2,6-二氨基吡啶对EDTA体系低温化学镀铜的影响

在以乙二胺四乙酸二钠(EDTA)为络合剂、镀液温度33℃的化学镀铜体系中,研究1. 0 mg/L 2,6-二氨基吡啶对化学镀铜过程的沉积速率、镀层表面形貌以及镀层结构的影响。结果表明,2,6-二氨基吡啶在低温EDTA镀铜体系中是一种良好的加速剂,少量2,6-二氨基吡啶的添加能够将镀膜的沉积速率由3. 52μm/L提高到7. 56μm/L。线性扫描伏安法研究表明,2,6-二氨基吡啶通过促进甲醛氧化进而提高其还原铜离子的速率,最终加速化学镀的过程。SEM观察表明,2,6-二氨基吡啶的添加使得镀膜晶粒变得更加细小。XRD衍射分析证明,2,6-二氨基吡啶的添加能够改善镀膜晶体结构和镀膜性能,提高镀层质量。     

N,N−二甲基−二硫代甲酰胺丙磺酸钠对THPED体系化学镀铜的影响

研究了N,N?二甲基?二硫代甲酰胺丙磺酸钠(DPS)作为添加剂对以四羟丙基乙二胺(THPED)为单一配位剂的化学镀铜体系的沉积速率、镀层形貌和晶体结构的影响。结果发现,当DPS的质量浓度从0 mg/L增大到1.0 mg/L时,沉积速率从2.91μm/h提高到6.73μm/h,所得镀层结晶均匀、细致。线性扫描伏安测量结果表明,DPS是通过促进甲醛的阳极氧化来加速化学镀过程。本体系的Cu镀层主要呈面心立方多晶取向,DPS的添加会令晶面取向从(220)转变为(111)。     

具有良好耐折性的高速化学镀铜研究

本文通过在以三乙醇胺(TEA)和乙二胺四乙酸二钠(EDTA?2Na)为络合剂的双络合化学镀铜体系中加入硫酸银,并在聚酰亚胺和铜片基体上制备了化学镀铜镀层。采用等离子发射光谱、扫描电子显微镜及X-射线应力仪对镀层进行表征。结果表明,镀液中添加硫酸银可减小镀层的内应力,增加镀层的韧性。采用该化学镀铜体系,镀铜速率可达28μm/h。硫酸银添加量为20mg/L时,镀铜层的耐折性最好,镀层应力最小,综合性能最佳。     

络合剂对化学镀镍-磷合金的影响

对确定的化学镀Ni-P合金工艺实验路线,筛选5种不同络合剂的单因素实验获得了厚度大致相同的镀层,并考察各络合剂对Ni-P合金化学镀的影响。结果表明,对沉积速率的影响丁二酸乳酸氨基乙酸柠檬酸EDTA;对耐蚀性的影响柠檬酸氨基乙酸丁二酸EDTA乳酸。并通过正交试验得出络合剂的最佳复配组合,10 m L/L乳酸、8 g/L丁二酸和12 g/L柠檬酸,沉积速率为14.5μm/h,耐盐雾达到24.5 h。     

配位剂对Al_2O_3陶瓷表面化学镀铜的影响

研究了EDTA,NaKC4H4O6以及两者复配后,对Al2O3陶瓷表面化学镀铜沉积速率、微观形貌、表面粗糙度和镀液稳定性的影响。结果表明:EDTA为配位剂时,化学镀铜镀速为3.86μm/h,镀层表面粗糙度为0.39μm,镀层铜微粒形成团聚,均匀性较差;NaKC4H4O6为配位剂时,镀速为4.55μm/h,表面粗糙度为0.46μm,镀层表面有直径达2~5μm的杂质微粒;EDTA和NaKC4H4O6复配使用时,镀速为4.17μm/h,表面粗糙度为0.35μm,铜镀层微观组织致密,铜微粒大小分布均匀,排列紧密,表面平滑、洁净。     

