GJB548修订中先进性与可行性的综合考虑

结合美军标准微电子器件试验方法和程序的发展变化以及我国集成电路生产和研制的现状与国情，论述了GJB548的修订原则和协调先进性与可行性的综合处理方法及体会。     

对国军标中引线牢固性试验的几点看法

本文针对 GJB548A《微电子器件试验方法和程序》中引线牢固性试验的条件 A、B_2中有关试验目的,失效判据及程序简单介绍了笔者的几点看法。     

贴片电容器剪切方法探索

混合集成电路通用规范（GJB2438A-2002）规定军用（H级）宇航用（K级）产品的例试试验都必须包含芯片剪切强度试验,微电子器件实验方法和程序（GJB548A）方法2019A具体规定了芯片剪切强度要求,针对器件剪切试验时竖立组装电容器及叠层组装电容器,剪切力数据离散性大,失效率很高的问题,本文通过对剪切设备,剪切方法,电容器组装方式进行一系列的试验分析,最终提出针对此类电容器剪切的较好方法。     

激光器芯片烧结用AuSn薄膜焊料制造技术研究

共晶成分的金锡合金焊料AuSn20,具有较高的热导率、剪切强度、抗热疲劳性和抗腐蚀性,在高功率电子器件和光电子器件封装中应用广泛。本文在AlN陶瓷基板上,通过分层电镀Au/Sn/Au三层薄膜并合金化的方法,在AlN陶瓷表面制备了一种预制AuSn20合金焊料的基板。分析了焊料的成分及性能,结果满足国军标GJB 548B-2005 《微电子器件试验方法和程序》的剪切强度要求。用该基板封装激光二极管后达到设计功率,光功率效率为35%。     

间歇寿命试验方法和技术

GJB548A-96和GJB548B-2005对间歇寿命试验的规定都比较简单,本文较详细地介绍间歇寿命试验方法和技术以及用555定时器制作一个能满足试验要求的使器件受“开”和“关”之间的电应力周期变化的“时间开关”,并给出其在间歇寿命试验中的应用。     

对GJB 548 A中方法2004 A有关试验条件的看法

以国军标GJB548A标准为依据，简介了方法2004A试验条件A、B2的试验目的及失效判据。根据产品试验结果，提出了试验条件的选择，应视产品结构（封接玻璃、引线的尺寸）的具体情况分别规定。     

厚膜混合集成电路检验过程中问题浅谈

厚膜混合集成电路在内部目检中,依据GJB-548《微电子器件试验方法和程序》各项条款,时常会遇到各种不满足检验规范要求的产品,本文针对检验过程中发现的典型问题,向上追溯,分产品版图设计与工艺操作两方面进行分析讨论。     

美军标883改名并做重大修改

美军标 MIL－ STD－ 883(以下简称 883，原名微电子器件试验方法和程序 )自 1968年问世以来，对微电子器件可靠性的提高起着重要的作用。 众所周知，微电子器件广泛应用于各类电子系统，对其可靠性要求最高。为适应微电子器件这种特殊“地位”，美国每年都要广泛收集各方面的意见，投入大量的人力、物力进行研究，因此， 883几乎每年都会做重大修改，发布“通告”。如此频繁的修改补充现象在美军标中也极为罕见，这充分反映美国对微电子器件可靠性的高度重视。 也正因为重视对该标准的研究、修改和补充，使该标准 30多年来始终对微电子器…     

馆藏新购标准介绍

标准号：GJB 2367A-2005 标准名称：渗透检验 本标准规定了渗透检验的分类、一般要求、检验程序和质量控制要求。本标准适用于非多孔性金属和非金属零件（半成品、成品和使用过的零件）表面开口不连续性的检验。     

塑封器件的外部目检方法与判据研究

目前,塑封器件由于其在尺寸、重量、成本、可用性和性能,以及工艺和设计方面的先进性,使得其在高可靠性领域中的应用越来越广泛,国内已有相当数量的塑封器件应用于国防领域。但是,其外部目检试验项目所依据的方法与判据仍然沿用气密性封装器件外部目检的方法与判据,已经不能满足日益增多的塑封器件的外部目检筛选要求。结合GJB 548B-2005的方法 2009.1外部目检要求,开展塑封器件外部目检试验方法与判据的研究。     

超导温度下微波混合集成电路工艺可靠性初探

为研制可靠的高温超导微波组件设计了可靠性试验,研究了高温超导微波组件常用的微波混合集成电路工艺,如锡铅钎焊、共晶焊接和金丝焊接等在超导温度下的可靠性。结果表明:在经历温度循环、机械冲击、变频振动和恒定加速度试验后,所研究的工艺能满足GJB548B—2005的相关要求,其中锡铅钎焊的试样可以通过1×10–9Pa.m3/s的泄漏率要求,设计的环境试验对80Au-20Sn共晶焊接性能无显著影响。     

