飞兆半导体Field Stop Trench IGBT

飞兆半导体公司日前推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGAl5N120FTD，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用FieldStop（场截止）结构和抗雪崩的Trenchgate（沟道栅）技术，可在传导损耗和开关损耗之间提供最佳权衡，从而获得最高的效率。     

飞兆半导体推出1200V Field Stop Trench IGBT系列器件

1200V IGBT能够降低微波炉、电磁电饭煲和其它电磁炉的系统工作温度飞兆半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V Field Stop Trench IGBT系列器件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高     

在感应加热应用中提升效率和系统可靠性

使用感应加热技术可以实现节能并提高系统的可靠性。飞兆半导体公司(Fairchild)最近推出了全新1200V Field Stop Trench(场截止沟道)IGBT系列器件——FGA20N120FTD和FGA15N120FTD,为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效     

分立器件

FGA25N120ANTD：1200VNPT沟道IGBT 飞兆半导体公司推出1200VNPT沟道IGBTFGA25N120ANTD，结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热（1H）应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD为微波炉、1H电饭煲和其它1H炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低10℃，因而能够延长系统寿命。     

1200VNPT沟道IGBT

飞兆半导体公司推出1200V NPT沟道IGBT FGA25N120ANTD,结合了良好的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,能为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。FGA25N120ANTD以TO-3P无铅封装形…     

飞兆半导体的1200V NPT沟道IGBT抗雪崩能力佳

针对电磁加热应用提供抗雪崩能力FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道IGBT,结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡,为电磁加热(IH)应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计,与上一代器件相比,它的工作温度可降低达10℃,因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型(NPT)技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量,确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。在电磁加热设备中,…     

安森美半导体推出高性能场截止型IGBT，用于高能效电源转换

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体推出新系列的场截止型（Field Stop）绝缘门双极结晶体管（IGBT），目标应用为工业电机控制及消费类产品。NGTB15N120、NGBT20N120及NGBT25N120应用于高性能电源转换方案，适合多种要求严格的应用．包括电磁炉、电饭煲及其他厨房小家电应用。     

FGA15N120ANTD： NPT-Trench IGBT

飞兆半导体推出1200V／15A NPT-Trench IGBT FGA15N120ANTD，该器件能在电磁感应加热（1H）电器中耐受高达300mJ的雪崩能量，有助于设备在非正常的雪崩模式下实现“稳健“的故障安全操作。     

IR推出650V器件以扩充超高速沟道IGBT系列适合工业用电机、焊接、太阳能、感应加热和不间断电源应用

国际整流器公司（International Rectifier,简称I R）推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管（IGBT）系列。新产品旨在为多种快速开关应用作出优化,包括光伏逆变器、焊接设备、工业用电机、感应加热和不间断电源等应用。全新的I RGP47xx系列I GBT提供从15 A到90 A的电流范围,并采用沟道纤薄晶圆技术降低导通损耗和开关损耗,以提升系统效率。这些产品可作为分立式器件或与软恢复低Q rr二极管一起封装,能够为8k Hz到30 k Hz的超高速开关作出优化,从而提供高达6μs的短路额定值,以及有助于并联的V CE（ON）正温度系数。新器件具有较高的击穿电压,     

软特性650V IGBT：低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

近年来,功率半导体厂商致力于提高器件的开关速度,这带来了开关损耗降低和系统能效提升的益处。这些功率器件需要优化的直流电路寄生电感（Ls）。为了满足具有大电流的高功率应用的需求,推出了一种全新的芯片650V IGBT4,旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度,并且由于关断电流变化率di／dr...     

APT40GRl20B／S／B2D30：NPTlGBT

美高森美公司推出新一代1200V非穿通型（non。punchthrough,NPT）IGBT系列中的新产品。新的IGBT系列采用美高森美的PowerMOS8技术,总体开关和导通损耗显著降低。美高森美新的分立元件产品包括APT40GRl20B、APT40GRl20S和APT40GRl2082D30。这些器件可以单独提供,     

APT85GRl2082／120L／120J：IGBT

美高森美公司推出新一代1200V非穿通型（non-punchthrough，NPT）系列的三款IGBT新产品：APT85GRl2082、APT85GRl20L和APT85GR120J。该产品系列的所有器件均基于美高森美的PowerMOS8技术，总体开关和导通损耗显著降低，设计用于大功率的高性能开关模式产品，比如电焊机等。     

