光折变晶体Ce：LiNbO3的光学性质及其应用

本文介绍了Ce:LiNbO_3晶体的光学性质,并与Fe:LiNbO_3晶体作了对比,同时用该晶体做了相衬法有关实验。     

Fe∶LiNbO_3晶体在实时双曝光全息干涉计量中的应用

本文介绍用Fe:LiNbO_3晶体作为记录介质的实时双曝光全息干涉法,给出了一些位相型透明体的实验结果。     

Zr：Fe：LiNbO3晶体全息存储性能的研究

生长并测试了Zr∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱、抗光折变损伤阈值及全息存储性能。研究发现,6%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体抗光折变损伤阈值比Fe∶LiNbO3晶体高1个数量级,红外光谱中OH-吸收峰也从Fe∶LiNbO3晶体的3 483 cm-1移到3 488 cm-1。其全息存储性能除衍射效率比Fe∶LiNbO3晶体轻微下降外,写入时间、擦除时间和光折变灵敏度皆优于Fe∶LiNbO3晶体,尤其是其中2%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体的动态范围比Fe∶LiNbO3晶体高2.5倍,用2%r(Zr)∶Fe∶LiNbO3晶体作为全息存储介质,实现了晶体中一个公共体积中1 000幅数字图像体全息图的存储与恢复。     

基于化学计量比Mg:Fe:LiNbO_3的全息存储系统

以K_2O为助熔剂,采用顶部籽晶熔融法成功地生长出近化学计量比Mg:Fe:LiNbO_3(Mg:Fe:SLN)晶体.测量了晶体的紫外吸收光谱及响应时间,且和同成分Fe:LiNbO_3(Fe:CLN)晶体作了比较.结果表明,Mg:Fe:SLN晶体更适于作为全息存储器来应用.针对全息存储中固有的高原生误码率问题,采用快速响应矩阵码(QR)编码技术对原始数据进行编码,缓解了对系统设计和部件质量等方面的压力.以Mg:Fe:SLN晶体作为存储介质,构建了体全息存储系统,将QR码编、译码技术用于包含音频和视频的多媒体数据的全息存储,重构数据能成功回放.     

材料制备工艺

9913221Zn:Fe:LiNbO_3晶体的生长及位相共轭效应的研究[刊]/徐衍岭//压电与声光.—1999,21(2).—127～130(L)在 LiNbO_3中掺进 ZnO 和 Fe_2O_3生长出 Zn:Fe:     

激光波长对镁钌铁铌酸锂的全息存储性能影响

在生长Fe∶LiNbO3熔体中掺进摩尔分数x(Ru2O3) =0.1％和x(MgO)=1％、3％、7％,用提拉法生长镁钌铁铌酸锂(Mg ∶ Ru∶Fe∶LiNbO3)晶体.通过二波耦合光路,分别以红光(632.8 nm)、绿光(532 nm)和蓝光(476 nm)为光源测量晶体的全息存储性能.实验结果表明,在476 nm下,Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体全息存储性能随着Mg离子掺杂浓度的增加而呈现逐渐增强的趋势,与其在红光和绿光下不同.研究了Mg离子掺杂浓度的增加使Mg∶Ru∶Fe∶LiNbO3晶体的蓝光全息存储性能增强的机理.     

用Fe:LiNbO_3的实时散斑错位干涉仪

报道一种实时散斑错位干涉仪的实验室装置。采用Fe:LiNbO_3晶体作散斑照相的记录介质。晶体掺Fe量为0.1％摩尔,对λ=488nm波长的透过率<5％。进行散斑照相的同时在Fe:LiNbO_3晶体上形成象全息图。用此装置可以实时地测量物体的形变以及进行实时无损检验。     

Mg:Fe:LiNbO_3晶体光学性能的研究

在LiNbO3中掺杂光折变敏感杂质离子Fe2+/Fe3+和抗光致散射杂质离子Mg2+,以提拉法生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体吸收光谱、红外光谱。Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移。当Mg2+浓度达到阈值浓度,Mg(6%)∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰由3482cm-1移到3529cm-1。测试晶体的位相共轭反射率和响应时间,计算光电导。Mg(6%)∶Fe∶LiNbO3晶体的响应速度和光电导比Fe∶LiNbO3晶体有较大提高。     

利用Fe:LiNbO_3晶体进行实时相关运算

本文介绍一种利用Fe:LiNbO_3晶体进行实时相关运算的方法。给出了与理论相一致的实验结果。     

光折变的光学脉动现象及其非线性过程

报道了光折变LiNbO_3:Fe晶体中双光束耦合和四波混频的脉动现象。认为这种脉动现象起因于LiNbO_3:Fe晶体中的陷阱重复荷电波在光折变材料中感应出的运动折射率光栅。     

