半导体和IC

表面贴装功率ＩＣ封装ＳＧＳ　ＴＨＯＭＳＯＮ　Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ公司的大功率表面贴装封装系列又增添了一种形状和尺寸与标准１４×１４×２．８ｍｍＱＦＰ封装相同的新型大功率封装。这种新封装叫做ＨＩＱＵＡＤ－６４（ＪＥＤＥＣＭＯ－１８８），是为未来的灵巧功率芯片设计的，具有优于１ｋ／Ｗ的连接外壳热阻，厚度为１０密耳的铜线框以及金或铝焊线。它可容纳１２０ｋ密耳２的小片。高速ＡＳＩＣ验证工具ＶｉｅｗｌｏｇｉｃＳｙｓｔｅｍｓ公司最近推出Ｅａｇｌｅ系列新产品ＥａｇｌｅＶ　ＴＭ，这是一种优化的专用集…     

简讯

华虹ＮＥＣ、华为、南通富士通联合打造国产ＡＳＩＣ芯片日前 ,华为技术有限公司和上海华虹ＮＥＣ电子有限公司合作开发、南通富士通微电子有限公司封装测试的通信交换接入设备专用ＡＳＩＣ芯片研制成功 ,完成全部商用化芯片的自主设计、自主加工制造、测试、封装 ,这也是承担建国以来我国电子行业投资最大的“９０９”国家半导体重大项目工程的设计公司和加工基地 ,采用全ＡＳＩＣ设计流程、ＴＯＰ -ＤＯＷＮ设计技术开发成功的第一颗通信专用芯片。该芯片由华为和上海华虹ＮＥＣ于２００１年３月份开始合作开发 ,采用华虹ＮＥＣ先进的０．…     

封面介绍

封面介绍Ｓ、Ｃ波段相控阵Ｔ／Ｒ组件Ｓ、Ｃ波段相控阵Ｔ／Ｒ组件，采用ＭＭＩＣ芯片和小型化ＭＩＣ电路混合形式，运用微组装工艺制作而成。其中ＬＮＡ，ＳＰＤＴ等使用了５片ＭＭＩＣ芯片；限幅器、移相器等电路则采用二极管芯片组装完成。功率放大器输出级是大功率ＦＥ...     

OPTICAL FIBER-MOBILE COMMUNICATION

ＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲ－ＭＯＢＩＬＥＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮ￥ＦＥＮＧＸｉ－Ｙｕ；ＳＵＮＴｉｅ－Ｃｈｅｎｇ（ＤａｌｉａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＤａｌｉａｎ１１６０２３）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｅｔｅｃｈｎｉｑｕｅｏｆｍｏｂｉｌ...     

我国高性能通信芯片设计与制造首次实现本土化

日前 ,华为技术有限公司和上海华虹ＮＥＣ电子有限公司合作开发、南通富士通微电子有限公司封装测试的通信交换接入设备专用ＡＳＩＣ芯片研制成功 ,首次在国内完成全部商用化芯片的自主设计、加工制造、测试、封装。该芯片采用全ＡＳＩＣ设计流程和ＴＯＰ -ＤＯＷＮ设计技术 ,前端设计、后端设计及加工技术成功实现接轨 ,标志着我国在大规模通信芯片设计和制造技术领域已逐步走向成熟我国高性能通信芯片设计与制造首次实现本土化     

华虹NEC、华为、南通富士通联合打造国产ASIC芯片

日前 ,华为技术有限公司和上海华虹ＮＥＣ电子有限公司合作开发、南通富士通微电子有限公司封装测试的通信交换接入设备专用ＡＳＩＣ芯片研制成功 ,首次在国内完成全部商用化芯片的自主设计、自主加工制造、测试、封装 ,这也是采用全ＡＳＩＣ设计流程、ＴＯＰ-ＤＯＷＮ设计技术开发成功的第一颗通信专用芯片。目前已通过产品样片测试和系统测试并转入批量制造和使用。华虹NEC、华为、南通富士通联合打造国产ASIC芯片@阿伦     

