Si/4H-SiC异质结光电晶体管

为了实现将SiC基光电探测器探测光信号的波长范围转至可见光至近红外波长范围内,使其能够用于光通信领域,或是作为光电转换器件使用在大功率光控器件中。本文设计了Si/4H-SiC异质结光电晶体管,通过silvaco软件模拟讨论了异质结光电晶体管的结构以及进行了特性分析。实现了将SiC基光电探测器的探测波长范围转置可见光范围内。     

具有电荷补偿层的SiCGe/SiC光控晶体管的特性模拟

本文提出了一种具有电荷补偿层的SiCGe/SiC的光控晶体管,主要利用SiCGe与SiC构成异质结来克服SiC材料对大部分可见光和全部红外光的不敏感性。结构上,在传统的npn晶体管底部加了一层P型电荷补偿层,在横向和纵向电场的相互作用下,来改善器件的性能。     

硅基氧化锌单晶材料及光电子器件研发获重要进展

物理所／北京凝聚态物理国家实验室杜小龙研究组,与微加工实验室的顾长志研究组合作,设计并制备了一种新型n-ZnO／i—MgO／p—Si双异质结p—i-n可见肓紫外探测器原理型器件。该器件具有良好的pn结整流特性,在±2V时的整流比达到10^4以上。研究发现ZnO／Si中间插入的MgO势垒层有效地抑制了硅对可见光的响应,器件只对高于ZnO带隙（380nm）的紫外光响应,因而具有可见肓紫外光探测功能。与市售的硅紫外光电探测器相比,该器件充分利用了宽带隙ZnO卓越的光电性能,紫外光响应强。并可直接在可见光背景下工作,不需要滤光系统来屏蔽可见光的响应,因而具有结构简单、性能优越等优点。     

硅基光电异质集成的发展与思考

光电子器件与传统微电子硅基互补金属氧化物半导体（CMOS）芯片的集成是未来信息技术的重要发展方向。现有硅基光电子集成技术得益于CMOS技术高集成度、低成本的优势,但主要采用硅材料制成,受限于硅材料本身的光电性质。硅基光电异质集成技术在利用CMOS晶圆制造优势的同时可兼容更多性能优异的光电异质材料,是未来光电集成技术的主要发展方向。文章介绍了该方向世界范围内的飞速发展形势及我国在该领域的研究基础,探讨了该领域未来的发展趋势和蕴藏的重要创新机遇。     

酞菁氧钛／偶氮共混复合双层有机光电导体的研究

本文以ａ－萘苯腙为传输材料,以酞菁氧钛和偶氮化合物共混得合作为光生载流子材料,制备双层有机光电导体,着重讨论了共混复合物的组成与光电导性能的关系,紫外吸收光谱表明光电导体光谱吸收范围拓宽到整个可见光和近红外区,通过Ｘ－ｒａｙ衍射和ＥＳＲ对其机理进行了初步的探讨。     

InGaAs／InP雪崩二极管的温度一电压特性

用InGaAs／InP雪崩二极管进行单光子探测,其工作温度和偏置电压是影响InGaAs／InP单光子探测器探测性能的重要因素。介绍了基于ADN8851控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法;并分析了几组不同温度下光电流、暗电流一电压特性曲线,得出一些结论。     

荧光检测中光电倍增管的增益电压控制

光电倍增管是一种能将微弱电信号转换为可测电信号的光电器件，具有极高的检测灵敏度。正因如此，其光强响应范围受到一定限制。为此，光电倍增管一般通过调整其控制电压，改变光电倍增管的增益，使其能在更宽的光强范围内检测。本文研究了光电倍增管控制电压与输出增益的关系，并将这一技术应用于荧光检测中，实验结果显示，输出增益随控制电压改变而改变，且两者有较好的相关性，相关性达到0.992，结果表明根据光强自动调整倍增管控制电压，可以有效提高荧光检测中的测试范围。     

SiC纳米材料的制备及器件应用研究现状

SiC具有良好的物理性能和稳定的化学性能。本文从SiC微纳米材料的制备和器件应用展开综合论述,SiC微纳米材料被广泛应用在光电催化、光电探测器、场发射显示器等领域,是目前研究的必不可少的材料。     

MSM光电探测器

1 引言平面型的金属-半导体-金属(MSM)结构器件最早由美国的S.M.Sze等人于1971年首先提出概念,并研制成硅上的MSM结构器件。测试结果表明其特性不同于单个肖特基结器件。1985年,德国亚琛工业大学半导体电子学研究所的W.Roth等人率先将其应用于光电探测器(PD),研制成第一个GaAs MSM-PD。     