一种具有部分高介电常数介质调制效应的IGBT

提出了一种具有高介电常数介质填充沟槽的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。分析了高介电常数介质调制效应。结果表明,与普通场阻型IGBT相比,该器件的击穿电压提高了8%,通态压降减小了8%,关断损耗降低了11%;在相同通态压降下,该器件的关断损耗降低了35%。在栅极与原HK介质之间增加介电常数更高的介质,进一步提升了该IGBT的性能。与普通场阻型IGBT相比,在相同击穿电压与通态压降下,改进器件的关断损耗降低了57%。     

IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列产品

正2014年8月国际整流器公司(IR)推出高性能600 V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管(IGBT)IR66xx系列产品。坚固可靠的新系列器件可提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在优化焊接应用产品。器件采用新技术将导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。600 V     

恩智浦推出全球首款低于1Ω、采用Power SO8封装的MOSFET

恩智浦半导体（NXP Semiconductors）宣布推出全球首款N通道、1mΩ以下25VMOSFET产品,型号为PSMN1R2-25YL,它拥有最低的导通电阻RDSon以及一流的FOM参数。该产品是迄今为止采用Power-SO8封装（无损耗封装：LFPAK）中拥有最低导通电阻RDSon的MOSFET,也是恩智浦现有MOSFET系列的延伸。最新一代MOSFET器件集高性能Power—S08 LFPAK封装与最新Trench 6硅技术于一体．可在各种严苛应用条件下提供诸多性能及可靠性优势．     

新产品快讯

快捷推出新一代IGBT 快捷半导体公司最近推出新一代SMPS Ⅱ IGBT,以取代开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)及其它大功率产品中使用的500V/600V MOSFET。它们的栅极驱动电压力8至10V,与MOSFET类似,因而不必重新设计栅极驱动电路。新的SMPSⅡ IGBT可以代替大功率MOSFET或者取代几个并联的MOSFET。与MOSFET相比,SMPS Ⅱ IGBT技术的功率密度、系统效率及可靠性都得到改善,系统工作频率可以达到150kHz,而电流不会减小。导通损耗很低,在高温时尤为明显。栅极电荷降低80％。SMPS Ⅱ IGBT可以用于各种功率转换器,包括单开关正向转换器。将SMPS Ⅱ IGBT与Stealth二极管装在一起可以降低EMI、开关损耗及导通损耗,并     

用于工业的具有高频开关性能的1200V IGBT模块

带有平面门极和场止结构的新型IGBT器件已应用到最新研发的1200V模块上。与沟槽门极IGBT模块降低大约20%的功率损耗。     

1700 V精细沟槽栅IGBT器件设计

为了改善绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件关断损耗和导通压降之间的折中关系,同时降低器件制造成本,基于1 700 V电压平台设计了一种采用精细沟槽栅结构的IGBT。采用TCAD软件进行仿真,研究衬底电阻率、衬底厚度、沟槽栅深度、沟槽栅宽度、载流子存储层注入剂量、沟槽栅元胞结构等因素对精细沟槽栅IGBT器件性能参数的影响,确定了最优工艺参数,并对1 700 V精细沟槽栅IGBT芯片进行流片和封装。测试结果显示,相比普通沟槽栅IGBT模块,1 700 V精细沟槽栅IGBT模块在芯片面积减小34.2%的情况下,关断损耗降低了8.6%,导通压降仅升高5.5%,器件性价比得到了优化。     

宽禁带半导体碳化硅IGBT器件研究进展与前瞻

碳化硅（Si C）宽禁带半导体材料是目前电力电子领域发展最快的半导体材料之一。绝缘栅双极晶体管（IGBT）是全控型的复合器件,具有工作频率高、开关损耗低、电流密度大等优点,是高压大功率变换器中的关键器件之一。但Si C IGBT存在导通电阻高、关断损耗大等缺点。针对上述挑战,对国内外现有的新型Si C IGBT结构进行了总结。分析了现有的结构特点,结合新能源电力系统的发展趋势,对Si C IGBT的结构改进进行了归纳和展望。     

IGCT的应用特性

最近几年里，由于IGCT具有较低的导通和开关损耗，它们已经成为中等电压电平用的电力半导体器件。两种损耗之间的折衷可以通过各种寿命控制技术调整。对这些器件日益增长的需求要求标准类型的元件来满足如静态电路断路器（低通态）、中压驱动（低开关损耗）这样的应用。另外，牵引（低工作温度）和电流型逆变器（对称阻断）方面的应用通常对半导体元件有相矛盾的要求。本文重点介绍用少量晶片和门极单元，同一系列的电力器件将如何满足这样的需求。解释了IGCT和IGBT之间的一些重要差异并讨论了器件发展的前景。