DPA技术在军用瓷介电容器生产中的应用

根据GJB4157-2001《高可靠瓷介固定电容器总规范》的标准要求，对DPA的应用要求、DPA项目、方案编制和DPA实施计划等问题进行了综合分析。着重论述了如何应用该标准来实旖DPA典型项目的技术和方法，对DPA技术的应用和GJB4157标准的贯彻实施都有参考价值。     

国内外机载设备电磁环境验证标准分析

RTCA／DO-160G和GJB151A／152A-97都涉及了电磁环境验证,高强度辐射场（HIRF）试验是重点的验证项目,比较分析这两个标准对该项目在测试条件、测试对象及测试方法的差异,得出对于飞机机载设备的传导敏感度和辐射敏感度的试验,采用GJB151A／152A可能会出现要求过高的情况,而采用RTCA／DO-160G则更加方便灵活。     

BGA焊点可靠性工艺研究

伴随高密度电子组装技术的发展,BGA(Ball Grid Array)成为高密度、高性能、多功能及高I/O数封装的最佳选择。文章分析了影响BGA焊点可靠性的关键因素,特别提出了减少焊点空洞缺陷和提高剪切强度的主要措施,并通过试验优化出各工艺参数。结果表明:运用优化的工艺参数制作的BGA焊点,焊接空洞以及芯片剪切强度有了明显改善,其中对BGA焊接样品进行150℃、1000h的高温贮存后,焊点的剪切强度完全满足GJB548B-2005的要求。     

双键合点破坏性引线键合拉力试验的测量误差分析

在双键合点破坏性拉力试验中,吊钩位置及引线的弧线高度会直接影响测量结果,但在GJB 548A中对此并未作出严格的规定。基于此,本文就以上两因素对测量值大小的具体影响进行了讨论,并针对不同的情况提出了相应的改进措施。分析表明,当放置吊钩位置的误差为±10％时,同时当吊钩与两边引线的夹角均为120度,由此所造成的测量偏差为-5～0％,但当两引线间的夹角减小至100度时,测量偏差将达20～29％。可利用带标尺的目镜控制吊钩的位置,同时建议将测试完成后两引线间的夹角大小作为一测试的参数,从而可在一定程度上减小测量的误差,并使得不同测试结果具有直接的可比性。     

小腔体元器件内部气氛检测修正因子适用性分析

对国军标548B-2005中提出的小腔体元器件内部水汽检测修正因子进行了适用性分析。提出修正系数λ,并引入修正因子表达式中。选择三种内腔体积的管子,封入一定含量的标准气体。在相同条件下进行了内部气氛检测及修正。通过与标准气体对比,获得了λ的值,并利用Matlab软件进行分析。结果表明,内部气氛实测值随内腔体积的减小而增大,并且更离散,呈单调递减。λ在0.001~0.01 cm^3内腔体积范围内适用。但内腔体积进一步减小后,必会出现修正因子的适用性问题。     

镀金盖板上的绿激光标识技术

镀金盖板广泛用于军品集成电路的气密性封装中,其表面标识通常采用油墨移印工艺,但油墨移印的标识在筛选或考核过程中有时存在部分脱落的风险,造成鉴定难以通过。在镀金盖板上的绿激光标识技术,不仅解决了镀金盖板标识脱落的问题,而且解决了高可靠集成电路镀金盖板表面标识产品序列号的工艺难题。激光标识后的样品,顺利通过了按GJB548B要求进行的温度循环、热冲击、耐溶剂和盐雾等可靠性试验。对镀金盖板的激光标识区域进行了电镜扫描和解剖分析的结果表明,标识区域镀金层成份和金层厚度基本没有变化。     

内部水汽含量检测技术和低压封装限制

介绍了GJB 548A方法1018规定的内部水汽含量的三种测定程度和原理以及所用的设备，并重点介绍了程度1中的有关测试方法以及对内部封装压强的要求。     

MEMS圆片级封装用Cu-Sn低温键合机理与工艺研究

研究了利用低温等温凝固技术实现Cu-Sn键合在MEMS圆片级封装中的应用.基于Cu-Sn二元平衡相图,对键合层结构进行了设计,同时设计了用于测试的键合图形,并对设计的键合结构进行了流片实验.通过对圆片制作及键合等工艺的一系列优化,在250℃的低温条件下生成了熔点为415℃的金属间化合物,获得了良好的键合层.得到的键合样品剪切力强度值达到了GJB548B-2005标准的要求.研究表明,Cu-Sn等温凝固键合技术具有实际应用的潜力.     

含宇航级的多芯组瓷介固定电容器标准分析

就GJB 6788-2009《含宇航级的多芯组瓷介固定电容器通用规范》中的S级(宇航级)产品和K级(一般可靠)产品的相关试验组别进行了对比分析,论述了GJB 6788-2009中S级(宇航级)产品的显著特征.同时将GJB 6788-2009与美国军用标准MIL-PRF-49470进行了比较.简述了目前多芯组瓷介固定电容...