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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 845 毫秒
1.
设计了一种基于带隙比较器的过热保护电路。该电路可用于功率集成电路和电源管理芯片中。采用0.6μmBiCMOS工艺对电路进行了仿真。结果表明,该电路对温度灵敏度高,关断和开启温度点受电源电压和工艺参数变化的影响很小。通过比较器的迟滞功能防止了热振荡现象的发生。  相似文献   

2.
RFCO_2激光器过热保护电路研究   总被引:1,自引:1,他引:0  
本文详细讨论了RFCO_2激光器过热保护电路的技术要求和设计方法,并根据热敏电阻、温敏二极管、热敏集成电路和温度传感器等不同热敏器件,给出五种过热保护电路的实用电路原理简图。  相似文献   

3.
本文详细讨论了RF CO2激光器过热保护电路的技术要求和设计方法,并根据热敏电阻,温敏二极管,热敏集成电路和温度传感器等不同热敏器件,给出五种过热保护电路的实用电路原理简图。  相似文献   

4.
提出了一种新颖的过热保护电路--热调节电路,该电路将芯片耗散功率产生的温度变化置于一个闭环控制系统中,形成温度负反馈,实现芯片在需要过热保护时的恒温控制,保证芯片在无过热危险前提下的输出功率最大化.芯片采用SMIC 0.13μm CMOS Logic工艺模型,测试结果表明,热调节电路在出现过热情况时可使芯片内部温度恒定在105℃.  相似文献   

5.
一种高稳定低功耗CMOS过热保护电路的设计   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
石伟韬  蒋国平   《电子器件》2006,29(2):330-334
采用1.2μm CMOS工艺,设计了一种过热保护电路,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3.5V以上的电源电压工作下,输出过热保护信号所产生的过热温度点基本保持不变,约为132℃;同时在3V电源电压工作下,电路功耗约为1.05mW,而在9V的高压下工作,功耗仅为14.4mW。由此可见,此电路性能较好,可广泛应用在各种集成电路内部。  相似文献   

6.
本文阐述了MOS高压和功率集成电路的现状。在前言部分叙述了这些集成结构的发展,回顾了与分立器件相比的一些主要优点,提出了一些关于集成方法的问题。对于用MOS技术制作并用作集成电路功率开关的各种器件结构进行了评述。考虑了最近开发的两大电路系列:(1)智能功率技术,它包括与控制电路和保护电路集成在一起的单个或多个纵向(共漏)功率开关;(2)高压集成电路,其功率器件是横向的,电流能力较低,其控制电路(CMOS或双极)具有较高的集成密度。提出了设计智能功率开关的一些主要功能问题。对于主要的晶体管单元结构,特别是限热电路和稳偏网络,作了详细介绍。可以看出,在电气波动和与工艺有关的参数变化方面及非稳定因素方面,所涉及的模拟电路都可做到非常稳定。  相似文献   

7.
采用0.5 μm CMOS工艺,设计了一种具有热滞回功能的过热保护电路,并利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真.结果表明,电路的输出信号对电源的抑制能力很强,在3.5 V以上的电源电压工作下,过热温度点基本保持不变,正向约为155℃,负向约为105℃,同时,在27℃,5 V电源电压工作下,电路功耗约为0.25 mW.由于其高稳定和低功耗的特性,可广泛应用在各种集成电路内部.  相似文献   

8.
集成电路封装热阻分析   总被引:2,自引:0,他引:2  
集成电路热阻是集成电路特别是功率型电路的主要可靠性参数。在一定功率下,它决定了电路工作时的结温,在进行系统热设计、可靠性预计时都要考虑电路的热阻。集成电路热阻测试方法是我国微电子工业尚待解决的问题,也是当前研究重点之一。本文介绍采用统一热分布的标准芯片测试电路热阻的方法,并分析不同封装形式、不同粘片工艺、不同芯片面积以及不同生产厂对电路热阻的影响。  相似文献   

9.
集成稳压器是将功率调整管、取样电阻以及基准稳压、误差放大、启动和保护电路等全部集成在 1个芯片上而形成的一种稳压集成电路。LM 78XX系列三端集成稳压器内部有过热、过流保护电路 ,外围元件少 ,性能优良、体积小、价格低 ,故在很多电路中广泛应用 ,如在有线电视系统的卫星接收机、调制器、解调器、放大器等电源部分都可以用到。1 工作原理图 1是LM78XX系列稳压器的电路原理方框图 ,它与一般分立件组成的串联调整式稳压电源十分相似 ,区别在于增加了启动电路、恒流源以及保护电路。为了使稳压器能在比较大的电压变化范围内正常…  相似文献   

10.
作为步进电机的驱动电源,以往大多采用分立元器件构成。功耗大,效率低,体积大而笨重。随着电子技术和集成电路技术的不断发展,后来采用了集成环形脉冲分配器 CH250,但 CH250的负载能力极小(≤1mA),仍不能直接驱动大功率负载(例如步进电机),还需采用多级晶体管作为功率推动电路,因而电路的功耗、体积仍未得到多大的改善。近几年来,功率集成电路有了很大的发展,这就给功率驱动电路的改善提供了条件。目前电子市场上的新秀——TWH8751功率集成电路,就是一个新型的高压、大电流开关电路。它具有工作频率高(可达1.5MHz),开关特性好,控制功率大(加散热器可达3A),内有自动保护,具有选通(ST)功能,使用简便等特点,是一个较为理想的大功率放大器件。  相似文献   

