| 氧化法制备ZnO薄膜中缺陷结构的慢正电子束表征 |
| |
| 引用本文： | 陈志权,王栋,张宏俊,戴益群.氧化法制备ZnO薄膜中缺陷结构的慢正电子束表征[J].武汉大学学报(理学版),2007,53(5):597-600. |
| |
| 作者姓名： | 陈志权 王栋 张宏俊 戴益群 |
| |
| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金;教育部新世纪优秀人才支持计划 |
| |
| 摘 要： | 用脉冲激光沉积方法在Al2O3（0001）衬底上制备了Zn薄膜,并在空气中氧化得到了ZnO薄膜.利用Raman光谱测量了氧化法制备的薄膜,并与ZnO单晶材料进行比较,证实了ZnO薄膜的形成.采用慢正电子束技术对ZnO薄膜的微观结构进行了研究,发现在薄膜中存在大量的空位型缺陷.当氧化后的薄膜在高温下退火后,缺陷浓度逐渐降低,在达到900℃时,所制备的ZnO薄膜中缺陷基本得到消除.
|
| 关 键 词： | 氧化锌 氧化法 缺陷 慢正电子束 |
| 文章编号： | 1671-8836（2007）05-0597-04 |
| 修稿时间： | 2007-04-16 |
Defects Study of ZnO Film Prepared by Thermal Oxidation Using a Slow Positron Beam |
| |
| CHEN Zhiquan,WANG Dong,ZHANG Hongjun,DAI Yiqun.Defects Study of ZnO Film Prepared by Thermal Oxidation Using a Slow Positron Beam[J].JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition,2007,53(5):597-600. |
| |
| Authors: | CHEN Zhiquan WANG Dong ZHANG Hongjun DAI Yiqun |
| |
| Affiliation: | School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, Hubei, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO oxidation method defect slow positron beam |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