产品设计中的SMT

微电子技术的迅猛发展。促进了电子器件和电子产品的小型化的发展。电子产品的高密度组装组装使得传统的ＴＨＴ无能为力。ＳＭＴ是较好地解决了电子产品发展的组装需求。现在，微电子器件已趋向于ＡＳＩＣ和ＶＬＳＩＣ化。而这些器件通常采用ＱＦＰ、，ＰＬＣＣ，ＳＯＩＣ，ＢＧＡ等封装形式。     

自对准硅化物CMOS／SOI技术研究

在ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸＳＯＩ电路制作中引入了自对准钴（Ｃｏ）硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路速度性能的影响．实验表明，采用ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和方块电阻，改善单管的输出特性，降低ＣＭＯＳ／ＳＯＩ环振电路门延迟时间，提高ＣＭＯＳ／ＳＯＩ电路的速度特性．     

自对准硅化物SOI／CMOS技术研究

在ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路制作中引入了自对准钴硅化物（ＳＡＬＩＣＩＤＥ）技术，研究了ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺对ＳＯＩ／ＭＯＳＦＥＴ单管特性和ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路速度性能的影响。实验表明，ＳＡＬＩＣＩＤＥ技术能有效地减小ＭＯＳＦＥＴ栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻，改善单管的输出特性，降低ＳＯＩ／ＣＭＯＳ环振电路门延迟时间，提高ＳＯＩ／ＣＭＯＳ电路的速度特性。     

高线性、高效SiGe MMIC

ＳｔａｎｆｏｒｄＭｉｃｒｏｄｅｖｉｃｅＳ’ＳＧＡ - 60 0 0系列高线性ＳｉＧｅＲＦＩＣＭＭＩＣ放大器采用可挠性工业标准 85ｍｉｌ,ＳＯＴ89和ＳＯＴ2 3- 5表面安装塑料封装。这些无条件稳定的放大器在 4 2Ｖ单一电源电压和 75ｍＡ下工作 ,适用于家庭ＲＦ ,无线网和ＩＥＥＥ80 2 11。型号为ＳＧＡ - 6388在 1ｄＢ压缩点 ,输出功率为 2 0ｄＢｍ ,输出ＴＯＩ(ｔｈｉｒｄ ｏｒｄｅｒｉｎｔｅｒｃｅｐｔ)点为 36ｄＢｍ ,在 90 0ＭＨｚ下 ,增益为 15 5ｄＢ。ＳＧＡ - 6388的单价为 1 2 1美元高线性、高效SiGe MMIC@一凡…     

程控电话交换机提供的虚拟网

程控电话交换机提供的虚拟网天津港通信导航公司晏小乔１９９８年６月天津通信技术Ｊｕｎ．１９９８第２期ＴＩＡＮＪＩＮＣＯＭＭＵＮＩＣＡＴＩＯＮＳＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＮｏ．２收稿日期：１９９７－１１－０９随着现代通信技术的发展，程控交换机提供的业务领域在不...     

我国高性能通信芯片设计与制造首次实现本土化

日前,华为技术有限公司和上海华虹ＮＥＣ电子有限公司合作开发、南通富士通微电子有限公司封装测试的通信交换接入设备专用ＡＳＩＣ芯片研制成功,首次在国内完成全部商用化芯片的自主设计、自主加工制造、测试、封装,这也是承担建国以来我国电子行业投资最大的“９０９”国家半导体重大项目工程的设计公司和加工基地,采用全ＡＳＩＣ设计流程、ＴＯＰ－ＤＯＷＮ设计技术开发成功的第一颗通信专用芯片。该芯片前端设计和后端设计及加工技术成功实现接轨,标志着我国在大规模通信芯片设计和制造技术领域已逐步走向成熟。借助我国资源成本的…     

台湾地区半导体封装工业现状

台湾地区半导体封装工业现状陆钧（ＡＭＫＯＲＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹＣｈａｎｄｌｅｒ，Ａｚ８５２４８．ＵＳＡ）２０多年前台湾在世界半导体工业大家庭中还是默默无闻的一员，然而时过境迁，２０年后的台湾对每一个半导体厂商及设备供应商而言是兵家必争之地。以台湾半导...     

