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纳米AIN粉末的制备与烧结
引用本文:杜学丽,秦明礼,孙伟,曲选辉. 纳米AIN粉末的制备与烧结[J]. 真空电子技术, 2006, 0(4): 20-22
作者姓名:杜学丽  秦明礼  孙伟  曲选辉
作者单位:北京科技大学材料科学与工程学院,北京科技大学材料科学与工程学院,北京科技大学材料科学与工程学院,北京科技大学材料科学与工程学院 北京100083,天津理工大学材料科学与工程学院,天津300191,北京100083,北京100083,北京100083
基金项目:北京市先进粉末冶金材料与技术重点实验室开放课题基金(20050427690)
摘    要:利用低温燃烧合成前驱物制备出平均粒度为100 nm的AlN陶瓷粉末,比较了该粉末的常压烧结和放电等离子烧结的特性。实验表明:以合成的AlN粉末为原料,添加5%(质量比)Y2O3作为烧结助剂,在常压、流动N2气氛下1600℃保温3 h,制备出平均晶粒尺寸为4~8μm、密度为3.28 g.cm-3的AlN陶瓷;将同样的粉末不加任何烧结助剂,采用SPS技术在1600℃保温4 min,得到密度为3.26 g.cm-3的AlN陶瓷,晶粒度约为1~2μm。

关 键 词:纳米粉末 AIN陶瓷 放电等离子烧结
文章编号:1002-8935(2006)04-0020-03
收稿时间:2006-08-09
修稿时间:2006-08-09

Preparation and Sintering of Nanometer AIN Powders
DU Xue-li. Preparation and Sintering of Nanometer AIN Powders[J]. Vacuum Electronics, 2006, 0(4): 20-22
Authors:DU Xue-li
Abstract:
Keywords:nanometer powder  AlN ceramic  spark plasma sintering(SPS)
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