Mg∶Fe∶LiNbO3晶体光学性能的研究

在LiNbO3中掺杂光折变敏感杂质离子Fe^2 ／Fe^3 和抗光致散射杂质离子Mg^2 ，以提拉法生长Mg∶Fe∶LiNbO3晶体。测试晶体吸收光谱、红外光谱,Mg∶Fe∶LiNbO3晶体的吸收边相对Fe∶LiNbO3晶体发生紫移。当Mg^2 浓度达到阈值浓度，Mg(6％)：Fe∶LiNbO3晶体OH^-吸收峰由3482cm^-1移到3529cm^-1，测试晶体的位相共轭反射率和响应时间，计算光电导。Mg(6％)：Fe∶LiNbO3晶体的响应速度和光电导比Fe∶LiNbO3晶体有较大提高。     

用Fe:LiNbO_3晶体进行实时双曝光干涉的研究

1.在激光全息无损检测中希望找到一种新的实时记录介质,可以重复使用且衍射效率与分辨率都不低于银盐干板.除了银盐干板外,光色材料、光导热塑料、明胶、电光晶体等都可以作记录介质.本文采用了Fe:LiNbO_3晶体作为实时记录材料进行双曝光的实时干涉.由于Fe:LiNbO_3晶体记录的是位相全息图,所以有很高的衍射效率.二次曝光后得到清晰的干涉条纹.     

LiNbO_3:Fe晶体中光感应四波混频光散射

本文报道用一束异常氩激光倾斜照射LiNbO_3:Fe晶体薄片时出现的两种新的光感应光散射现象,讨论了它们的产生机理。     

锁模序列脉冲泵浦光参量放大器

我们最近使用Nd~(3 ):YAG锁模激光及其二次谐波泵浦LiNbO_3参量放大晶体,通过角度调谐获得0.8～4微米范围的大部分波段的可调谐光输出。 实验采用Nd~(3 ):YAG被动锁模器件的1.06微米及倍频0.53微米波长的光脉冲序列作参量泵浦源,经聚焦作用到参量晶体上的光强可达10~9～10~(10)瓦/厘米~2。LiNbO_3晶体按角度调谐及Ⅰ类相位匹配,晶体按θ_(0r)=80°和θ_(0r)=45°切割,尺寸为20×10×     

通过位相畸变介质的全息实时成象

本文介绍了一个新的实验,采用Fe:LiNbO_3晶体为记录介质,不需两次通过位相畸变介质就能实时补偿透明物经过畸变介质后所产生的波前畸变。     

Cu:Fe:LN晶体光折变性能的研究

在Fe∶LN晶体中掺进不同质量分数(0.08%、0.12%、0.16%)的CuO以提拉法生长Cu∶Fe∶LN晶体,对晶体进行极化,还原或氧化处理后,对晶体的抗光致散射能力,衍射效率,写入时间和擦除时间进行了测试,计算光折变灵敏度和动态范围。结果表明,Cu∶Fe∶LN晶体全息存储性能优于Fe∶LN晶体。以Cu∶Fe∶LN晶体中Cu作为深能级,Fe作为浅能级,可实现双光子全息存储,且衍射效率不随时间发生变化。     

2.8～4.0μm单谐光参量振荡

本文报道单谐光参量振荡器的实验结果,实验装置如图1所示.泵浦光源用的是具有平行平面腔和白宝石小孔选模的电光调QNd~(3+):YAG激光器(λ=1.06μm).参量晶体选用Li、Nb比近似1:1的LiNbO_3.LiNbO_3的有效非线性系数为     

用H~ 离子注入退掉光波导

本文报导了用H~ 离子注入退掉在LiNbO_3晶体中波导层一个实验结果。     

激光无接触高电压测试

本文介绍用氦-氖激光器作为光源,电光晶体 LiNbO_3作普克尔盒,运用横向调制在150千伏的50赫电压下的实验,最大相对误差 n_(max)=7.7%,平均相对误差≤2.0%。     

Zr:Fe:LiNbO3晶体的关联存储性能

为了测试Zr:Fe:LiNbO3晶体的红外光谱、抗光折变阈值、位相共轭和全息关联存储性能,采用Czochralski方法生长Zr:Fe:LiNbO3晶体。通过实验得出Zr:Fe:LiNbO3晶体红外光谱对应的OH-吸收峰移到3488cm-1;随着Zr4+摩尔分数的增加,Zr(摩尔分数xZr=0.06):Fe:LiNbO3晶体抗光折变阈值比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级以上,且晶体的位相共轭响应速度增加,而位相共轭反射率有所下降,Zr(xZr=0.02):Fe:LiNbO3晶体响应速度比Fe:LiNbO3晶体提高一个数量级;另外,以Zr(xZr=0.04):Fe(质量分数wFe=0.0003):LiNbO3作为存储介质,Zr(xZr=0.06):Fe(wFe=0.0003):LiNbO3晶体作为位相共轭镜,进行全息关联存储实验,在输出平面上接收到较完整的存储图像。结果表明,Zr:Fe:LiNbO3晶体具有强的抗光折变能力与优良的关联存储性能。