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磁头部的屏蔽以及阴极射线管内部磁屏蔽等电子部件的磁屏蔽都是不可缺少的 ,这样的部件屏蔽材料都是比较小的 ,磁特性和屏蔽性能都容易掌握。但是象磁屏蔽屋和电气室之类环境磁场屏蔽方面所使用的材料 ,其尺寸就要求很大 ,对其磁特性的测定和屏蔽性能的评价都是相当困难的。作为磁屏蔽性能的一个重要指标即磁导率 ,它不仅取决于材料成分 ,也与其制造工艺、加工条件和应力状态有很大关系 ,同时也与材料厚度、磁场强度和频率高低有关。作为磁屏蔽材料 ,要求高的磁导率 μ和高的饱和磁通密度Bs。高 μ材料有纯铁 (电工软铁 )、电磁钢板、坡莫… 相似文献
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为优化屏蔽用电磁纯铁的磁性能,研究了Si含量及终轧温度(770~920 ℃)对屏蔽用电磁纯铁磁性能的影响。结果表明,随着硅含量增加到2.0%,最大磁导率先增大后减小,矫顽力与之相反,饱和磁感应强度逐渐减小但减幅较小。随着终轧温度的升高,晶粒中难磁化方向[111]组分先急剧减少后缓慢增多,有利的(110)[001]组分缓慢增多,偏差度先变小后增大。试验钢中磁性能最佳的成分和工艺是含1.4%Si的电磁纯铁840 ℃终轧,1100 ℃退火,其最大磁导率为37.84 mH/m,矫顽力为16.85 A/m,饱和磁感应为1.80 T,在直流低频弱磁场的环境下,屏蔽效能为13.92 dB。 相似文献
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1 磁粉探伤中的磁导率概念电磁学理论中,磁导率μ的定义是磁感应强度(磁通密度)B与磁场(磁化力)H之比。μ的物理意义反映村料被磁化的难易程度。由于B与H是非线性函数关系,磁导率不是一个常数,而是一个变量,磁粉探伤中各种含义的磁导率有不同的物理意义和用途。1.1 材料磁导率μ材料磁导率μ是指在周向磁化(没有反磁场的影响)下,工件材料内部的磁导率。由材料磁导率建立的B-H磁化曲线和磁滞回线(图1),均为材料本身的标准曲线,反映材料真实的磁特性。在磁粉探伤中根据材料磁化曲线和磁滞回线选择正确的周向磁化规范,以及确定检验方法(剩、连)的依据。1.2 起始磁导率起始磁导率是指磁感应强度(磁通密度)与磁场(磁化力)初始线性变化区域的磁导率(即图2中1的斜率)。此时B与H的变化是可逆的呈线性的。在磁粉探伤中,初始磁导率是决定磁粉性能的十分重要因素之一。 相似文献
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研究了W对Fe-Si-B非晶合金交流磁性的影响。讨论了磁导率随频率及磁感应强度的变化规律。分别在弱磁场及中、强磁场区域对3种合金Fe(82.1)Si(2.2)B(15.7)(1#)、Fe(79.8)Si(2.5)B(17.7)(2#)和Fe(73.7)W(1.3)Si(3.0)B(22.0)(3#)进行了磁损耗分离。结果表明,加入W,使磁谱曲线的下降幅度增加;磁导率随磁场变化的峰值增大,出现峰值的磁场稍移向高场区;在中、强磁场区域,磁损耗分离曲线为一折线,转折点对应的频率f约为20kHz。 相似文献
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利用LCR测试仪测试有效磁导率(μe)为125及60的铁硅铝磁粉芯在不同交流磁感应强度下的品质因数,发现品质因数随频率出现峰值,有效磁导率为125的磁粉芯在大约30kHz时品质因数出现峰值,而有效磁导率为60的磁粉芯则在80kHz左右时品质因数出现峰值,峰值的高低与交流磁感应强度的数值有关。在上述结果的基础上,再分别对上述磁粉芯在直流叠加状态下的品质因数进行测试,结果发现其品质因数随直流叠加磁场出现峰值,在交流磁感应强度频率分别为50、100kHz以及200kHz时,有效磁导率为125的磁粉芯品质因数在直流叠加磁场强度为1571、3927A/m和5890A/m时到达峰值,而有效磁导率为60的磁粉芯在交流磁感应强度频率分别为150、200kHz以及250kHz时,品质因数则在直流叠加磁场强度为4712、5498A/m和7069A/m时到达峰值,峰值的高低与交流磁感应强度的数值有关,并对其原因进行了分析。 相似文献
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磁场沉积态FeCuCrVSiB薄膜的软磁特性和巨磁阻抗效应 总被引:1,自引:0,他引:1
