Si/4H-SiC异质结光电晶体管

为了实现将SiC基光电探测器探测光信号的波长范围转至可见光至近红外波长范围内,使其能够用于光通信领域,或是作为光电转换器件使用在大功率光控器件中。本文设计了Si/4H-SiC异质结光电晶体管,通过silvaco软件模拟讨论了异质结光电晶体管的结构以及进行了特性分析。实现了将SiC基光电探测器的探测波长范围转置可见光范围内。     

Si/4H-SiC异质结光电晶体管

为了实现将SiC基光电探测器探测光信号的波长范围转至可见光至近红外波长范围内,使其能够用于光通信领域,或是作为光电转换器件使用在大功率光控器件中。本文设计了Si/4H-SiC异质结光电晶体管,通过silvaco软件模拟讨论了异质结光电晶体管的结构以及进行了特性分析。实现了将SiC基光电探测器的探测波长范围转置可见光范围内。     

关于降低功率晶体管正向压降V_F和提高芯片粘附强度的研究

主要阐述了功率晶体管背面多层金属化电极结构,通过降低硅-金属界面态电阻,采用热处理合金手段,进一步降低功率晶体管正向压降VF和热阻Rth,增加芯片粘附强度,提高晶体管的可靠性指标。     

有望用于制造下一代高性能移动电话的晶体管

美国IBM公司近日宣布,他们首次成功利用“绝缘体上硅”技术设计出硅锗双极晶体管,其速度达到现有硅锗双极晶体管的4倍,能耗比后者降低80％,有望用于制造下一代高性能移动电话等设备。 “绝缘体上硅”是近年发展起来的一种新技术,它通过在晶体管的硅薄层和硅衬底之间使用超薄绝缘氧化层,能够减少电流干扰、降低能耗,显著提高晶体管性能。目前,该技术主要用来制造高性能的互补金属     

量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管

据报道,美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示,他们借用量子隧穿效应,研制出了性能可与目前晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管（TFET）。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题,在一块芯片上集成更多晶体管,从而提高电子设备的计算能力。晶体管是电子设备的基本组成元件,在过去40年间,科学家们主要通过将更多晶体管集成到一块芯片上来提高电子设备的计算能力,但目前这条道路似乎已快走到尽头。     

中小功率晶体管芯片背面金属化的研制

在电子产品的生产过程中,中小功率的晶体管生产是一个非常重要的生产环节。芯片作为晶体管的核心组成部分,其能否在晶体管中正常使用是衡量晶体管生产质量的主要指标。这些晶体管芯片一般是以批量生产的方式单独生产,然后再通过集电极使其与晶体管安装在一起,最终制成晶体管成品。但问题是在制备集电极时,金属和半导体之间并不能直接实现较好的接触,出现了整流效应。为了能够更好的实现两者之间的接触,我们决定采用在芯片背面进行金属化的处理方法,来实现半导体与金属的良好接触。现本文就主要研究探讨了中小功率晶体管芯片背面金属化的研制。     

有机场效应晶体管的研究再获新进展

近年来,作为有机光电器件重要组成部分,有机场效应晶体管受到了学术界和工业界的关注。目前高性能有机场效应晶体管的性能已基本达到了实用化的要求。化学所有机固体院重点文验审研究人员发展了利用铜和银修饰方法来代替金作为有机场效应晶体管的源漏电极,制备了高性能的器件,之后他们利用低功函数的铜为源漏电极制备了高性能的上电极结构的有机场效应晶体管,     

新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究

随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。     

美研制出只有分子大小的有机晶体管

美国朗讯公司贝尔实验室的科学家最近研制成功沟道长度只有一个分子大小的有机晶体管，为发展新一代廉价而易装配的、基于碳的化合物的分子电子原件做好了准备。科学家们一直在寻找普通硅晶体管的替代品，因为他们预计大约１０年后硅集成电路将因为本身的物理局限而无法进一步缩小。对多学科进行研究的贝尔实验室研究小组用体积只有一颗沙粒的一百万分之一的有机晶体管制成了电压倒相器———一种把“０”和“１”相互转化的电子电路。电压倒相器是所有计算机芯片的标准构件。研究人员几十年来一直在努力制造分子大小的晶体管，使得单个分子…     

传真海外

<正>碳纳米管晶体管迈出商用关键一步美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得突破。由他们开发的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题,在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍、比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩,这意味着碳纳米管晶体管向正式商用     

SiC表面的氢等离子体处理技术

我们采用ECR-PEMOCVD等离子体系统在200℃下对SiC表面进行了氢处理。处理前后我们对SiC表面做了RHEED和XPS分析。通过分析我们发现经过氢等离子体处理的SiC表面比传统湿法的SiC表面平整度更高,C/C-H的含量显著下降,抗氧化能力显著提高提高。     

电荷注入多重电极底栅有机场效应晶体管对接触和沟道电阻的影响

制备多重电极为WO3/Al/WO3、有机层为并五苯、绝缘层为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的底栅有机场效应晶体管,与只有Al为电极的底栅有机场效应晶体管相比迁移率从0.0018cm2 V-1s-1增加到0.364cm2 V-11s-1,阈值电压从21V降到10V。主要原因是多重电极对底栅有机场效应晶体管的接触电阻和沟道电阻有了明显的改善。     

