| 采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性 |
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| 引用本文： | 黄念宁,韩克锋,高喜庆,邹鹏辉,高建峰. 采用复合帽层改善GaAs HEMT/PHEMT的欧姆接触特性[J]. 固体电子学研究与进展, 2015, 0(2): 197-201 |
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| 作者姓名： | 黄念宁 韩克锋 高喜庆 邹鹏辉 高建峰 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所 |
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| 摘 要： | GaAs HEMT/PHEMT的欧姆特性对器件的性能和可靠性至关重要,通常为了得到最好的欧姆接触特性,帽层(CAP层)的掺杂浓度大约在5E+18cm-3的水平,已经达到了GaAs掺杂的极限。为了进一步改善GaAs HEMT/PHEMT欧姆特性,本文的研究工作是在砷化镓帽层上生长一层10nm厚、具有更小禁带宽度的InGaAs薄层,基于这种新的外延结构,在欧姆制作工艺不变的情况下,制作的欧姆接触具有更低的欧姆接触电阻率和更好的一致性。
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| 关 键 词： | 复合帽层 接触电阻率 一致性 热可靠性 |
Improvement of Ohmic Contact Characteristics on GaAs HEMT/PHEMT by Composite Cap Layer Design |
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| HUANG Nianning;HAN Kefeng;GAO Xiqing;ZOU Penghui;GAO Jianfeng. Improvement of Ohmic Contact Characteristics on GaAs HEMT/PHEMT by Composite Cap Layer Design[J]. Research & Progress of Solid State Electronics, 2015, 0(2): 197-201 |
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| Authors: | HUANG Nianning HAN Kefeng GAO Xiqing ZOU Penghui GAO Jianfeng |
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| Affiliation: | HUANG Nianning;HAN Kefeng;GAO Xiqing;ZOU Penghui;GAO Jianfeng;Nanjing Electronic Devices Institute; |
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