多孔硅及硅基发光材料

硅是微电子技术的材料基础。为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。多孔硅是硅基发光材料的一个重大突破,并实现了多孔硅发光二极管与集成电路的集成。同时,硅基发光材料研究的纵深发展,出现了发光强、稳定性好的硅基多孔SiC蓝光发射材料和发光波长范围宽的纳米半导体镶嵌SiO_2发光材料。硅基镶嵌纳米发光材料是一个富有活力,有应用前景的研究领域。     

InGaAs/InP雪崩二极管的温度-电压特性

用InGaAs/InP雪崩二板管进行单光子探测,其工作温度和偏置电压是影响InGaAs/InP单光予探测器探测性能的重要因素.介绍了基于ADN8831控制器控制半导体热电制冷器来实现红外单光子探测器的精密温度控制的方法;并分析了几组不同温度下光电流、暗电流-电压特性曲线,得出一些结论.     

光电感烟火灾探测器电路研究

本文研究了光电感烟火灾探测器的电路，设计出了静态功耗小，抗干扰能力强的探测器电路，适合于将来大规模专用集成电路。     

高性能碳纳米管光电器件和光电集成

当前,由于大多数光电器件的工艺与硅基电路不相匹配,致使其制备需要巨大的成本,且制备过程异常繁琐。本文就以碳纳米管制备材料为切入点,探讨高性能碳纳米管光电器件和光电集成的优化。     

成步文：放眼未来 不懈探索

专家档案：成步文,研究员,博士生导师,中国科学院半导体研究所光电子研发中心副主任。目前主要从事Si基半导体异质结构材料的外延生长及相关光电子器件和光电集成技术的研究。在硅基异质结构材料外延设备、材料生长动力学、硅基光电子学器件等方面取得了重要研究成果。     

基于虚拟仿真平台的光电探测技术理论部分的教学探索

光电探测技术是实现万物互联的关键技术之一。当前光电探测技术理论部分的教学仍然停留于传统的教学模式,课程的高门槛导致教学效果不佳及学生对原理的理解不深,限制了学生的器件创新水平。针对此问题,本文提出借助多物理场耦合仿真软件对器件的内在工作机理进行可视化描述,以强化学生对器件底层理论与运行机理的理解。     

自动搬运车系统设计

自动搬运车系统涉及到单片机控制、传感器技术、电机驱动、供电电源的设计、信号处理等诸多领域。本设计中小车的行进采用黑线寻迹方式,寻迹方法采用红外反射式光电传感器,由于采用红外发光管代替普通可见光发光管,降低了环境光源干扰。搬运识别模块采用了电磁吸附因为与常见的抓、叉比较,电磁吸附用时短,效果好,所以本设计利用金属探测、光电检测和电磁铁电路组成了货物识别模块,实现了探测、搬运、识别功能。     

光电传感器的应用与发展

随着科技的迅速发展,传感器作为新技术革命和信息社会的重要技术基础,是实现测试与自动控制的重要环节,传感器的应用也越来越广泛,本文阐述了光电传感器的工作原理和应用特点,并对其的具体应用及未来的发展趋势做了重点介绍,以提高光电传感器的应用范围。     

成功研制多比特有机场效应晶体管存储器件

有机场效应晶体管存储器件研究是有机存储器件重要的研究方向之一,它不仅具有晶体管的开关功能同时还能够存储信息。化学所有机固体院重点实验室科研人员成功研制了多比特有机场效应晶体管器件。他们巧妙地将光辅助效应和聚合物修饰场效应晶体管结构相结合,探索出实现有机场效应晶体管的多比特存储的光电工艺过程。     

MSM探测器的研究综述

光探测器是光纤通信系统的重要组成部分。金属-半导体-金属光电探测器(metal-semicondctor-metal photodetector,MSMPD)具有寄生电容低,响应波长可覆盖光通信1300-1550nm的低损耗窗口波段等优点。在制作工艺方面,MSM-PD结构简单,易于制作,从晶体生长到器件制作的整个过程与FET兼容。因此,MSM-PD已成为光电子集成电路、高速光纤通信系统的高响应光电器件领域的重要研究对象。简要介绍了MSM光探测器的技术概况,分析了MSM-PD的基本原理和性能参数,并论述了MSM探测器的发展趋势。     

有机场效应晶体管的研究再获新进展

近年来,作为有机光电器件重要组成部分,有机场效应晶体管受到了学术界和工业界的关注。目前高性能有机场效应晶体管的性能已基本达到了实用化的要求。化学所有机固体院重点文验审研究人员发展了利用铜和银修饰方法来代替金作为有机场效应晶体管的源漏电极,制备了高性能的器件,之后他们利用低功函数的铜为源漏电极制备了高性能的上电极结构的有机场效应晶体管,