DSW6000B型缩小投影光刻机

<正> 半导体器件的真正高集成化始于刚称得上超LSI的64KDRAM,让我们沿着记忆的层次,回顾一下其发展过程吧!MOS存储器正从64KDRAM向256KDRAM乃至1MDRAM方向迅速靠拢。伴随着器件日益高集成化,光刻技术也取得了很大的发展。其中,分步投影光     

适应下一代器件用的强流离子注入机“IP—2500”

一般都认为现在批量生产的4M DRAM是主要推动技术发展的存储器,它加快了16MDRAM,64MDRAM半微米之后的器件开发,随着器件的高集成化的发展,对强流离子注入机的依赖性越发高,而且还必须适应严格的工艺要求,特别是随着器件的微细化,浅结技术已是离子注入工艺的关键工艺,为此,开发了BF_2~+低能注入和Si~+、Ge~+的预非晶技术等,另外,对MOS工艺中α射线控制、双极型工艺中隐埋层集电极形成等高能中的工艺要求也不少,而且,在器件批量生产时为了实现高成品率,对装置的净化要求也很强烈,正在由以前控制圆片异物的时代向控制束纯度、真空质量的时代转变,即由“量”到“质”的转变。     

国外光刻设备市场概况及发展趋势

本文主要从市场角度述评了近两年国外光刻设备的最新发展动态。具有0.6微米线宽加工能力的g线步进机和0.5微米线宽加工能力的i线步进机在今后的16MDRAM的批量生产中将担当主要角色。在即将来临的64kDRAM大生产时代,准分子激光源的片子步进机、远紫外源的扫描步进机将于小型专用贮存环辐射源的X射线步进机平分秋色,并驾齐驱进入256MDRAM时代。     

充满活力的光学微细加工技术

本文简要评述了近年来国外光学微细加工技术的最新进展。常规光学曝光己可满足16MDRAM生产的要求;准分子激光曝光有能力实现64M甚至256MDRAM生产;宽带步进扫描曝光机和激光图形制作系统也在集成电路制造中显示了强大实力。九十年代仍将是光学微细加工技术继续占居主导地位的时代。     

DRAM削减将是渐进过程

南韩芯片生产计划显示出削减16M DRAM生产计划的谣传将会逐渐变成实事。 以三星电子公司和LG半导体电子公司为代表逐步证实了最初削减16MDRAM的传言,他们表示这种削减将会随着其它器件的销售的增长而分阶段进行。     

超紫外线光刻技术发展缓慢Intel目光转向反向光刻技术

由于超紫外线光刻技术（extreme ultraviolet，EUV）的发展迟缓，Intel透露正在开发一种可能将光学扫描仪扩展到22nm制造节点的可制造性设计。 Intel正在开发的这种计算光刻（computational lithography）是一种反向光刻技术。反向光刻、EUV和二次图形曝光技术是Intel正在为22nm制造节点进行评估的光刻技术。     

美科学家推出软干涉光刻技术

美国科学家在纳米制作技术领域获得重大进展，通过将干涉光刻和软光刻技术结合在一起，推出称为软干涉光刻技术（SIL）的新型制造技术，可以用来扩展纳米生产工艺以大批量制造等离子体超材料和器件。与现有的技术相比，软干涉光刻技术具有许多明显的优势。作为一种大规模制作纳米材料的创新和廉价方法，利用它制成的新颖的先进材料，为开发和应用特殊与突发光学特性铺平了道路。     

适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术

据《电子材料》1995年第4期报道，目前，三菱电机公司业已开发出了一种适用于千兆位级DRAM的低电压、高速DRAM电路技术。以该电路技术为基础，采用0．4PmCMOS工艺试制了1．2V工作的16MDRAM，在电源电压为1．2V的低电压下实现了存取时间（tRAC）为49ns的高速工作。本开发课题的主要内容如下：（1）即使是在低电压下，也可实现高速读出工作（可能的Charge－TransferredWellSe－nsing方法），在电源电压Vcc＝1．2V下，实现5ns（19）的高速化是可能的（估计了16MDRAM的模拟值）在本读出方法中，在读出开始的同时，由于可以作到使…     

磁控溅射设备国外发展趋势及关键技术

<正> 微电子技术在现代化科技中占有极为重要的地位,而微电子技术的核心在于集成电路。集成电路是世界上公认的现代电子信息设备和系统的核心器件。当今大规模、超大规模集成电路已迅速发展,器件功能也日益复杂,芯片直径不断增大,先进国家正向0.2μm、256MDRAM的方向发展。由于集成度的不断提高,图形线宽之不断缩小,工艺的复杂化,对工艺设备提出更新更高的要求。磁控溅射技术是VLSI电路制作的重要技术。     

索尼开发0．18μm工艺的光刻技术

索尼开发０．１８μｍ工艺的光刻技术索尼公司已开发出用于０．１８μｍ工艺的光刻技术。近几年来数字化及多功能设备对大规模、高密度器件及专用集成电路（ＡＳＩＣ）单个芯片的需求大大增加，这就使得光刻技术转向短波长曝光光源，光源也由ｉ线转向准分子激光，同时倾斜...     