采用射频溅射法,在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品,对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析.结果表明,在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能,与无磁场沉积态相比,样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m,在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%.GMI效应与磁导率比的大小密切相关.无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应,而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应.在13 MHz的频率下,最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%.这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性. 相似文献
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采用射频溅射法, 在无磁场和施加72 kA/m的纵向磁场下制备了FeCuCrVSiB软磁合金薄膜样品, 对沉积态样品的软磁特性和巨磁阻抗(GMI)效应进行了测量和分析. 结果表明, 在制备过程中加磁场可明显改善材料的软磁性能, 与无磁场沉积态相比, 样品的矫顽力从1.080 kA/m降低到0.064 kA/m, 在13 MHz频率下有效磁导率比从10%增加到106%. GMI效应与磁导率比的大小密切相关. 无磁场沉积态样品没有检测到GMI效应, 而磁场沉积态样品则具有显著的GMI效应. 在13 MHz 的频率下, 最大纵向和横向巨磁阻抗比分别高达22%和20%. 这些结果都优于厚度几乎相同的退火态FeCuNbSiB薄膜的GMI特性. 相似文献
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利用矩形脉冲电流对Co_(66.3)Fe_(3.7)Si_(12)B_(18)非晶带进行退火处理,研究了退火电流密度对非晶带巨磁阻抗效应的影响,同时研究了激励电流频率对退火处理后的非晶带巨磁阻抗效应的影响。结果表明,该非晶带的特征频率为1.4 MHz。最大巨磁阻抗所对应的磁场随激励电流频率的增加逐渐向高磁场方向移动。 相似文献
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0.1%Si无取向电工钢晶粒长大对织构和磁性的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
本文研究了0.1%Si无取向电工钢退火过程中晶粒长大对织构和磁感、铁损和交流磁导率的影响,结果表明晶粒尺寸越大,(1)有利面织构(0k1)强度降低;(2)较低磁场下磁感升高,高磁场下磁感降低;(3)铁损降低实际上是磁滞损耗降低;(4)交流导磁率增加。 相似文献
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摘要:利用真空甩带机制备了Fe84Zr2.08Nb1.92Cu1B11金属快淬薄带。X射线衍射结果表明:薄带经570℃退火后析出纳米化结构bccα-Fe相,晶粒大小约为20nm~40nm,利用HP4294A阻抗分析仪测量了此纳米晶薄带中的巨磁阻抗效应。结果显示在低频下阻抗随外磁场单调减小,这主要是由于磁导率随外磁场的变化导致的,高频下阻抗随外磁场变化出现1个峰值,这主要是由于横向各向异性的原因。运用计算机模拟了这一结果,发现磁导率随外磁场的变化在外场与各向异性场的比值约为0.9处出现了峰值,巨磁阻抗效应也在此位置出现峰值。并且随着驱动电流频率的增大峰值变大。 相似文献
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目前磁屏蔽主要使用铁、铜、铝这类常导体金属,而随屏蔽磁场的强度、变化频率的不同,应选用不同的屏蔽材料。在永久磁体的静磁场中, 相似文献
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