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杂志ISSN号
用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi_2半导体外延膜的初步研究
作者姓名:
姚振钰
任治璋
王向明
刘志凯
黄大定
秦复光
林兰英
作者单位:
中国科学院半导体研究所 北京100083(姚振钰,任治璋,王向明,刘志凯,黄大定),中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083(秦复光),中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室 北京100083(林兰英)
摘 要:
采用质量分析的低能离子束外延法生长了半导体性质的β-FeSi_2外延薄膜.就我们所知,在用同类方法的研究中,国际上尚属首次.AES测量及RHEED观察肯定了外延的β-FeSi_2的存在;垂直入射的光透射谱又证实了外延膜是具有直接禁带的、禁带宽度为~0.84 eV的半导体性质的薄膜.室温下的霍耳迁移率μH达600 cm~2V~(-1)s~(-1),比文献报道高两个量级.
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