最新的通信IC

以下介绍的通信ＩＣ都是各公司１９９６年的最新产品，其品种涉及到ＰＣＳ手机、无绳电话、无线通信、卫星电视、调制解调器、ＦａｓｔＥｔｈｅｒｎｅｔ和ＡＴＭ等。＋３ＶＤＣＰＣＳ手机用分立器件和ＩＣＯｋｉ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ公司开发了一系列８００～１９００ＭＨｚＰＣＳ手机用＋３ＶＤＣ分立器件和ＩＣ。这些器件是用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ技术和硅ＣＭＯＳ技术制作的。ＧａＡｓ器件包括ＫＧＦ１６０６分立ＧａＡｓ场效应管（ＦＥＴ）、ＫＧＦ１６０８分立ＧａＡｓ　ＦＥＴ和ＫＧＦ１２６２中功率ＧａＡｓ单片微波集成电路…     

台湾半导体业独显风采

作为台湾产业原动力的电子工业，其中硬件产业近年形势严峻，但半导体产业，去年除ＤＲＡＭ外，晶圆片、ＡＳＩＣ、ＳＲＡＭ等下半年销路良好，八成企业的营收比上年增长３０％以上。预计１９９８年台湾晶圆片总产量（按６英寸计算）约为９２５万片，比上年增长３２％。据...     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

硬件控制的8k×8 SRAM/EEPROM U630H64原理及接口应用

Ｕ６３０Ｈ６４内含反相映射的８ｋ字节ＳＲＡＭ和８ｋ字节ＥＥＰＲＯＭ，通过命令可以将ＳＲＡＭ中的数据写入ＥＥＰＲＯＭ或把ＥＥＰＲＯＭ中的数据回送至ＳＲＡＭ，以备断电时的数据保护。该芯片所采用保护数据的方法是除ＮＶＳＲＡＭ、Ｆｌａｓｈ之外的一种独特的方法。本文介绍了该芯片的内部结构，并给出了与单片机的接口电路。     

用MMIC构成的W波段振荡源组件

用ＭＭＩＣ构成的Ｗ波段振荡源组件据《１９９４ＥＥＥＥＭＴＴ－ｓＤｉｇｅｓｔ》报道，Ｈ．Ｗａｎｇ等用三块ＭＭＩＣ芯片研制成一种Ｗ波段（７５～１１０ＧＨＺ）的振荡源组件。第一块ＭＭＩＣ芯片为异质结双极晶体管（ＨＢＴ）压控振荡器（ＶＣＯ），频率为２３．５Ｇ...     

550MHz有线电视红外遥控机上变换器专用控制IC（MSX002）设计

５５０ＭＨｚ有线电视红外遥控机上变换器专用控制ＩＣ（ＭＳＸ００２）设计南京理工大学电子工程系牟善祥，李元浩，沈卫１引言本芯片采用美国ＩＮＴＥＬ公司的高性能、大容量、多功能的新型８位单片ＭＣＵ芯片８０５１作为控制ＩＣ，并与ＭＣ４４８０２（或Ｔ８Ａ５５１...     

1998年GaAs市场将达12亿美元

１９９８年ＧａＡｓ市场将达１２亿美元据ＩＣＥ报道，目前ＧａＡｓＩＣ厂家总的销售额为３５万门以上。１９９３～１９９８年ＧａＡｓＩＣ市场年平均增长率为２３％，１９９８年，ＧａＡｓ市场将达１２亿美元。ＧａＡｓＩＣ现以４英寸片子为主，而ＩＣＥ报道，从１９９４...