3 GHz CMOS低噪声放大器的优化设计

基于0.18 μm CMOS工艺,采用共源共栅源极负反馈结构,设计了一种3 GHz低噪声放大器电路.从阻抗匹配及噪声优化的角度分析了电路的性能,提出了相应的优化设计方法.仿真结果表明,该放大器具有良好的性能指标,功率增益为23.4dB,反向传输系数为-25.9 dB,噪声系数为1.1 dB,1dB压缩点为-13.05 dBm.     

以有源电感为负载的CMOS宽带LNA设计

本文设计了一个基于数字CMOS工艺的以有源电感为负载的宽带低噪声放大器,其中包括了级联型有源电感的优化设计。电路采用共栅结构,用HSPICE进行仿真优化,模拟结果表明电路工作良好,S21达到10dB,电压增益为17dB,满足增益要求;在3dB带宽内,S11在-12￣-17dB之间,完全符合一般通信系统S11<-10dB的要求;NF在3.6至4.9之间。通带的反向隔离良好,大于40dB,S22亦在-14dB以下。     

超宽带信号低噪放大电路的设计与实现

本文设计了一个应用于超宽带穿墙探测雷达系统中的低噪声放大电路.放大器选用BFP420晶体管,采用两级级联反馈式的设计原理,工作频段为100MHz～1.8GHz,增益约为23.6dB,噪声系数小于1.5dB,对脉冲信号的放大效果良好.     

一种0.8GHz～6GHz CMOS超宽带低噪声放大器设计

给出了一个针对0.8GHz～6GHz 的超宽带低噪声放大器 UWB LNA(ultra-wideband low noiseamplifier)设计。设计采用0.18μm RF CMOS 工艺完成。在0.8GHz～6GHz 的频段内,放大器增益 S21达到了17.6dB～13.6dB。输入、输出均实现良好的阻抗匹配,S11、S22均低于-10dB。噪声系数(NF)为2.7dB～4.6dB。在1.8V 工作电压下放大器的直流功耗约为12mW。     

一款RFID低噪声放大器的设计与仿真

电子标签的广泛应用对UHF RFID(超高频射频识别)阅读器的性能提出了更高的要求.低噪声放大器能降低系统的噪声和提高接收机灵敏度,是接收系统的关键部件.设计的LNA应用于UHF RFID阅读器前端,要求工作频率为900一930MHz,噪声系数小于1dB,带内增益大于15dB以及高线性度指标包括输出1dB压缩点大于15dBm和输出三阶互调点大于30dBm.结合相关设计理论,利用安捷伦科技的E-PHEMT(增强型伪高电子迁移率晶体管)ATF54143,完成了电路设计并通过ADS2006对直流偏置、输入输出匹配以及源极加负反馈进行优化等仿真,结果表明:电路的噪声系数可达到0.54dB,功率增益高达23.4dB,输入、输出匹配良好,各种线性度指标也完全符合设计要求.     

一种用于音频信号的Sigma-Delta A/D转换器设计

基于SMIC 180 nm混合信号CMOS工艺,实现了一种应用于音频信号的16 bit四阶级联Sigma-Delta ADC.其过采样率为64,信号带宽为20 kHz.数字滤波器采用CIC抽取滤波器、CIC补偿滤波器及半带滤波器级联实现,其通带纹波小于0.01 dB,阻带衰减达到-100 dB.在1.8V电源电压下,该ADC整体功耗约为2.34 mW.信噪失真比可达95.9 dB.     

高增益低功耗CMOS低噪声放大器的设计

本文基于TSMC 0.35μm CMOS工艺,设计了一种工作于2.4 GHz频率下的、高增益、低功耗的低噪声放大器.并在ADS的平台下进行了参数的优化与仿真.其仿真结果表明,该低噪声放大器的最大增益约为16 dB,并且波动范围小于0.3dB;噪声系数约为0.8 dB,IIP3为 1.6 dBm:在1.5 V电源电压供电条件下,电路直流功耗为8 mW.因此,该电路实现了高增益、低功耗的功能.满足实际应用的要求.     

一种新型宽带圆极化天线研究与设计

论文提出了一种新型宽带圆极化天线,成本低廉,结构简单,性能优异.此天线基板采用普通FR4板材,其辐射体由方形地、钩形分枝及倒L形分枝三部分组成,并由50Ω微带阻抗传输线进行馈电.天线尺寸为55×55mm2,工作在1.75GHz～2.9GHz.频段.天线的10dB回波损耗相对带宽和3dB轴比(AR)相对带宽分别为49％(1.75GHz～2.9GHz)和50％(1.8GHz～3GHz),其良好的圆极化和阻抗性能可以在相关的无线通信系统中得到很好地应用.     

一种宽频带四单元微带天线阵设计*

综合运用了H型缝隙耦合馈电技术和引入空气层技术展宽了天线的频带,设计出一个工作在Ku波段的宽频带微带天线单元并组成四单元阵列。该天线由两层介质板构成,并利用180°反相馈电抑制了高次模的耦合激励,降低了交叉极化电平。使用三维电磁场仿真软件(Ansoft HFSS)对微带天线进行仿真优化,仿真结果表明,天线单元性能良好,相对阻抗带宽(S11≤-10 dB)为8.5%,增益为8.05 dB。四单元天线阵列相对阻抗带宽(S11≤-10 dB)达到16.6%,增益为13.7 dB。天线阵列性能良好,设计方法具有很好的可扩展性。归纳总结出的介电常数计算式也具有普遍性。     

采用新型电流舵结构的增益可调UWBLNA

基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款工作在3 GHz⁵ GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配。利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz5 GHz频段的增益可调超宽带低噪声放大器(LNA)。LNA输入级采用局部反馈的共栅结构,实现了超宽带输入匹配和良好的噪声性能;放大电路级采用提出的新型电流舵结构,实现了放大器增益连续可调;输出级采用源极跟随器,获得了良好的输出匹配。利用ADS2009进行仿真验证,结果表明,在3 GHz⁵ GHz工作频段内,LNA获得了25 dB的增益可调范围,最高增益达到24 dB,输入端口反射系数小于-11 dB,输出端口反射系数小于-14 dB,最小噪声系数为2.3 dB,三阶交调点(IIP3)为4 dBm,在1.2 V电压下,电路功耗仅为8.8 mW。