潘宁气体组成对交流等离子体显示器放电特性影响的数值分析

为优化彩色ＡＣ ＰＤＰ中的气体组成以提高其性能,建立了ＡＣ ＰＤＰ单元气体放电的一维模型,模型是基于对电子和离子输运的二元流体描述,并耦合了泊松方程及一系列动力学方程。利用此模型对潘宁气体Ｎｅ＋Ｘｅ中Ｘｅ的百分含量对ＡＣＰＤＰ单元放电特性的影响进行了数值分析,给出了气体组成比例对ＡＣ ＰＤＰ工作电压及放电过程中产生ＵＶ射线效率的影响特性。计算过程中,假定放电气体处于局域平衡状态,各种粒子的反应概率     

RF等离子体CVD合成氮化碳薄膜的XPS研究

采用射频等离子体化学气相沉积技术合成氮化碳薄膜，测量其Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），获得两组Ｃ（１ｓ）电子和Ｎ（ｌｓ）电子结合能，它们是Ｅ（Ｃ＾１）＝３９８．０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｃ＾２）＝２８４．６￣２８４．８ｅＶ；Ｅ（Ｎ＾１）＝３９８。０￣３９８．７ｅＶ，Ｅ（Ｎ＾２）＝４００．０￣４００．９ｅＶ。证实了薄膜中碳原子存在ｓｐ＾３杂化轨道成键和ｓｐ＾２杂化轨道成键两种键合形式。该方法合成的氮化碳薄     

彩色PDP的关键技术及AC PDP工作机理研究

对ＡＣＰＤＰ的基本单元在放电时的物理过程进行了探讨，指出ＰＤＰ放电单元可划分为控除、书写和维持放电。研究分析了ＡＣ ＰＤＰ在工作时任一子场中施加在Ｘ电极、Ｙ电极和Ａ电极上的电压波形与放电室壁电荷的对应关系，对各电极上的电压给予了一定的物理意义。最后讨论了目前ＰＤＰ板亟待攻克的关键技术     

曝光时对DCG中Cr2P3／2XPS谱的影响的研究

通过对不同曝光量的重络酸盐明胶（ＤＣＧ）中的Ｃｒ２Ｐ３／２ＸＰＳ（Ｘ射线光电子能谱）的测定发现，Ｃｒ２Ｐ３／２ＸＰＳ谱随曝光量呈规律性的变化；在０￣１９５ｍＪ／ｃｍ＾２曝光量范围内，它的１／５高密度（ＦＷＦＭ，即：ｔｈｅ ｆｕｌｌ ｗｉｄｔｈ ａｔ ｆｉｆｔｈ ｍａｘｉｍｕｍ）和５７６．４ｅＶ附近的峰的相对强度先随曝光量的增加而减小；相反，它的５７９．４ｅＶ和５７７．４ｅＶ附近的两个峰的相对强度却     

钛和氘化钛的电子谱特征

在ＳＤＬ－１２型多功能谱仪上进行了纯钛和氘化太钛（ＴｉＤ１．７）能量损失谱（ＥＬＳ）和Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）的研究。实验发现，氘化钛的等离激元的能量增加，并且其Ｔｉ２ｐ１／２，２ｐ３／２能级的结合能增大。氘化钛较之纯钛其费米能级以下５－１１ｅＶ出现一新的能态。以上结果表明：氘原子的电子在氘化钛中的行为类似自由电子，同时钛与氘之间发生电荷转移，电子转移的方向为Ｔｉ→Ｄ。     

潘宁气体组成对交流等离子体显示器放电特性影响的数…

为优化彩色ＡＣ ＰＤＰ中的气体组成以提高其性能,建立了ＡＣ ＰＤＰ单元气全放电的一维模型。模型是基于对电子和离子运输的二元流体描述,事了泊松方程及一系列动力学方程。利用此模型对潘宁气体Ｎｅ＋Ｘｅ的百分含量对ＡＣ ＰＤＰ单元放电特性的影响进行了数值分析,给出了气体组成比例对ＡＣ ＰＤＰ工作电压及放电过程中产生的ＵＶ线效率的影响特性。     

复合钙钛矿Pb（Fe1／2Nb1／2）O3的弛豫特性

制备了纯钙钛矿相Ｐｂ（Ｆｅ１／２Ｎｂ１／２）Ｏ３（ＰＦＮ）陶瓷，研究其介电性能表明，ＰＦＮ陶瓷无论退火与否都存在弥散性相变（ＤＰＴ）现象，未退火试样εｍａｘ对应的温度Ｔｍ不随测量频率变化，退火试样的Ｔｍ随频率变化，即表现出Ｔｍ频率色散现象，结合ＸＲＤ分析，指出ＰＦＮ应属弛豫铁电体。     

彩色等离子体显示器放电气体的研究

实验研究了由Ｈｅ，Ｎｅ和Ｘｅ组的放电气体的混合比例和压强对彩色等淳子体显示器光电性能的影响。并通过解Ｂｏｌｔｚｍａｎｎ方程，从电子能量的角度对实验结果进行了理论分析。研究结果表明，优化的Ｈｅ，Ｎｅ，Ｘｅ配比和充气压强可使彩色ＰＤＰ具有着火电压适当、记忆范围大、等优点。     

