| 薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 陈新亮,薛俊明,孙建,任慧志,张德坤,赵颖,耿新华.薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响[J].人工晶体学报,2006,35(6):1313-1317. |
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| 作者姓名： | 陈新亮 薛俊明 孙建 任慧志 张德坤 赵颖 耿新华 |
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| 作者单位： | 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,30071;光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津,300071;光电信息技术科学教育部重点实验室(南开大学,天津大学),天津,300071 |
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| 基金项目： | 天津市自然科学基金项目(No.043604911)，天津市科技攻关项目(No.043186511) |
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| 摘 要： | 本文研究了薄膜厚度对MOCVD技术制备未掺杂ZnO薄膜的微观结构和电学特性影响.XRD和SEM的研究结果表明,随着薄膜厚度的增加,ZnO薄膜(110)峰趋于择优取向,且晶粒逐渐长大,薄膜从球状和细长棒状演变为具有类金字塔绒面结构特征的ZnO薄膜;Hall测量表明,较厚的ZnO薄膜有助于提高薄膜电学特性,可归于晶粒长大和晶体质量提高.40min沉积时间(膜厚为1250nm)制备出的ZnO薄膜具有明显绒面结构,其晶粒尺寸为300～500nm,电阻率为7.9×10-3Ω·cm,迁移率为26.8cm2/Vs.
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| 关 键 词： | MOCVD ZnO薄膜 透明导电氧化物 太阳电池 |
| 文章编号： | 1000-985X（2006）06-1313-05 |
| 收稿时间： | 04 3 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-04-032006-07-05 |
Effect of Film Thickness on the ZnO Thin Film as TCO Grown by MOCVD Technique |
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| CHEN Xin-liang,XUE Jun-ming,SUN Jian,REN Hui-zhi,ZHANG De-kun,ZHAO Ying,GENG Xin-hua.Effect of Film Thickness on the ZnO Thin Film as TCO Grown by MOCVD Technique[J].Journal of Synthetic Crystals,2006,35(6):1313-1317. |
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| Authors: | CHEN Xin-liang XUE Jun-ming SUN Jian REN Hui-zhi ZHANG De-kun ZHAO Ying GENG Xin-hua |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOCVD ZnO films transparent conductive oxide solar cell |
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