铝材化学镀镍—铜—磷合金

研究了铝在以次亚磷酸钠为还原剂，柠檬酸钠为络合剂的碱性槽液内化学镀Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ的工艺。分析了影响镀层成分，共沉积过程及镀层与基体结合强度的因素。本文指出，镀液「Ｎｉ＾２＋」／「Ｃｕ＾２＋」在１．２－２０．０范围变化时，可获得含铜（９５－５１）％（ｗｔ）的Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ合金镀层。     

液膜分离富集金及其微量测定

在协同流体载体（ＴＯＡ和ＰＭＢＰ）、表面活性剂（ＳＰＡＮ８０）、膜增强剂（液体石蜡）、溶剂（煤油）和内相（ＴＵ－ＨＣｌ溶液）乳状液膜体系中，在迁移条件下，１５ｍｉｎ内Ａｕ迁移率达９９．５％以上，而许多常见的离子则不能通过液膜迁移，只有Ａｕ才能从含有ΣＲＥ＾３＋、Ａｇ＾＋、Ｐｄ＾２＋、Ｐｔ４＾＋、Ｒｈ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、Ａｌ＾３＋、Ｐｂ２＾＋、Ｚｎ＾２＋、Ｎｉ＾２＋、Ｍｏ＾６＋、Ｗ＾６＋     

CO2饱和高温弱酸性介质中Ni-Cu-P合金、纯Ni和A3钢的电化学行为

用线性极化法,极化曲线法和失重法研究了化学镀Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ非晶态合金,纯Ｎｉ和Ａ３钢于１４０℃,ｐＨ值５．０、ＣＯ２饱和的２Ｗ（ｗｔ）ＮａＳＯ４溶液中的腐蚀电化学行为,结果表明,在该介质条件下,Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ合金、纯Ｎｉ和Ａ３钢的耐蚀性依次减弱,比值为８１．２：２３．９：１．０。Ｎｉ－Ｃｕ－Ｐ合金于２５０￣５５０ｍＶ（ｖｓ ＯＰ）区间发生钝化;纯Ｎｉ在５０￣１５０ｍＶ和高于４００ｍＶ（ｖｓＯＰ）区     

超微粉石墨层间化合物CuCl2—NiCl2—GICs合成及电学性能

常规的ＧＩＣｓ合成原料均采用合成石墨或者粒度较粗的天然石墨，这里采用超微粉石墨作原料，进行受主金属氯化物ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣ的合成研究。使用山东南墅石墨（３０００目）、Ｃｕ－Ｃｌ２和ＮｉＣｌ２（５ｎ：０．５：０．５摩尔比），在５２８℃，真空度１０．３Ｐａ条件下，得到超微粉的ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣｓ，ＳＴＥＭ单原子能谱扫描结果显示出铜离子和镍离子分布基本均匀，合成的１，２，３和４阶     

立方A^4＋M^5＋2O7型化合物与新型负热膨胀材料

概述了立方Ａ＾４＋Ｍ＾５＋２Ｏ７型化合物的结构特点，讨论了ＡＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ａ＝Ｚｒ或Ｈｆ；ｘ＝０．１～１．２）及其部分取代的Ａ＾４＋１－ｙＢ＾４＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｂ＝Ｔｉ，Ｃｅ，Ｔｈ，Ｕ，Ｍｏ，Ｐｔ，Ｐｂ，Ｓｎ，Ｇｅ或Ｓｉ；ｙ＝０．１～０．４）和Ａ＾４＋１－ｙＣ＾１＋ｙＤ＾３＋ｙＶ２－ｘＰｘＯ７型（Ｃ为碱金属元素，Ｄ为稀土金属元素）材料的负热膨胀性能。     

含La^3＋的Ni—Zn铁氧体的微观结构和电磁性能

本在Ｎｉ－Ｚｎ铁氧体中掺入Ｌａ２Ｏ３后，材料的电磁性能，温度特性和微观结构所发生的变化，研究了Ｌａ＾３＋离子的掺 杂效应和作用机制。实验表明：Ｎｉ０．４１Ｚｎ０．６０Ｓｎ０．０１Ｃｕ０．０２Ｆｅ２．０４－ＸＬａＸＯ４±δ在ｘ＜０．０１０时，Ｌａ＾３＋离子能细化晶粒；ｘ０．０１０时，Ｌａ＾３＋离子使晶界模糊，晶粒尺寸增大；不同温度区域的电子激活能Ｅρ呈现出明显的差异。Ｌａ＾３＋离子对电阴率ρ的贡献     

Fe（OH）3中微量金属离子对水热合成α—Fe2O3粒径的影响

本文研究了某些金属离子（Ａｌ＾３＋、Ｍｎ＾２＋、Ｚｎ＾２＋、Ｃｒ＾２＋、Ｎｉ＾２＋、Ｃｏ＾２＋）Ｆｅ（ＯＨ）３凝胶经水热法合成的α－Ｆｅ２Ｏ３微粉颗粒大小的影响。研究结果出现，随着金属离子的浓度在一定范围内（０．０１０－０．０５０ｍｏｌ·Ｌ＾－１）的增加，α－Ｆｅ２Ｏ３颗粒有减小的趋势。其中加入Ｃｏ＾２＋（０．０５０ｍｏｌ·Ｌ＾－１）、Ｍｎ＾２＋（０．１００ｍｏｌ·Ｌ＾－１）可以得到粒径为７５ｎｍ     