钙钛矿型复合氧化物LaMyM1‘—yO3的氧化还原性能的研究

用ＴＰＲ、ＸＲＤ和ＸＰＳ手段研究了Ｂ位二元复合钙钛矿型复合氧化物ＬａＭｙＭ１＇－ｙＯ３（Ｍ、Ｍ＇＝Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ；ｙ＝０．１－０．１）中过渡金属离子的氧化还原性能和还原过程。ＬａＭｎＯ３和ＬａＣｏＯ３及富Ｍｎ和富Ｃｏ样品的还原分为两步：第一步对应于高价过渡金属离子的还原，且不破坏钙钛矿的骨架结构，但可使晶体的对称性及缺陷浓度发生改变；第二步还原使钙钛矿结构破坏，还原产物中出现单元氧化物和金属单质     

低掺铝TiN薄膜的XPS,XRD分析研究

本文用多弧离子镀方法制备了Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ（ｘ＜０．３）薄膜，并且运用俄歇电子能谱（ＡＥＳ），Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和扫描电子显微镜（ＳＥＭ）等技术对Ｔｉ１－ｘＡｌｘＮ进行测试和分析。结果表明：膜层中除含Ａｌ、Ｔｉ、Ｎ元素外，还出现了一定量的氧；薄膜呈现了（１１１）、（２２２）等晶面的择优取向；薄膜与基底间的附着力较好。     

单基板彩色AC-PDP放电单元模拟及极间距离的优化计算

采用二维单基板彩色AC PDP数值计算模型 ,对放电单元的工作过程进行了模拟计算 ,给出了180V外加电压施加 4 μs后放电单元中电子和Xe激发态分子Xe (3p1)的空间浓度的分布情况。通过模拟计算不同X ,Y电极间距下电子和Xe (3p1)随时间变化情况 ,分析了进行电极距离优化设计的必要性和可能性     

前驱体制备途径对PFN-PMN二元铅基铁电陶瓷性能的影响

综合运用 ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＥＤＳ和介电测量等方法,考察了一步预煅烧法和二步预煅烧法等前驱体制备途径对Ｐｂ（Ｆｅ_１／２Ｎｂ_１／２）Ｏ_３（ＰＦＮ）－Ｐｂ（Ｍｇ_１／３Ｎｂ_２／３）Ｏ_３（ＰＭＮ）二元系铁电陶瓷显微结构和介电性能的影响．研究结果表明,对（１－Ｘ）ＰＦＮ－ＸＰＭＮ二元系而言,在所考查的组成范围内（Ｘ＝０～０.５）;其居里温度与ＰＭＮ的含量近似成线性关系,且随Ｘ的增加,居里温度向低温方向移动.峰值介电常数随Ｘ的增加而降低．（预）煅烧和烧结条件对显微结构和介电性能都有不可忽视的影响．对用一步预煅烧法和二步预煅烧法得到的样品的介电性能和其他性能进行了比较,并对其差异产生的可能机制进行了讨论．     

溅射二氧化铈氧敏薄膜的XPS研究

本文用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，利用Ｘ射线光电子能谱研究了不同处理条件对ＣｅＯ２－ｘ薄膜电子组态的影响，特别是对表面的价态和吸附性质的影响。通过对Ｃｅ３ｄＸＰＳ谱的高斯拟合，计算了Ｃｅ＾３＋浓度并给出了判定Ｃｅ＾４＋还原的标志。研究结果表明，在空气中经１１７３Ｋ高温退火后可得到结晶完好的多晶ＣｅＯ２薄膜，而薄膜的化学价态没有变化，退火前后薄膜表面总有少量Ｃｅ＾３＋存在（１５％）     

机械球磨法制备纳米晶Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B95的结构研究

对Ｆｅ７３．５Ｃｕ１ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９成分的母合金进行了机械球磨，并对不同时间的球磨样品进行了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱（ＭＳ）的测量，结果表明样品难以完全非晶化，形成了无序的αＦｅ－Ｓｉ固溶体的纳米晶，晶粒尺寸在５ｎｍ左右，同时共存一部分富集Ｎｂ，Ｂ元素的界面非晶相。在各种球磨条件下对αＦｅ－Ｓｉ固溶体中的Ｓｉ含量进行了计算。     

