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多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算
引用本文:姚素英,曲宏伟,张维新.多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算[J].电子学报,1999,27(11):68-70.
作者姓名:姚素英  曲宏伟  张维新
作者单位:天津大学电子与信息工程学院!天津300072
基金项目:国家自然科学基金资助项目!(No .6 96 76 0 3 6 )
摘    要:本言语用有限单元法对双岛型多晶硅压力传感器的应力分布进行了计算机模拟,根据模拟计算的应力分布规律,优化多晶硅应变电阻的设计,弥补了多晶硅压阻系数低于单晶硅的缺点,研制出双岛结构多昌硅压力传感器,传感器具有高灵敏度和高的工作温度,计算分析结果与实验基本相符。

关 键 词:双岛结构  有限元方法  多晶硅  灵敏度  压力传感器
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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