基于表面等离子体的微纳光刻技术

首先介绍了光刻技术的发展及其面临的挑战。随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础,而纳米光刻技术是纳米结构制作的基础,基于表面等离子体的纳米光刻作为一种新兴技术有望突破45nm节点从而极大提高光刻的分辨力。介绍了表面等离子体的特性,对表面等离子体(SPs)在光刻中的应用作了回顾和分析,指出在现有的利用表面等离子体进行纳米光刻的实验装置中,或采用单层膜的超透镜(Superlens),或采用多层膜的Super-lens,但都面临着如何克服近场光刻这一难题;结合作者现有课题分析了表面等离子体光刻的发展方向,认为结合多层膜的远场纳米光刻方法是表面等离子体光刻的发展方向。     

0.4～0.25μm时代的腐蚀技术

<正> 1 前言1994年开始大批量生产16MDRAM,作为研究开发阶段也是从以64MDRAM 为代表的0.4μm 器件过渡到以256MDRAM 为代表的0.25μm 器件。对于64M 方面的设备投资究竟是多少,各器件公司要先进行核算,结果是设备投资增加了许多。如果说以往是重视性能方面而选择机种,那么,今后的趋势则转为重视成本。另外,如图1所示,尽量控制批量生产初期的投资额,使处理能力和投资金额呈线性关系,希望能获得具有多种处理能力的装置。作为机种选择指标之一的是 COO(Cost of Ownership)。其中,除了装置的成本之外,还包括消耗品和动力费等运转成本、维修人员的人事费用,这都要作为处理每枚硅片所需要的成本。     

MEMS加工技术及其工艺设备

微电子机械和纳米技术的研究覆盖了亚微米到纳米尺寸的特征范围,它主要依靠光刻和图形转换设备和工艺获得,但又不仅限于半导体加工范畴。光学光刻设备、感应耦合等离子体刻蚀,金属的溅射涂覆,金属的等离子体增强CVD、介质隔离、掺杂注入、粒子柬微写设备和X射线源可以看作MEMS和纳米技术的机械加工手段,其各有独具的优势限制。现正被用于定制的MEMS器件到真空微电子器件和新颖的纳米工具的研究与开发应用。抗蚀剂喷涂技术为复杂形貌的MEMS器件光刻提供了高均匀性作图的厚胶基础。对于MEMS技术进入产业化的主要技术瓶颈-MEMS封装技术研究与开发已成为当今世界各国关注的热点。同时,对于MEMS器件的测试技术的研究,目前在国际上也引起了高度的重视。     

157nm光刻技术的进展

概述了作为下一代光刻技术之一的157nmF2准分子激光光刻技术的进展及各公司157nm曝光设备的开发现状。介绍了157nm光刻中各种制约因素,如CaF2材料的双折射现象、真空环境的排气及污染控制、保护薄膜的选择、折反射光学系统的选择与设计及新型抗蚀剂的开发等问题随着时间的推进已基本得到解决。最后讨论了157nm光刻技术在45nm及以下节点器件图形曝光引入的可能性和采用浸液式157nm光刻进入32nm技术节点器件图形曝光的潜力。     

用于纳米器件的电子束与光学混合光刻技术

成功开发出了一种可用于纳米结构及器件制作的电子束与光学光刻的混合光刻工艺。通过两步光刻工艺,在栅结构层上采用大小图形数据分离的方法,使用光学光刻形成大尺寸栅引出电极结构,利用电子束直写形成纳米尺寸栅结构,并通过图形转移工艺解决两次光刻定义的栅结构的叠加问题。此混合光刻工艺技术可以解决纳米电子束直写光刻技术效率较低的问题,同时避免了电子束进行大面积、高密度图形曝光时产生严重邻近效应影响的问题。这项工艺技术已经应用于先进MOS器件的研发,并且成功制备出具有良好电学特性、最小栅长为26 nm的器件。     

混合光刻掺杂技术

ＵｌｔｒａｔｃｈＳｔｅｐｐｅｒ等三家公司共同开发出了采用激光掺杂形成浅结和 0 1 8μｍ工艺退火相结合的混合光刻技术。在该技术中 ,不需要抗蚀剂而采用了分步·重复掺杂方法 ,并采用了激光局部照射掺杂技术。在混合光刻中 ,由于是场 -场连续照射 ,所以 ,器件继续缩小 ,而成本也降下来了。该技术通过采用下面两个实例得到了证实 :( 1 )采用气体的激光掺杂法形成浅结。( 2 )采用气体的激光退火形成自对准二氧化硅。采用光刻和掺杂同时进行方式。由于激光掺杂法不需要抗蚀剂 ,近而可作到波长30 8ｎｍ的ＸｅＣｌ准分子激光选择照射形成的…     

半导体工业的异物检测技术

半导体集成电路的图样越来越微细化。目前为了16MDRAM已开发了0.5μmLSI,而且还开始了准备用于64MDRAM的0.3μm以下的LSI的研究。在生成这样微细的图样时,附     

电子束光刻中邻近效应的Monte Carlo模拟

电子束光刻不受衍射效应的限制，具有高分辨率和能产生特征尺寸在100nm以下图形的优点。目前，国际上正在将角度限制散射的投影电子束光刻技术作为21世纪100纳米以下器件大规模生产的主流光刻技术进行重点开发。     

传统光学光刻的极限及下一代光刻技术

分析了传统光学投影光刻分辨力的物理极限,介绍了国内外各大器件和设备厂商、科研单位等为了突破这个物理极限而做出的努力;从原理、发展状况及优缺点等几个方面对比分析了下一代光刻技术,最后对未来几十年的主流光刻技术作出了展望。极紫外光刻、浸没式光刻和纳米压印光刻将作为主流技术应用到超大规模集成电路的批量生产中,电子束光刻可以在要求极高分辨力时和这几个主流技术配合使用。其他下一代光刻技术由于工艺不成熟、不能批量生产等原因,在近期还不具备占领光刻设备市场主流的能力。     

FPA—2000i1型i线步进机

<正> FPA—2000il型i线步进机是日本佳能公司生产的用于16MDRAM批量生产的机型。该装置配备了数值孔径为0.52、曝光面积为加20mm见方的i谱线透镜。16MDRAM的设计规范约为0.5μm。FPA一2000il型机具有0.5μm的分辨率,是满足0.5μm工艺时代的大数值孔径i线步进机。