镍和镍铁镀液中Ni^2＋,Fe^2＋和Cl^—浓度的快速测定

根据Ｎｉ＾２＋在汞膜电极上的电化学还原和Ｆｅ＾２＋、Ｃｌ－在铂电极上的电化学氧化特怀，采用ＤＺ－１Ｂ型电镀添加剂测定仪快速测定镍和镍铁镀液中Ｎｉ＾２＋、Ｆｅ＾２＋和Ｃｌ－的浓度，操作简便，快速，适用于民镀车间的镀液分析。     

钴镍合金镀液中Ni^2＋,Co^2＋和Cl^—浓度的快速测定

采用ＤＺ－１Ｂ型电镀添加剂测定仪进行钴镍合金镀液中Ｎｉ＾２＋、Ｃｏ＾２＋和Ｃｌ＾－浓度的快速测定。结实结果表明，应用汞膜电极和铂盘电极可快速测定合金镀液中Ｎｉ＾２＋、Ｃｏ＾２＋和Ｃｌ＾－浓度，操作快速简便。此方法不仅适用于一般的钴镍合金镀液，还透用于磁性镍钴镀液和镀镍、镀钴溶液的分析。     

液膜分离富集和测定锤液中的微量铅

用二环己基－１８－王冠－６（ＤＣ－１８－Ｃ－６）、表面活性剂ＳＰＡＮ８０、中性油ＳＩＯＯＮ－１和溶剂三氯甲烷乳状液膜体系，研究了Ｐｂ＾２＋的迁移行为。在适宜条件下，８ｍｉｎ内Ｐｂ＾２＋的迁移率达９９．４％以上，相同条件下，许多金属离子（如Ｎｉ＾２＋、Ｌｉ＾＋、Ｋ＾＋、Ｎａ＾＋、Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｓｒ＾２＋、Ｂａ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、ＡＬ＾３＋、Ｃｕ＾２＋、Ｚｎ＾２＋和Ｃｏ＾２＋等）均不被迁移，     

钙钛矿型复合氧化物催化剂中过渡金属离子的状态及其间的相互作用

讨论了Ｂ位二元复下钛矿型复合氧化物ＬａＭｙＭ＇１－ｙＯ３（Ｍ，Ｍ＇＝Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ；ｙ＝０．０￣１．０）中过渡金属离子的状态及其间的相互作用。在Ｍｎ－Ｃｏ复合体系中，富锰区（ｙ〉０．５）Ｍｎ＾３＋－Ｏ＾２－－Ｍｎ＾４＋的铁磁超交换作用对样品的磁性起决定作用。富钴区（ｙ〉０．５）Ｃｏ＾２＋和Ｃｏ＾ＩＩＩ离子的存在及其浓度是影响磁性和电导性的主要因素。ｙ＝０．５时样品的结构决定了样品的强铁磁性质。在     

天然高分子吸附剂研究：Ⅳ.铜（Ⅱ）模板壳聚糖树脂的合成 …

以铜离子为模板剂，合成了一系列模板离子含量不同的乙醇双缩水甘油醚交联的壳聚糖树脂，工研究了该类吸附剂对几种过渡金属离子的静态吸附性能。结果表明，该类吸附剂对Ｃｕ＾２＋比对Ｎｉ＾２＋和Ｃｏ６２＋具有更高的吸附选择性，其吸附容量分别为２．５５，２．０６，１．４６ｍｍｏｌ／ｇ。     

电镀

２０００１２２２ 铝材复合表面处理技术——Ｃｈｕ Ｓ２．Ｊ ＥｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌＳｏｃ,１９９９,１４６（２）：５３７（英文） 研究了铝材阳极氧化、激光辐照和化学镀Ｎｉ－Ｐ复合表面处理技术,铝材阳极氧化后形成多孔氧化膜,然后浸入含Ｐｂ２＋的Ｎｉ２＋／Ｈ２ＰＯ２－溶液中进行化学镀Ｎｉ－Ｐ合金,并用ＹＡＧ脉冲激光器照射,以去除氧化膜。激光照射区进行局部化学沉积Ｎｉ－Ｐ合金［含９．５％（ａｔ）～１１．２％（ａｔ）Ｐ］,溶液温度＞８５℃,Ｃｐｂ２＋为０．３×１０－４％－２．４ × １０－４％。分析了…     