11.
针对单片开关电源控制芯片设计了一种欠压锁存电路,该电路结构简单,无需使用基准电压源,具有功耗低,响应速度快等优点,并可以实现滞回功能.最后在CSMC 0.5 μm CMOS工艺库下使用Cadence Spectre进行了仿真验证,结果表明,芯片正常工作时,欠压锁存电路的平均功耗低于10 mW,响应速度较快,而且电路实现了滞回功能,滞回电压范围为800 mV左右.  相似文献   

12.
It is essential in the simulation of power electronics applications to model magnetic components accurately. In addition to modeling the nonlinear hysteresis behavior, eddy currents and winding losses must be included to provide a realistic model. In practice the losses in magnetic components give rise to significant temperature increases which can lead to major changes in the component behavior. In this paper a model of magnetic components is presented which integrates a nonlinear model of hysteresis, electro-magnetic windings and thermal behavior in a single model for use in circuit simulation of power electronics systems. Measurements and simulations are presented which demonstrate the accuracy of the approach for the electrical, magnetic and thermal domains across a variety of operating conditions, including static thermal conditions and dynamic self heating  相似文献   

13.
为了防止芯片过热,提高芯片可靠性和稳定性,采用0.5μm CMOS工艺,设计了一种具有迟滞比较器的过热保护电路。由于采用了折叠式运放,使得比较器输入范围更大,灵敏度和迟滞性能更好。利用Cadence Spectre仿真工具对电路进行了仿真,结果表明电源电压为4.5~7 V时,过温保护阈值变化量极小,表现出输出信号对电源的良好抑制。当温度超过130℃时,输出信号翻转,芯片停止工作;温度降低至90℃时,芯片恢复工作。此电路可以通过调整特定管子的尺寸而控制两个阈值电压的大小,从而避免热振荡的发生。  相似文献   

14.
提出一种内部集成过温保护功能的VDMOS器件。对传统过温保护原理进行了分析,在此基础上,提出了一种适用于功率器件过温保护的改进电路结构。仿真结果表明,该器件在温度超过174℃时实现自关断,在温度降回142℃时实现自重启。该温度迟滞功能可有效防止热振荡。  相似文献   

15.
一种用于马达驱动芯片的过热保护电路   总被引:1,自引:0,他引:1  
徐冬  唐祯安 《微电子学》2007,37(6):903-906
设计了一种应用于马达驱动芯片的过热保护电路。该电路主要由使能电路、基准电压源、温度检测电路、比较输出电路四部分组成。其中,温度检测电路利用PNP晶体管的发射极-基极电压具有负温度系数的特点;为了防止热振荡发生,比较输出电路采用具有磁滞功能的电压比较器。HSPICE仿真结果表明,该电路温度灵敏度高,关闭和开启温度点受电源的影响很小。  相似文献   

16.
To meet the accuracy requirement for the bandgap voltage reference by the increasing data conversion precision of integrated circuits,a high-order curvature-compensated bandgap voltage reference is presented employing the characteristic of bipolar transistor current gain exponentially changing with temperature variations.In addition,an over-temperature protection circuit with a thermal hysteresis function to prevent thermal oscillation is proposed.Based on the CSMC 0.5μm 20 V BCD process,the designed cir...  相似文献   

17.
为了解决传统上电复位电路电源阈值电压受工艺和温度的影响,提出了以Brokaw带隙基准源为基础结构,由采样电路、电流比较电路和电平转换电路等模块组成的可实现精确复位的上电复位电路。增加带迟滞功能的设计,减小了电源噪声对输出电路的影响。采用0.5μm CMOS工艺并对电路进行仿真。结果显示该电路工作在5 V电源电压,典型工艺和温度下电源阈值为3.19 V,在不同的工艺和温度下对电源阈值的影响较小,误差范围在0.31%~4.7%。  相似文献   

18.
设计了一种用于升压型DC-DC变换器的过温保护电路。采用具有正负温度系数的电流相减,得到随温度变化更加明显的电流,经过电阻分压控制三极管的通断,并采用推挽反相器整形滤波后得到输出信号,实现了芯片过温关断和迟滞开启的功能。采用HHNEC BCD 0.35μm工艺,使用Cadence软件进行仿真验证。仿真结果显示,在各个工艺角及电源电压波动情况下,电路均能在芯片温度上升到170℃时关断、在芯片温度下降到140℃时开启,迟滞值为30℃(±2℃)。  相似文献   

19.
为解决传统过压保护电路功耗大、易受干扰的问题,基于0.25μm CMOS工艺设计并实现了一种应用于控制器局域网络(CAN)总线芯片的过压保护电路。其作用是当芯片端口电压高于电源电压或低于地(GND)电平时为芯片提供保护信号,阻止电流倒灌入芯片。在3.3 V电源电压下,该电路具有迟滞功能,防止其受到噪声干扰反复打开和关闭芯片。仿真结果表明,端口电压高于3.55 V时电路提供保护信号,重新下降至3.35 V后系统恢复工作;同理,端口电压低于-0.25 V时电路提供保护信号,重新上升至-0.05 V后系统恢复工作。流片测试结果显示该电路可以为CAN总线芯片提供有迟滞的过压保护功能,与符合仿真结果基本一致。  相似文献   

20.
A current-sharing interface circuit with new current-sharing technique   总被引:2,自引:0,他引:2  
This paper proposes a current-sharing (CS) circuit for parallel power modules. The interface circuit enables the outputs of independent and nonidentical power modules to equally share the load current in a fault-tolerant oring-connection power supply system. No CS interconnections among the power modules are required. In the proposed interface circuit, the output currents of the parallel power modules are sensed by measuring the inductor voltage drops and controlled in a hysteresis manner. A practical CS interface circuit is implemented. The experimental results are in good agreement with the theoretical analyses.  相似文献   

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