InGaAs／InP雪崩二极管的温度一电压特性

用InGaAs／InP雪崩二极管进行单光子探测,其工作温度和偏置电压是影响InGaAs／InP单光子探测器探测性能的重要因素。介绍了基于ADN8851控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法;并分析了几组不同温度下光电流、暗电流一电压特性曲线,得出一些结论。     

复合晶体硬X射线天文探测器性能的Monte-Carlo模拟

利用计算机对硬X射线天文望远镜HAPI-3的闪烁探测器(NaI-CsI复合晶体:φ200×5,φ200×50)的性能进行了Monte-Carlo模拟。对硬X能区的入射光子在探测器晶体中相互作用行为作了计算机跟踪并记录了光子在晶体中的能损谱。本文得到以下结果:1.对于20—200 KcV探测能区的天体X射线源,HAPI-3的探测效率不低于38％,平均探测效率约94％(对于蟹状星云硬X辐射);反照本底光子能够全部被屏蔽;对于主晶体中的散射光子,CsI晶体反符合效率接近百分之百。2.主晶体NaI的最佳厚度约为5mm。     

有机-无机复合膜研究取得重要进展

西安光机所紫外单光子成像系统研究组经过3年的努力,采用微通道板和特殊结构的WSA阳极收集器,通过相应的电子读出系统,实现了单光子成像探测,而且还研发出一套完全具有自主知识产权的极紫外成像探测器原理样机,并获得了模拟太空极微弱紫外目标图像的重要研究成果。     

基于MSP430F149的金属物体探测定位器

为了使金属物体探测器能快速探测到玻璃下方的金属物体,本设计采用了一款基于MSP430F149为核心的单片机控制的可自主移动智能型金属探测定位器。在机械结构上,通过可自由移动的X轴方向与Y轴方向的导轨,实现探测定位器可自主移动;金属探测器采用TI公司LDC1000电感/数字转换器评估板(AY-LDC1000)作为金属物体探头,来感应金属涡流效应引起的通电线圈磁场的变化,并将磁场变化转化为电压的变化,单片机测得电压值,并与设定的电压基准值相比较后,决定是否探测到金属。     

红外探测器的研制

近35年来,我的科研工作都与红外探测器有关.前20年直接从事红外探测器的研制,后15年转向窄禁带半导体物理的研究,特别是Hg_(1-x)Cd_xTe(以下简写成HCT)的研究,它是红外探测器的最重要的材料.在很多重要应用领域,最需要的是用来探测1—3、3—5和8—14μm等三个波段(所谓“大气窗口”)的光子型红外探测器.我们曾先后研制成用于1—3μm的PbS红外探测器     

光学模拟信号处理引擎与重构——InP基单片集成微波有源光子滤波器成果简介

一、InP基单片集成微波有源光子滤波器的研究 随着移动多媒体、IPTV、视频数据流等宽带业务的与日剧增,下一代IMT—advanced移动通信接入网中的数据正转向以视频为基础的交互式多媒体。传统的宽带接入方式传输带宽窄、传输距离短,     

一种PbS红外探测器电制冷自整定恒温控制电路的设计

本文介绍了一种应用于电制冷Pb S红外探测器的自整定恒温控制电路的设计方法。由于Pb S探测器特性使得温度变化直接影响其本身的探测效率,因此对于红外探测器的温度控制尤为重要。本设计能够实现Pb S探测器温度自动检测整定并调整探测器电制冷控制电压,形成闭环控制,提高了控制响应速度和输出稳定性。     

闪烁探测器在快中子探测方面的应用研究

目前对快中子的探测主要有两种方法:一是将快中子慢化后进行探测,此种方法比较常用的探测器有3He正比计数管、BF3正比计数管等;一种是对快中子进行直接探测,这种方法常用的探测器是闪烁探测器.本文对用于快中子(能量大于1KeV)探测的闪烁探测器的种类及性能、应用等进行了综述,并简单讨论了中子探测的发展趋势.     

车辆轴温监测系统中的光子探测器

介绍了光子探测器在车辆轴温监测系统中的应用,对光子探测器的工作原理、安装方法及常见故障作了详细的阐述。     

APD单光子探测器的抑制技术

<正>为实现高光子测量效率,快速控制雪崩淬灭,缩短死区时间,并对光子脉冲进行准确计数,在分析光电二极管雪崩增益特性及工作原理的前提下,设计出高效雪崩二极管探测器。针对雪崩淬灭和电压恢复抑制方式不同,对雪崩抑制电路的被动和主动模式进行分析与仿真。测试结果表明:全被动模式虽然电路模型简单,容易实现,但是死区时间过长,光子数目测量率较低;而主动工作模式可以实现高效计数,极大限度地缩短死区时间,克服偏压恢复时间较长的缺陷。本文利用高速放大器的高速特性,设计出精密快速的抑制电路,用以控制探测器的雪崩淬灭和电压恢复,实施了主动淬灭与快恢复相结合的抑制电路。