新型球状胺基淀粉树脂的合成及性能

以环氧氯丙烷、二乙烯三胺和可溶性淀粉为原料,合成了新型球状胺基淀粉树脂,研究了该树脂对若干重金属离子的静态吸附性能．结果表明,该树脂对Ｃｕ２＋,Ｎｉ２＋;Ｃｏ２＋;Ｚｎ２＋的吸附容量可分别达０．６～０．９９,０５４～０．８５,０．３１～０．４７和 ０．０６～０．１０ｍｍｏｌ·ｇ～（－１）;对四种金属离子的吸附动力学表明,吸附均为液膜扩散控制;其等温过程可以分别由 Ｆｒｅｕｎｄｌｉｃｈ和 Ｌａｎｇｍｕｉｒ方程描述．     

超微粉石墨层间化合物CuCl_2-NiCl_2-GICs合成及电学性能

常规的ＧＩＣｓ合成原料均采用合成石墨或者粒度较粗的天然石墨，这里采用超微粉石墨作原料，进行受主金属氯化物ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣ的合成研究。使用山东南墅石墨（３０００目）、Ｃｕ－Ｃｌ２和ＮｉＣｌ２（５ｎ：０．５∶０．５摩尔比），在５２８℃、真空度１０．３Ｐａ条件下，得到超微粉的ＣｕＣｌ２－ＮｉＣｌ２－ＧＩＣｓ，ＳＴＥＭ单原子能谱扫描结果显示出铜离子和镍离子分布基本均匀。合成的１，２，３和４阶ＧＩＣｓ的电导率分别为１．５３６×１０４，１．６３８×１０４，３．７７３×１０４，和５．７２７×１０４。而石墨原料的电导率为１．８５１×１０４，从整体来看合成的ＧＩＣｓ的电导率是石墨原料的０．８－３倍。对比合成的ＧＩＣｓ的电导率发现，阶数不同，电导率不同，并且随着阶数的升高，电导率增大。     

锌—镍合金共沉积的交流阻抗行为

测量了含有Ｎｉ＾２＋，Ｚｎ＾２＋及Ｚｎ＾２＋、Ｎｉ＾２＋的氯化铵型电解液中电极的极化值。在外加２Ａ／ｄｍ＾２的阴极偏流下，分别测取了各溶液中电极的交流阻抗谱，以此为基础，提出了镍、锌及锌－镍共沉积的等效电路模型。     

铜离子注入对半导体BaTiO3陶瓷PTCR特性的影响

应用阻抗谱，结合阻温特性测量分析铜离子注入（１１０ＫｅＶ，６×１０＾１５和１×１０＾１７ｉｏｎｓ／ｃｍ＾２）半导体ＢａＴｉＯ３陶瓷的ＰＴＣＲ特性。结果表明，注入剂量较低时，可以提高材料的ＰＴＣＲ效应。认为注入的铜离子以Ｃｕ＾２＋和Ｃｕ＾＋同时存在于ＢａＴｉＯ３材料晶界处并发生电子转移，起着电子陷阱作用。     

金红石TiO2晶体中F和F+心电子结构及其吸收光谱研究

本文运用嵌入原子簇的电荷自洽离散变分方法（ＳＣＣ－ＤＶＭ－Ｘα方法）分别对ＴｉＯ２晶体中Ｆ和Ｆ＾＋心的能级结构进行计算,得到了Ｆ和Ｆ＾＋心的光学吸收跃迁模式,其跃迁能量分别是０．９８,１．７８ｅＶ,我们认为,经还原后的ＴｉＯ２晶体,在光吸收实验中测到的１．２μｍ（１．０２ｅＶ）,７６０ｎｍ（１．７５ｅＶ）两个峰分别是由于还原过程中形成的Ｆ和Ｆ＾＋心的吸收峰,并存在着Ｆ→Ｆ＾＋的转型过程。     

镍内电极多层陶瓷电容器介质材料的研究

通过（ＢａＯ＋ＣａＯ）／（ＴｉＯ２＋ＺｒＯ２）略大于１的Ｂａ－ＴｉＯ３系材料进行受主离子Ｃａ＾２＋、Ｍｇ＾２＋、Ｆｅ＾３＋、Ｍｎ＾２＋和Ｚｎ＾２＋掺杂试验,使瓷料在还原性气氛中与镍电极共烧,获得介电常数为１５０００、绝缘电阻率达到１０＾１２Ω．ｃｍ的抗还原陶瓷。     

SiC埋层结构与C^＋注入剂量关系

采用ＭｅｔａｌＶａｐｏｒＶａｃｕｕｍＡｒｃ（ＭＥＶＶＡ）离子源的离子束合成法，往Ｓｉ衬底注入剂量为３．０×１０＾１７～１．６×１０＾１８ｃｍ＾－２的Ｃ＾＋制成ＳｉＣ埋层，Ｃ＾＋离子束的引出能量为５０ｋｅＶ，光电子能谱和红外吸收谱表明ＳｉＣ埋层的结构特征明显地依赖于剂量，采用ＭＥＶＶＡ离子源可以平均衬底温度低于４００℃时得到含有立方结构的ＳｉＣ埋层。