激光直接成型化学镀铜加速剂优选及性能研究

研究了在激光直接成型过程所用到的化学镀铜溶液中,加速剂种类和浓度对沉积速率和镀层表面质量的影响。选用甲醛为还原剂,乙二胺四乙酸及乙二胺四丙酸为络合剂的化学镀铜镀液,采用称量法、电化学测试方法及扫描电子显微镜对沉积速率和镀层微观形貌进行表征。结果表明,单独添加三乙胺、苯亚磺酸钠、聚二硫二丙烷磺酸钠或2-巯基苯并噻唑都可以起到加速沉铜速率的作用,而且三乙胺与苯亚磺酸钠可以组成复合添加剂使用,加速原因主要是促进了化学镀铜过程中的甲醛氧化反应的控制步骤氧化不析氢的反应速率,从而使总反应的速率有所提高。     

L-精氨酸在印制线路板化学镀铜中的行为研究

以次磷酸钠为还原剂的印制线路板化学镀铜为研究对象,采用扫描电镜、交流阻抗和线性极化等测试方法,研究了添加剂L-精氨酸在化学镀铜中的作用和其电化学行为。研究表明,适量的L-精氨酸能明显提高化学镀铜沉积速率,并改善镀层的质量,其最佳质量浓度为0.15mg/L,沉积速率最高可达5.2μm/h,施镀15min后获得的镀层均匀平整。随着L-精氨酸质量浓度的增加,铜阴极还原和次磷酸钠阳极氧化峰电流密度均先增大后减小,阳极氧化峰电位正移,在质量浓度较低(0.15mg/L)下,对次磷酸钠氧化和Cu~(2+)阴极还原有促进作用。     

硫脲对聚甲基丙烯酸甲酯基材化学镀铜的影响

以硫脲为添加剂、硫酸铜为主盐、次磷酸钠为还原剂,在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)基材表面进行化学镀铜。研究了添加不同质量浓度(0.10、0.25、0.50、0.75和1.00 mg/L)的硫脲对铜沉积速率、镀层导电性和结合力以及化学镀铜中氧化还原反应的影响,并通过扫描电镜(SEM)、能谱分析(EDS)和X射线衍射(XRD)等方法分别对镀层微观形貌、组成成分、晶体结构进行了表征。结果表明,硫脲的加入主要影响铜(111)晶面的生长,能有效提高镀层与基体之间的结合力,但对镀层成分无太大影响。随着硫脲加入量的增大,铜沉积速率和镀层导电性先减后增,而镀铜速率主要由阴极还原过程控制。适宜的硫脲添加量为0.50~0.75 mg/L,此时铜沉积速率相对较低,所得镀层晶粒尺寸较小,表面电阻为40~50 mΩ/cm2,镀层结合力1~2级。     

用银油墨打印及化学镀铜法制备印制电路板电路图形

先在普通打印机上把线路图用纳米银导电油墨打印在聚酰亚胺基板上,再通过化学镀铜制得印制电路板。研究了化学镀铜时间对沉积速率的影响,以及银导电油墨的固化温度对铜镀层耐磨性、附着力、厚度、电阻率等性能的影响。施镀时间为40min时,化学镀铜的沉积速率最大(为13.58μm/h)。银导电油墨的适宜固化温度为300℃,对应的铜镀层电阻率最小(为1.889×107/m),耐磨性和附着力最佳。     

双还原剂SHP和DMAB对ABS表面化学镀铜的影响

为进一步改善以次磷酸盐作为还原剂的化学镀铜溶液的沉积速率，采用次磷酸钠(SHP)和二甲胺基甲硼烷(DMAB)构成双还原剂用于化学镀铜溶液中，研究了两种还原剂复合添加浓度对聚丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(ABS)表面化学镀铜的影响。利用网格设计法，探讨化学镀铜溶液中两种还原剂复合的适宜浓度配比，通过恒温加热测试，研究两种还原剂的复合添加浓度对化学镀铜溶液稳定性的影响，并采用场发射扫描电子显微镜和X射线能谱分析仪对化学镀铜层的微观形貌和组成进行表征。研究结果表明，在DMAB和SHP的添加浓度分别为0.50 g·L^-1和90 g·L^-1时，DMAB和SHP具有良好的协同作用，此时化学镀铜溶液的稳定性好，化学镀铜的沉积速率最大，为3.14μm·h^-1。化学镀铜层表面铜晶粒排列致密，表面平整，且镀层中铜含量达到97.4%,ABS表面与化学镀铜层之间的粘结强度最高，达到0.95 kN·m^-1。