机械球磨法制备纳米晶Fe_（73．5）Cu_1Nb_3Si_（13．5）B_9的

对Ｆｅ_（７３．５）Ｃｕ_１Ｎｂ_３Ｓｉ_（１３．５）Ｂ_９成分的母合金进行了机械球磨，并对不同时间的球磨样品进行了Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）和Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱（ＭＳ）的测量，结果表明样品难以完全非晶化，形成了无序的αＦｅ－Ｓｉ固溶体纳米晶，晶粒尺寸在５ｎｍ左右，同时共有一部分富集Ｎｂ，Ｂ元素的界面非晶相。在各种球磨条件下对αＦｅ－Ｓｉ固溶体中的Ｓｉ含量进行了计算。纳米晶Ｆｅ_（７３．５）Ｃｕ_１Ｎｂ_３Ｓｉ_（１３．５）Ｂ_９软磁合金近年来受到了广泛的重视~［１］。这种材料通常是由熔融金属急冷制成非晶薄带，然后在晶化温度以上退火制成，晶化以后在非晶基体上均匀析出１０－２０ｎｍ尺寸的αＦｅ－Ｓｉ固溶体。机械球磨或机械合金化是近些年来发展起来的一种制备亚稳态材料如非晶，纳米晶，准晶等的有效手段，有一定优越性。本文利用机械球磨探讨一种制备纳米晶Ｆｅ_（７３．５）Ｃｕ_１Ｎｂ_３Ｓｉ_（１３．５）Ｂ_９合金粉末的新途径。     

Cu和Nb对非晶态Fe—Si─B合金等温晶化过程的影响

采用示差扫描量热卡计（ＤＳＣ）得到了非晶态Ｆｅ─Ｓｉ─Ｂ合金加入Ｃｕ和Ｎｂ后的等温晶化放热曲线，结合Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析，明确了Ｃｕ和Ｎｂ在形成纳米α─Ｆｅ（Ｓｉ）晶体相时的作用．此外，非晶态Ｆｅ（７６．５）Ｓｉ（１３．５）Ｂ９Ｃｕ１和Ｆｅ（７３．５）Ｓｉ（１３．５）Ｂ９Ｃ１Ｎｂ３等温晶化的α─Ｆｅ（Ｓｉ）放热峰呈明显的非对称形状     

氮化铁梯度薄膜的制备和磁性研究

用对向靶溅射方法制行出氮化铁梯度薄膜。利用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）对样品进行了深度剖面分析，铁原子和氮原子的百分含量沿膜厚方向呈梯度变化。Ｘ射线衍射表明膜中含有α＝Ｆｅ，－Ｆｅ１６Ｎ２，ε－ＦｅｘＮ（２〈ｘ≤３）和δ－Ｆｅ２Ｎ各相。随着氮分压增加，膜中含氮量高的相比例亦增加，饱和磁通密度逐渐降低。     

退火对氧敏CeO2—x薄膜结构及电子组态的影响

用射频磁控溅射法制备了ＣｅＯ２－ｘ高温氧敏薄膜，用Ｃｅ３ｄ的ＸＰＳ谱计算了Ｃｅ＾３＋浓度，研究了退火条件对氧敏ＣｅＯ２－ｘ薄膜的晶体结构及电子组态的影响，ＸＲＤ和ＡＦＭ分析表明，薄膜经９７３Ｋ至１３７３退火后，形成了ＣａＦ２型结构的ＣｅＯ２－ｘ其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚，退火温度在９７３Ｋ至１１７３Ｋ时（２００）晶面是择优取向的，在１３７３退化４ｈ后，可得到热力学稳定的ＣｅＯ２－ｘ在退火前     

掺铋钇铁石榴石光吸收谱的理论计算

利用ＤＶ－Ｘα方法分别计算了Ｆｅ＾３＋Ｏ＾２－６和Ｆｅ＾３＋Ｏ＾２－４原子族的能态密度和能级，在能级图的基础上，给出了０．５－０．９μｍ（１．６ｅｒ－２．３ｅｖ）范围内Ｂｉ－ＹＩＧ与吸收有关的跃迁能级，振子强度和跃迁线宽，并计算了相应的吸收谱，理论计算与实验结果符合较好。     

Fe73.5Cu0.8Nb2V1.2Si11.5B11新型纳米晶合金的研究

报道了Ｆｅ７３５Ｃｕ０８Ｎｂ２Ｖ１２Ｓｉ１１５Ｂ１１新型纳米晶合金的研究结果。透射电镜和穆斯堡尔谱研究表明，合金经８４３Ｋ，０５ｈ真空退火，形成由平均晶粒尺寸为１８ｎｍ左右的αＦｅ（Ｓｉ）相（～７８％）和剩余非晶组成的显微结构。合金的饱和磁感应强度为１４Ｔ，ｆ＝１ＫＨｚ时最大有效磁导率（μｅ）为７１８×１０－３Ｈ／ｍ，Ｐ１２／２ｋ２１ｋＷ／ｍ３，Ｐ１１／１０ｋ２１８ｋＷ／ｍ３，Ｐ０５／２０ｋ１５７ｋＷ／ｍ３，Ｐ０２／１００ｋ３００ｋＷ／ｍ３，矫顽力Ｈｃ≈１１Ａ／ｍ。合金具有明显的磁场处理效果，经纵向和横向磁场退火后，其Ｂ３０、α３０分别为１４４Ｔ，０９０和１３０Ｔ、０１。与Ｆｅ７３５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３５Ｂ９相比，由于用Ｖ代替了部分Ｎｂ，提高了熔体流动性，改善了快淬合金带材的机械特性，降低了成本。