补偿中子测井曲线的层厚影响校正方法研究

胜利乔庄油田梁75块研究区的薄层比较发育,且碳酸岩含量较大,测井响应受围岩影响严重,常规测并不能有效反映薄层储层的真实测井响应特征,导致对薄层储层的评价极为困难÷本文首先根据岩心实验,并结合研究区的地质特征,来探索薄层的测井响应机理。在有效计算碳酸岩含量的基础上,利用特定的公式来求取储层的混合骨架值,并提出了一种对补偿中子测并进行碳酸岩含量‘之正和层厚校正的方法,建立了层厚校正模型,并通过层厚校正前后的孔隙度与岩心分析孔隙度进行对比,结果表明在研究区实际应硐效果有明显改善,证明了所建立校正方法和模型的有效性和实用性。     

蜜蜂交流靠“打电话”

蜜蜂惯于群体生活,彼此之间靠什么交流?一项最新研究显示,除了人们熟知的"8字舞"外,蜜蜂还可以利用电场传递信息,形成独特的"打电话"机制。德国柏林自由大学等机构研究人员指出,蜜蜂在活动时,翅膀等部位由于和空气摩擦会带上电荷,这与人们日常生活中穿脱毛衣时摩擦起静电现象类似。蜜蜂体表有一层蜡质起到绝缘层的作用,使这些累积的电荷不易消失,于是蜜蜂的身体上就形成了一个电场。     

基于C_(60)有机场效应晶体管栅电压与迁移率的研究

制备了基于C_(60)为有源层的有机场效应晶体管,绘制了栅电压与迁移率的结构示意图,分析了栅电压与迁移率的关系。     

自制的降压型晶体管开关电源

使用常用的与非门电路和双极性晶体管来制作开关电源.用14011B构成PWM方波电路,通过控制双极性晶体管的开断,把高的电信号转换成开关信号,通过近似无损耗的滤波,得到降低了的电源.利用负反馈,提高了输出电压的精度,抑制了电源纹波.     

AlN间隔层厚度对AlGaN/GaN HEMT器件电学特性的仿真研究

二维电子气(2DEG)特性决定了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)性能。为了提高器件的2DEG密度、迁移率和漏电流,本文采用AlGaN和GaN之间引入一层薄的Al N间隔层的方法。使用Silvaco仿真工具模拟了不同AlN间隔层厚度对载流子浓度、迁移率和量子阱深度的影响。器件仿真结果表明:在HEMT器件中插入薄AlN间隔层可以增加载流子浓度和迁移率,并加大了导带不连续性。另外,器件的电子迁移率在AlN厚度为0.2nm时取得最大值,而载流子浓度和漏电流随AlN层厚度增加而持续上升。     

基于混叠谱跨层补偿的语义网检错码深度加密

通过对语义网中的检错码加密设计提高网络用户的文本隐私保护能力。传统方法采用多元线性回归分析的检错码加密算法,由于检错码自身的数据扰乱导致加密性能不好。提出一种基于混叠谱跨层补偿的语义网检错码深度加密算法,对特征数据进行预处理,形成符合特征关联的输入数据形式,进行混叠谱跨层补偿。对不同特征的数据进行混叠谱跨层补偿挖掘处理,形成特征判决规则库,基于CSBDLP公钥加密协议进行多元线性回归隐私保护,得到语义网检错码加密协议密文矩阵,实现了基于混叠谱跨层补偿的语义网检错码深度加密算法改进,提高了检错码加密的深度和数据容量。仿真结果表明,该算法具有较好的语义网检错码加密性能,加密深度较高,深度越深,解密所需要花费的时间越长,从而保证了算法的加密优越性能,研究成果将在语义网构建和数据加密及隐私保护中具有重要的应用价值。     

铜基复合材料的切削加工研究

应用切削加工车床、工具显微镜、光切法显微镜等设备研究了SiC颗粒增强Cu基复合材料的车削加工性能。结果表明,复合材料中SiC颗粒尺寸越大,硬质合金和高速钢车刀后刀面的磨损速率越快;复合材料中SiC含量越多,刀具后刀面的磨损量越大;复合材料SiC颗粒尺寸越大、SiC含量越多,复合材料切削加工表面粗糙度越大;在相同的切削条件下加工复合材料时,硬质合金比高速钢刀具有更好的耐磨损性能。     

加油站雷击静电检测系统的设计与实现

加油站对雷击静电要求较高,弱静电信号在混合干扰性气体的环境中,静电离子的离散浓度和移动速度都发生明显的变化。一旦静电电荷被干扰气体干扰,发生电荷离散浓度变化,当前的检测系统的检测准确性将明显下降。为此提出一种加油站雷击静电检测系统的设计方法。采用气敏传感设备组成离散浓度采集模块,采用温度补偿的方式弥补误差,运用信号分类的软件算法,对干扰信号进行有效的去除,建立雷击风险预测模型,增强系统的检测准确性,克服传统方法的弊端。实践证明,该方法能够大幅减少加油站混合气体对静电荷分布的干扰,保证系统检测的准确性,取得了令人满意的结果。