| 聚合物前驱体热解制备SiC纳米线研究 |
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| 引用本文： | 孔雅玲,惠增哲,李金华,朱金花.聚合物前驱体热解制备SiC纳米线研究[J].化学研究,2018(1). |
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| 作者姓名： | 孔雅玲 惠增哲 李金华 朱金花 |
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| 作者单位： | 西安工业大学材料与化工学院;河南大学化学化工学院; |
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| 摘 要： | 采用催化剂辅助聚合物前驱体热解工艺制备出宏量碳化硅纳米线(Si CNW),研究了基底材料、热处理温度及催化剂加载量等参数对所制备Si CNW微观结构形貌的影响规律.借助扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、X射线衍射分析(XRD)等分析测试手段对Si CNW的晶体结构和微观形貌进行表征,并分析了其生长机制.研究结果表明:制备的Si CNW为面心立方单晶结构的β-Si C,平均直径约为400 nm.随着热处理温度的提高,Si CNW的形貌由弯曲状生长转变为直线状生长,纳米线的直径也随之增加,在高温出现链珠状形貌纳米线;随着催化剂加载量的增加,纳米线的直径逐渐提高,产量却有所减小.纳米线的生长过程主要遵循VLS机制.当热解温度为1 600℃,基底材料为碳纤维布,催化剂加载量为5%(质量分数)时制备的Si C纳米线的直径、数量和分布状况较为理想.
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| 关 键 词： | SiCNW 聚合物前驱体热解 微观结构形貌 热处理温度 |
Preparation research of silicon carbide nanowires synthesized by polymeric precursor pyrolysis |
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