊5s,该钎料合金具有最大的润湿力1.510mN和最小的润湿角11.03°,与传统的Sn63Pb37钎料的润湿力相当,可满足表面组装元器件对其润湿性能的要求。     

(Sr_(0.5)Ba_(0.5))_(1.9)Ca_(0.1)NaNb_(5–x)TaxO_(15)陶瓷的介电性能

通过Ta掺杂改性钨青铜陶瓷(Sr0.5Ba0.5)1.9Ca0.1NaNb5–xTaxO15(x=0～0.30),分析了Ta掺杂量对其烧结性能、微观结构及介电性能的影响。陶瓷的烧结温度随x的增大略有提高。当x<0.10时,陶瓷的tC和弛豫性变化不大;当x≥0.10时,tm(1kHz)明显降低,从270℃(x=0)降低至231℃(x=0.30)。且tm随频率增加向高温移动,弛豫性明显增强。认为Ta掺杂引起其性能变化是由于Ta—O键与Nb—O键键能的差异,导致陶瓷氧八面体中心离子位移量以及A位离子有序程度的变化所致。     

Theoretical studies of poly(para-phenylene vinylene) (PPV) and poly(para-phenylene) (PPP)

The electroluminescence from PPV and the blue light emission from PPP constitute exciting subjects of study. The band gap of these semiconducting polymers can be engineered in a wide range from red to ultraviolet by structural changes made on them. In the present work, we present a theoretical approach based on semiempirical and ab initio total energy and force calculations of PPV and PPP. We perform a conformational analysis in order to investigate the connection between their structural, optical and electronic properties. We use the large cell approach, in connection with the semiempirical quantum method Extended Hückel (BICON-CEDiT code) and the density functional theory (DFT) within the full-potential linearized augmented-plane-wave method (FPLAPW) as implemented in the computational code WIEN2k. Our results are compared to other calculations and to optical absorption measurements.     

纳米复合(Nd,Pr)FeTiBC永磁合金的结构与磁性能

采用熔体快淬法制备了纳米复合(Nd1-xPrx)9.4Fe75.6Ti4B10.5C0.5(x为0,0.2,0.4,0.6,0.8和1.0)合金薄带,研究了Pr对合金薄带结构与磁性能的影响规律。结果表明:Pr降低了合金薄带的晶化温度,使合金薄带晶粒变得粗大,不利于合金矫顽力的提高。Pr对合金薄带磁性能的影响不大,不同Nd和Pr比例的合金薄带在最佳热处理条件下,剩磁Br在0.86 T与0.90 T之间,内禀矫顽力Hcj在1 000 kA/m左右,最大磁能积(BH)max介于130 kJ/m3与136 kJ/m3之间。     

Miniband spectra of (AlAs)M(GaAs)N(111) superlattices

Semiconductors - Electron states in the conduction band of (111)-oriented (AlAs)M(GaAs)N superlattices (SLs) with M≥N and N&;lt;10 are considered. The properties of such SLs are mainly...     

单层超晶格Ga_(0.47)In_(0.53)As/InP(110)及半导体合金Ga_(0.235)In_(0.765)P_(0.5)As_(0.5)的状态密度及介电常数(英文)

The DOS, JDOS and ε2(Ω) of monolayer superlattice Ga0.47ln0.53As/ InP(110) have been calculated by a tight-binding approach and compared with that of alloy Ga0.235ln0.765P0.5As0.5 which has the same stoi-chiometric composition as the monolayer superlattice. By using the techniques of the group theory we have obtained the expressions of momentum matrix elements between valence band states and conduction band states with four adjustable parameters. These parameters are determined by fitting the calculated values of ε2(Ω) with the experimental values for InP, GaAs and InAs. Our results show that the superlattice periodicity makes its DOS, JDOS and ε2(Ω) different from those of alloy in varying degree. Due to the folding of Brillouin zone, the JDOS of superlattice turns round in comparison with that of alloy. The momentum matrix elements have different effects for the superlattices and alloys.For the alloys, they can only change the amplitudes of peaks but not the positions of peaks; however, for the superlattices both amplitude and position can be changed.     

Sr_(0.3)Ba_(0.7)Bi_(3.7)La_(0.3)Ti_4O_(15)铁电陶瓷的烧结及介电性能

采用两步烧结工艺制备Sr0.3Ba0.7Bi3.7La0.3Ti4O15铁电陶瓷,研究了烧结工艺对陶瓷的晶相和介电性能的影响。结果表明:适当提高最高温度、保温温度和保温时间可改善陶瓷的介电性能。当最高温度为1180～1200℃,在1050～1080℃保温5～15h时,其εr为238～262,tanδ小于10–2,σ为1.0×10–11～10–12S·m–1。该烧结工艺可减少铋的挥发,降低氧空位浓度,因而减弱了陶瓷的高温低频耗散现象。随着保温时间的增加,高温电导得到有效抑制,在1050℃保温15h样品的σ降低了一个数量级,在280℃时为5.2×10–9S·m–1。     

Electron-phonon interaction in short-period (GaAs) m (AlAs) n (001) superlattices

The deformation potentials of electron scattering at short-wavelength phonons for intervalley transitions in the conduction band of short-period (GaAs) _m (AlAs) _n (001) (m, n = 1, 2, 3) superlattices are determined by the electron density functional method. The dependences of the electron and phonon states and deformation potentials on the layer thickness in the superlattices are analyzed. The results of ab initio calculations are in good agreement with the data of empirical calculation of the deformation potentials integrated over phonons, but differ from data on the corresponding potentials for partial scattering channels because of approximations of the phenomenological model of interatomic binding.     

全球信息基础设施总体概念问题(上)

本文讨论了电信技术、网络形态和发展电信技术的指导思想,目的是从技术机理和工程应用方面说明GII网络形态的总体概念.     

sol-gel法制备Ba_(3.99)Sm_(9.34)Ti_(18)O_(54)微波介质陶瓷

以柠檬酸为络合剂,通过sol-gel法制备了Ba3.99Sm9.34Ti18O54陶瓷前驱体;经1100℃预烧2h压片成型后,再在1300℃保温3h,即得到了烧结致密的陶瓷样品。与传统固相法相比,其烧结温度降低了50℃,且陶瓷晶粒细小,晶粒分布均匀,具有更加优良的微波介电性能:εr=79.56,Q·f=9636GHz(4.71GHz),τf=–1.23×10–6/℃。     

复合量子阱Ge_(0.3)Si_(0.7)/(Ge_(0.3)Si_(0.7))_m-(Si)_m/Ge_(0.3)Si_(0.7)的电子能带结构

采用建立在经验赝历势基础上的推广k·P方法计算了复合量子阱Ge0.3Si0.7／（Ge0.3Si0.7）m-（Si）m／Ge0.3Si0.7的电子束缚能组及其活界面方向的色激关系,并与通常的单带模型下的包络函数方法的计算结果进行了比较。结果表明由于超晶格中子能带的形成,邻近能带间的互作用使通常单带模型下的包络函数方法不再能适用于复合量子阱的计算。计算结果也表明复合量子阱的电子束缚能级沿界面方向在kx＜0.1（2π/a）范围内基本上不随kx变化。